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ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响 被引量：1
1
作者 朱彦旭 范玉宇 +2 位作者 曹伟伟 邓叶 刘建朋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1362-1366,共5页
在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取... 在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。 展开更多
关键词 氮化镓 高压LED 电流输运
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高压LED阵列电学特性的优化方法的研究
2
作者 王红航 杜志娟 +5 位作者 刘飞飞 于宁 朱彦旭 王岳华 宋会会 曹伟伟 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第8期81-83,91,共4页
高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LE... 高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。 展开更多
关键词 氮化镓 电极参数 高压LED 电流输运特性 光输出功率 电学特性
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双掺杂稀土锰氧化物La_(2/3)(Ca(1/3)Sr(2/3))(1/3)MnO_3薄膜的输运特性
3
作者 金克新 陈长乐 +4 位作者 王永仓 赵省贵 任韧 袁孝 宋宙模 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期37-39,共3页
采用射频磁控溅射法制备了 Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3 Sr2/3)1/3 MnO3 (LCSMO)薄膜。电阻率 温度特性表明,薄膜在 387K时发生铁磁金属相 顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在 180,230 和 280K温度下的伏安特性,表明所制备的薄膜具有负阻... 采用射频磁控溅射法制备了 Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3 Sr2/3)1/3 MnO3 (LCSMO)薄膜。电阻率 温度特性表明,薄膜在 387K时发生铁磁金属相 顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在 180,230 和 280K温度下的伏安特性,表明所制备的薄膜具有负阻效应,并分析了产生该现象的原因。 展开更多
关键词 钙钛矿结构 负阻效应 双交换作用 小极化子 Jahn Teller效应
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