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氧化锌晶体的研究进展 被引量：17
1
作者 宋词 杭寅 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期81-87,共7页
基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义。目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩... 基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义。目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高。 展开更多
关键词 氧化锌晶体 晶体生长 半导体 水热法 助熔剂法 气相法 坩埚下降法 紫外激光器 ZnO 纤锌矿结构
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大尺寸金红石(TiO_2)单晶体生长条件的实验研究 被引量：18
2
作者 毕孝国 修稚萌 +4 位作者 孙旭东 赵洪生 曹忠杰 郭国有 肖继田 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期244-249,共6页
采用高纯(99.995%)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体。讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样... 采用高纯(99.995%)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体。讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率,并与商用晶体的透过率进行了比较。实验表明:生长气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的必要条件;在此条件下,能否生长为大尺寸晶体则取决于炉膛的轴向温度梯度;晶体在退火过程中可消除热应力,但退火更重要的作用是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间;所制备的晶体完整性较好,透过率与商用晶体基本一致。 展开更多
关键词 金红石 TIO2 单晶体 晶体生长工艺 燃熔法 透过率
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沉淀反应制备碳酸钙粒子及其形貌和结构控制 被引量：11
3
作者 杨亚囡 朱晓丽 孔祥正 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1313-1320,共8页
调节CaCl2与Na2CO3简单沉淀反应的实验条件制备了微米及纳米级CaC03粒子，探讨了晶型控制剂种类及用量、反应物浓度、分散方式等多种因素对CaCO，粒子形貌及其分散性等性能的影响。使用光学显微镜、扫描电镜、动态光散射激光粒度仪、x... 调节CaCl2与Na2CO3简单沉淀反应的实验条件制备了微米及纳米级CaC03粒子，探讨了晶型控制剂种类及用量、反应物浓度、分散方式等多种因素对CaCO，粒子形貌及其分散性等性能的影响。使用光学显微镜、扫描电镜、动态光散射激光粒度仪、x射线衍射等对产物进行了表征。结果表明，无晶型控制剂时，所得产物主要为大小均一方解石晶型CaCO3，尺寸为4～5Hm。相对于机械搅拌，超声波分散制备粒子的形貌更规整，尺寸更均一。在超声波分散条件下，分别采用三聚磷酸钠（STP）、羧甲基纤维素钠（CMC）和聚苯乙烯磺酸钠（PSS）为晶型控制剂，并改变其用量通过沉淀反应制备了CaCO3，粒子，对所得产物的结构及其形貌进行了表征。结果表明，晶型控制剂及其用量对CaCO3粒子的结构及其形貌有重要影响。使用STP为晶型控制剂时，除了用量极低的条件下（≤0．10wt％）形成主要为球霰石结构的产物外，一般都形成无定型CaCO3；使用CMC时，一般都形成方解石结构产物；与CMC相反，使用PSS为晶型控制剂时，得到的主要是球霰石结构产物，掺杂少量方解石结构产物。对晶型控制剂在沉淀反应中的作用机理进行了讨论。 展开更多
关键词 碳酸钙粒子 晶型控制剂 分散方式 粒子大小 形貌
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冷心放肩微量提拉法大尺寸蓝宝石单晶生长过程的模拟分析 被引量：11
4
作者 许承海 左洪波 +4 位作者 孟松鹤 姚泰 汪桂根 李长青 张明福 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期976-983,共8页
利用数值模拟方法计算了冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)蓝宝石晶体生长过程。结合晶体直径变化、裂纹出现位置与延续方向、晶体透明性等实验现象,通过与提拉法、温梯法、坩埚移动法等相对比,分析了冷心放肩微量提拉法晶体生长各阶段的工艺... 利用数值模拟方法计算了冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)蓝宝石晶体生长过程。结合晶体直径变化、裂纹出现位置与延续方向、晶体透明性等实验现象,通过与提拉法、温梯法、坩埚移动法等相对比,分析了冷心放肩微量提拉法晶体生长各阶段的工艺特点,并根据模拟计算结果对晶体生长系统和晶体生长控制工艺进行了改进。分别利用增大热交换器的散热参数、降低加热温度、改进降温曲线、调节外加轴向和径向温度梯度的方式来实现对晶体生长的引晶、放肩、等径和收尾控制。通过实验比较证明了改进后的晶体生长系统和晶体生长控制工艺能够生长出性能较好的大尺寸蓝宝石晶体。 展开更多
关键词 晶体生长 数值模拟 蓝宝石 冷心放肩微量提拉法
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磷石膏渣水热合成硫酸钙晶须的试验研究 被引量：11
5
作者 王舒州 陈德玉 +1 位作者 何玉龙 吴传龙 《非金属矿》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期4-7,共4页
利用工业废渣磷石膏作为主要原料,通过外掺少量纯天然石膏晶种形成复合体系,在聚四氟乙烯高压反应罐中采用水热压法合成硫酸钙晶须。运用控制变量法,研究了该复合体系在不同反应温度、反应时间、料浆质量分数、原料粒度条件下对合成的... 利用工业废渣磷石膏作为主要原料,通过外掺少量纯天然石膏晶种形成复合体系,在聚四氟乙烯高压反应罐中采用水热压法合成硫酸钙晶须。运用控制变量法,研究了该复合体系在不同反应温度、反应时间、料浆质量分数、原料粒度条件下对合成的硫酸钙晶须形貌的影响。分别采用激光粒度分布仪（LSPSDA）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的粒度分布、物相和形貌进行分析。结果表明：磷石膏水热合成硫酸钙晶须的最佳工艺条件为：反应温度135℃、反应时间4 h、料浆质量分数2.5%、原料粒度为45~80μm。采用氯化镁为晶型助长剂,在此条件下可制备出晶型均匀、平均长径比75、平均直径0.5μm半水硫酸钙晶须产品。 展开更多
关键词 磷石膏 硫酸钙晶须 晶型助长剂 水热合成法
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生长气氛和速度在金红石(TiO_2)单晶体生长中的作用研究(英文) 被引量：11
6
作者 毕孝国 修稚萌 +5 位作者 马伟民 孙旭东 赵洪生 郭国友 付杰 丁千 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期657-661,共5页
本文研究了生长气氛和生长速度在焰熔法金红石单晶体生长中的作用 ,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果 ,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率。研究表明 :金红石单晶体的生长受炉膛气氛、生长界面温度和生长速度的影响 ;炉膛气氛决... 本文研究了生长气氛和生长速度在焰熔法金红石单晶体生长中的作用 ,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果 ,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率。研究表明 :金红石单晶体的生长受炉膛气氛、生长界面温度和生长速度的影响 ;炉膛气氛决定晶体能否形成 ,是关键因素 ;炉膛气氛中的氧分压大于液固界面 (即生长界面 )处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件 ;晶体在退火过程中消除热应力 ,但更重要的是通过氧化反应消除氧空位 ,在氧气氛中退火 ,可明显缩短退火时间。在所优化的实验条件下制备的晶体 ,完整性较好 ,透过率为 70～ 72 % ,与商用晶体的透过率基本一致。 展开更多
关键词 生长气氛 生长速度 焰熔法 金红石单晶体 TiO2 氧化钛 摇摆曲线 透过率 晶体生长
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大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长 被引量：7
7
作者 陈之战 肖兵 +2 位作者 施尔畏 庄击勇 刘先才 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期685-690,共6页
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道... 报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级. 展开更多
关键词 6H-SIC 半导体 碳化硅单晶 晶体生长 PVT法 微管道
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高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测 被引量：7
8
作者 李奇峰 朱世富 +3 位作者 赵北君 蔡力 高德友 金应荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期157-160,共4页
报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范围内的红外... 报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 % ,截止吸收波长为 787.6 nm,带隙为 1.5 74 e V,室温电阻率达到 2× 10 1 0 Ω· cm ,已接近本征 Cd0 .8Zn0 .2 Te半导体的理论值 .用该晶体制作的核探测器在室温下对 2 4 1 Am和 1 0 9Cd放射源均有响应 ,并获得了比较好的 2 4 1 Am- 5 9.5 ke V吸收谱 .结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻 展开更多
关键词 单晶生长 性能观测 碲锌镉晶体
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微重力环境和外加磁场对晶体生长中杂质分凝的影响 被引量：7
9
作者 李凯 徐自亮 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 1999年第2期221-231,共11页
浮区结晶法是生长体单晶的重要方法之一．本文从理论和实验两方面综述了浮区结晶法中熔体内宏观场对体单晶中杂质分布均匀性影响的定性和定量研究，并从改善体单晶杂质分布均匀性的角度出发。
关键词 晶体生长 杂质分凝 微重力环境 外加磁场
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高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究 被引量：3
10
作者 陈淑芬 胡少勤 +1 位作者 赵鹏 冯杰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第6期19-23,共5页
对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ＿２Ｏ＿３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４多晶料。使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氢气中用提拉法以及合适的温场和... 对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ＿２Ｏ＿３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４多晶料。使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氢气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。 展开更多
关键词 镁铝尖晶石单晶 单晶生长 相图 中频感应 提拉法
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大尺寸Nd,Ce∶YAG激光晶体的生长及缺陷研究 被引量：7
11
作者 郭勇文 黄晋强 权纪亮 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第2期244-247,252,共5页
双掺Nd,Ce∶YAG晶体相比传统的Nd∶YAG具有输出能量高、激光振荡阈值低的优点。近几年高能效固体激光器的发展对大尺寸、高质量Nd,Ce∶YAG晶体的需求越来越大。采用提拉法生长大尺寸Nd,Ce∶YAG时,极易出现包裹物和开裂缺陷。本文通过理... 双掺Nd,Ce∶YAG晶体相比传统的Nd∶YAG具有输出能量高、激光振荡阈值低的优点。近几年高能效固体激光器的发展对大尺寸、高质量Nd,Ce∶YAG晶体的需求越来越大。采用提拉法生长大尺寸Nd,Ce∶YAG时,极易出现包裹物和开裂缺陷。本文通过理论与实践相结合的方式分析了晶体在生长过程中产生缺陷的原因,并提出了解决办法,成功生长出直径50 mm等径长150 mm的高质量Nd,Ce∶YAG单晶。本研究可为批量化生长大尺寸Nd,Ce∶YAG晶体的质量改进提供方向和指导。 展开更多
关键词 激光晶体 Nd Ce∶YAG 晶体生长 提拉法 大尺寸 晶体缺陷
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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
12
作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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碘化铅(PbI_2)单晶体的生长研究 被引量：7
13
作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 赵欣 杨晓龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页
本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、... 本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为 1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了 (001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作。 展开更多
关键词 碘化铅 单晶体 BRIDGMAN法 衍射谱 X射线衍射分析 气相 单质 原料 多晶 安瓿
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溶液法生长大尺寸CsCu_(2)I_(3)钙钛矿单晶及其光学性能研究
14
作者 凌昊 徐乐 +5 位作者 陈思贤 唐远之 孙海滨 郭学 冯玉润 胡强强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1121-1126,共6页
近年来,铜基钙钛矿因其出色的稳定性和环境友好性在发光和闪烁等领域受到了广泛关注。然而,目前对CsCu_(2)I_(3)晶体材料的研究主要集中在0维和1维领域,这限制了人们对材料本征性质和各向异性的深入理解,也限制了其在闪烁体中的实际应... 近年来,铜基钙钛矿因其出色的稳定性和环境友好性在发光和闪烁等领域受到了广泛关注。然而,目前对CsCu_(2)I_(3)晶体材料的研究主要集中在0维和1维领域,这限制了人们对材料本征性质和各向异性的深入理解,也限制了其在闪烁体中的实际应用。本文通过溶液降温法开展了CsCu_(2)I_(3)体块单晶的生长工艺研究,成功得到了长度达5 mm的高质量CsCu_(2)I_(3)单晶,该晶体无色透明、棱角分明、显露面完整。XRD测试结果表明,CsCu_(2)I_(3)晶体在经过6个月后依然保持了良好的稳定性;吸收光谱显示该晶体在310 nm波段具有明显的吸收峰,计算得到其禁带宽度为3.42 eV,表明CsCu_(2)I_(3)晶体属于宽禁带半导体;发射光谱显示该晶体发射波长位于580 nm处,半峰全宽为75 nm,绘制CIE色度图得到其发光色度坐标为(0.47,0.50),位于黄光区域,属于暖白色调(色温3000 K),这与该晶体在紫外灯照射下发出黄色荧光的现象一致;CsCu_(2)I_(3)晶体的荧光寿命测得为51.6和215.5 ns。 展开更多
关键词 CsCu_(2)I_(3) 晶体生长 溶液法 体块单晶 光学性能
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Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
15
作者 刘甜甜 怀俊彦 +4 位作者 王书杰 顾占彪 张文雅 史艳磊 邵会民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期597-608,共12页
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述... 作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。 展开更多
关键词 氮化镓 体单晶 位错 晶体生长 钠助熔剂法
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CsPbBr_(3)晶体生长及变温霍尔效应研究
16
作者 王杰 金致远 +3 位作者 彭静 张绍卿 黄巍 何知宇 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5101-5105,5113,共6页
以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现... 以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现,晶片的晶面方向属{210}晶面族,晶体中Cs、Pb、Br_(3)种元素分布均匀,原子百分含量符合化学计量比。采用傅里叶红外光谱仪和紫外-可见分光光度计对晶体的透过率测试显示,生长晶体在500~4000 cm^(-1)波数范围内的红外透过率超过75%,紫外短波截止边为552 nm,拟合计算出对应的禁带宽度为2.246 eV。选取7个不同温度点对CsPbBr_(3)单晶进行变温霍尔效应测试发现,生长晶体为P型导电,在250~300 K和300~350 K之间晶体中主要的载流子散射机制分别为声学波散射和电离杂质散射,在150~250 K温度范围内,更符合多种散射机构共同作用的散射机制。进一步拟合载流子浓度p与1/T的关系,计算获得晶体中杂质电离能ΔE_(A)=0.3042 eV。 展开更多
关键词 晶体生长 CsPbBr_(3)单晶 垂直布里奇曼法 变温霍尔 散射机制
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Nd∶YAG晶体生长过程中熔体液流速度场的数值模拟 被引量：3
17
作者 苏伟 钟景昌 +3 位作者 张丽波 李林 赵英杰 岑学员 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期85-89,共5页
采用有限差分法对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求... 采用有限差分法对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体中液流速度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对液流速度场变化的影响。 展开更多
关键词 晶体生长 YAG晶体 钕掺杂 速度场 数值模拟 有限差分法 液流速度场 有限差分法 方程离散化 晶体转速
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正钒酸钙晶体的生长及退火的研究 被引量：2
18
作者 赵志伟 姜彦岛 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期34-37,共4页
本文报道了Ca3(VO4 ) 2 晶体的生长 ,指出了由于局部区域温度过高引起原料分解产生气泡 ,光加热浮动熔区法不适合于生长这种晶体。采用了Czochralski法在合适的温场、提拉速度为 3mm/h、转速 10～ 2 0r/min等工艺条件下成功地长出了2 ... 本文报道了Ca3(VO4 ) 2 晶体的生长 ,指出了由于局部区域温度过高引起原料分解产生气泡 ,光加热浮动熔区法不适合于生长这种晶体。采用了Czochralski法在合适的温场、提拉速度为 3mm/h、转速 10～ 2 0r/min等工艺条件下成功地长出了2 4× 38mm的晶体。 展开更多
关键词 正钒酸钙晶体 晶体生长 提拉法 退火
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基于溶液法制备卤化铅钙钛矿的直接型辐射探测器研究进展
19
作者 秦峰 吴金杰 +4 位作者 邓宁勤 焦志伟 朱伟峰 汤显强 赵瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期554-571,共18页
X射线和γ射线探测在医学成像、安防检查、国土安全、无损检测等各个领域得到广泛应用,钙钛矿材料具有高辐射吸收系数、高载流子迁移率-寿命乘积、特殊的缺陷容忍特性而成为辐射探测器件优异的候选材料。溶液法在制备钙钛矿材料方面具... X射线和γ射线探测在医学成像、安防检查、国土安全、无损检测等各个领域得到广泛应用,钙钛矿材料具有高辐射吸收系数、高载流子迁移率-寿命乘积、特殊的缺陷容忍特性而成为辐射探测器件优异的候选材料。溶液法在制备钙钛矿材料方面具有显著的优势,溶液法的成本较低,能在低温或环境条件下制备,更易推行工业化生产,是未来优化材料体系,制备高质量、大尺寸晶体材料的关键技术。本文从溶液法制备卤化铅钙钛矿材料的角度出发,分析晶体生长及材料组成对辐射探测性能的影响,重点介绍从优化晶体生长质量和器件结构设计等方面提升辐射探测性能,最后总结钙钛矿材料在辐射探测领域面临的挑战,并展望了未来研究的发展方向,期望为钙钛矿材料在辐射探测领域走向工业化提供参考。 展开更多
关键词 晶体生长 卤化铅钙钛矿 溶液法 半导体器件 辐射探测器
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材料多尺度结晶研究进展 被引量：5
20
作者 胡家乐 王汇霖 +1 位作者 梁晰童 薛冬峰 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期650-666,共17页
材料是物理性能的产生及能量相互转换的重要载体,材料结晶是新材料创制的核心和探索的前沿方向.多尺度材料结晶是相关领域研究人员共同面临的科学问题.材料结晶模型是以相图为基础,确定材料的组成与相关物理化学参数,结合材料结晶理论... 材料是物理性能的产生及能量相互转换的重要载体,材料结晶是新材料创制的核心和探索的前沿方向.多尺度材料结晶是相关领域研究人员共同面临的科学问题.材料结晶模型是以相图为基础,确定材料的组成与相关物理化学参数,结合材料结晶理论和生长方法共同构建材料结晶.本文综述了从成核到生长的主要理论与部分材料结晶生长方法,指出材料结晶研究向着多尺度、多因素、定量化的方向发展.材料结晶设备向着自动化、数字化、智能化方向发展.材料结晶研究了多尺度的相演变过程,包含从成核到生长的质量与能量传递过程,需要多学科交叉领域的协同发展. 展开更多
关键词 材料结晶 结晶理论 生长方法 生长设备
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