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S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计
被引量:
5
1
作者
邹浩
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第5期730-737,共8页
为了解决F类和逆F类(F-1类)功率放大器设计过程中受晶体管寄生参数影响,导致功放效率低以及输出匹配电路结构复杂的问题,提出了一种新型的输出匹配电路结构.首先,在直流偏置线中加入谐波调谐功能,避免单独设计谐波控制电路;其次,为满足...
为了解决F类和逆F类(F-1类)功率放大器设计过程中受晶体管寄生参数影响,导致功放效率低以及输出匹配电路结构复杂的问题,提出了一种新型的输出匹配电路结构.首先,在直流偏置线中加入谐波调谐功能,避免单独设计谐波控制电路;其次,为满足F类和F-1类功放在器件本征漏极端所需的阻抗状态,匹配寄生参数呈现的封装端谐波阻抗,采用一段L型传输线结构代替传统的L-C集总元件寄生补偿方法;最后,由两段串联的传输线实现最优基波阻抗与50Ω负载间的匹配.为验证方法的有效性,采用CGH40010氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)器件,设计并加工了两款工作在2.4 GHz的F类和F-1类功放.测试结果显示:F类功放的峰值功率附加效率(power added efficiency,PAE)为75.5%,饱和输出功率为40.8 dBm;F-1类功放的峰值PAE为77.6%,饱和输出功率为40.3 dBm.该方法降低了电路复杂度和设计难度,可以较容易地补偿晶体管寄生参数,功放在高频工作时的效率得到提升,为利用GaN HEMT器件设计高效功放提供了一种可行的方案.
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关键词
功率放大器
高效率
f
类
逆
f
类
GaN
HEMT
功率附加效率(PAE)
下载PDF
职称材料
测量审核的实施方法及满意度评定
被引量:
12
2
作者
刘颖
薛靓
《中国测试》
CAS
北大核心
2012年第S1期107-110,共4页
针对在质量计量工作中常用作实验室能力验证的测量审核工作,具体介绍该工作的实施过程,并以测量F1等级砝码的折算质量修正值为实例,详细分析砝码测量审核的数据处理过程,采用En值评定、CD值评定和Z值评定3种方法判定测量结果的满意度,...
针对在质量计量工作中常用作实验室能力验证的测量审核工作,具体介绍该工作的实施过程,并以测量F1等级砝码的折算质量修正值为实例,详细分析砝码测量审核的数据处理过程,采用En值评定、CD值评定和Z值评定3种方法判定测量结果的满意度,从而验证申请实验室的检测和校准能力,确保质量量值传递的准确性。
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关键词
质量计量
实验室能力验证
测量审核
f
1
等级砝码
数据处理
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职称材料
C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器
3
作者
张盼盼
王德勇
+3 位作者
张金灿
王金婵
刘敏
刘博
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第6期961-966,共6页
为了解决晶体管寄生参数对逆F(F^(-1))类功率放大器效率的影响,采用了一种新型的输出谐波控制结构。首先,设计二次和三次谐波控制电路,同时将直流偏置电路加入二次谐波控制电路,降低了电路设计的复杂度。其次,为了解决寄生参数对F^(-1)...
为了解决晶体管寄生参数对逆F(F^(-1))类功率放大器效率的影响,采用了一种新型的输出谐波控制结构。首先,设计二次和三次谐波控制电路,同时将直流偏置电路加入二次谐波控制电路,降低了电路设计的复杂度。其次,为了解决寄生参数对F^(-1)类功放本征漏极端阻抗的影响,采用一段串行微带线进行寄生补偿。最后,通过微带线和电容进行基波和负载之间的匹配。为验证方法的有效性,采用0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺,设计了一款工作在5.7 GHz~6.3 GHz的F^(-1)类微波集成电路功放。版图后仿真结果显示,F^(-1)类功放的漏极效率DE为57.2%~62.3%,功率附加效率PAE为51.8%~57.4%,饱和输出功率为39.0 dBm~40.4 dBm,增益为9.0 dBm~10.4 dBm。版图面积为3.2×1.7 mm^(2)。
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关键词
逆
f
类
GaN
HEMT
MMIC
功率附加效率
下载PDF
职称材料
基于逆F类的非对称Doherty功率放大器设计
4
作者
黄梦良
刘宇希
黄少凯
《无线通信技术》
2023年第4期28-33,共6页
随着5G时代的到来,大容量、高速率通信使得信号具有很高的峰均比。本文设计了一款工作在n78频段的大回退、高效率的逆F类(F^(-1))非对称Doherty功率放大器。在载波功放、峰值功放的负载牵引中加入F^(-1)类谐波抑制网络,使其成为具有高...
随着5G时代的到来,大容量、高速率通信使得信号具有很高的峰均比。本文设计了一款工作在n78频段的大回退、高效率的逆F类(F^(-1))非对称Doherty功率放大器。在载波功放、峰值功放的负载牵引中加入F^(-1)类谐波抑制网络,使其成为具有高效率的F^(-1)类功放,并且将载波功放后的阻抗逆变器改变为多阻抗匹配网络以提高回退过程中的效率。仿真结果表明在3.4-3.6GHz频段内,F^(-1)类非对称DPA饱和输出功率在41dBm左右,饱和平均效率大于70%,回退6dB时平均效率在50%以上,回退9.5dB时平均效率仍在43%以上。
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关键词
功率放大器
大回退
高效率
非对称Doherty
逆
f
类
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职称材料
题名
S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计
被引量:
5
1
作者
邹浩
机构
天津大学
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第5期730-737,共8页
文摘
为了解决F类和逆F类(F-1类)功率放大器设计过程中受晶体管寄生参数影响,导致功放效率低以及输出匹配电路结构复杂的问题,提出了一种新型的输出匹配电路结构.首先,在直流偏置线中加入谐波调谐功能,避免单独设计谐波控制电路;其次,为满足F类和F-1类功放在器件本征漏极端所需的阻抗状态,匹配寄生参数呈现的封装端谐波阻抗,采用一段L型传输线结构代替传统的L-C集总元件寄生补偿方法;最后,由两段串联的传输线实现最优基波阻抗与50Ω负载间的匹配.为验证方法的有效性,采用CGH40010氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)器件,设计并加工了两款工作在2.4 GHz的F类和F-1类功放.测试结果显示:F类功放的峰值功率附加效率(power added efficiency,PAE)为75.5%,饱和输出功率为40.8 dBm;F-1类功放的峰值PAE为77.6%,饱和输出功率为40.3 dBm.该方法降低了电路复杂度和设计难度,可以较容易地补偿晶体管寄生参数,功放在高频工作时的效率得到提升,为利用GaN HEMT器件设计高效功放提供了一种可行的方案.
关键词
功率放大器
高效率
f
类
逆
f
类
GaN
HEMT
功率附加效率(PAE)
Keywords
power ampli
f
ier
high-e
f
f
iciency
class
-
f
class
-
f
-1
GaN HEMT
power added e
f
f
iciency
分类号
TN722.5 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
测量审核的实施方法及满意度评定
被引量:
12
2
作者
刘颖
薛靓
机构
中国测试技术研究院
出处
《中国测试》
CAS
北大核心
2012年第S1期107-110,共4页
文摘
针对在质量计量工作中常用作实验室能力验证的测量审核工作,具体介绍该工作的实施过程,并以测量F1等级砝码的折算质量修正值为实例,详细分析砝码测量审核的数据处理过程,采用En值评定、CD值评定和Z值评定3种方法判定测量结果的满意度,从而验证申请实验室的检测和校准能力,确保质量量值传递的准确性。
关键词
质量计量
实验室能力验证
测量审核
f
1
等级砝码
数据处理
Keywords
quality measurement
laboratory pro
f
iciency testing
measurement audit
weight o
f
class
f
1
data processing
分类号
TB [一般工业技术]
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职称材料
题名
C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器
3
作者
张盼盼
王德勇
张金灿
王金婵
刘敏
刘博
机构
河南科技大学电气工程学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第6期961-966,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61804046,61704049)
河南省科技攻关项目(212102210286)
文摘
为了解决晶体管寄生参数对逆F(F^(-1))类功率放大器效率的影响,采用了一种新型的输出谐波控制结构。首先,设计二次和三次谐波控制电路,同时将直流偏置电路加入二次谐波控制电路,降低了电路设计的复杂度。其次,为了解决寄生参数对F^(-1)类功放本征漏极端阻抗的影响,采用一段串行微带线进行寄生补偿。最后,通过微带线和电容进行基波和负载之间的匹配。为验证方法的有效性,采用0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺,设计了一款工作在5.7 GHz~6.3 GHz的F^(-1)类微波集成电路功放。版图后仿真结果显示,F^(-1)类功放的漏极效率DE为57.2%~62.3%,功率附加效率PAE为51.8%~57.4%,饱和输出功率为39.0 dBm~40.4 dBm,增益为9.0 dBm~10.4 dBm。版图面积为3.2×1.7 mm^(2)。
关键词
逆
f
类
GaN
HEMT
MMIC
功率附加效率
Keywords
inverse
class
f
(
f
-1)
GaN HEMT
MMIC
PAE
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.75
下载PDF
职称材料
题名
基于逆F类的非对称Doherty功率放大器设计
4
作者
黄梦良
刘宇希
黄少凯
机构
宁波大学信息科学与工程学院
出处
《无线通信技术》
2023年第4期28-33,共6页
基金
国家自然科学基金(U1809203,62071264)
毫米波国家重点实验室开放课题(K202211)。
文摘
随着5G时代的到来,大容量、高速率通信使得信号具有很高的峰均比。本文设计了一款工作在n78频段的大回退、高效率的逆F类(F^(-1))非对称Doherty功率放大器。在载波功放、峰值功放的负载牵引中加入F^(-1)类谐波抑制网络,使其成为具有高效率的F^(-1)类功放,并且将载波功放后的阻抗逆变器改变为多阻抗匹配网络以提高回退过程中的效率。仿真结果表明在3.4-3.6GHz频段内,F^(-1)类非对称DPA饱和输出功率在41dBm左右,饱和平均效率大于70%,回退6dB时平均效率在50%以上,回退9.5dB时平均效率仍在43%以上。
关键词
功率放大器
大回退
高效率
非对称Doherty
逆
f
类
Keywords
power ampli
f
ier
large backo
f
f
high e
f
f
iciency
asymmetric Doherty
class
f
^(-1)
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计
邹浩
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2020
5
下载PDF
职称材料
2
测量审核的实施方法及满意度评定
刘颖
薛靓
《中国测试》
CAS
北大核心
2012
12
下载PDF
职称材料
3
C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器
张盼盼
王德勇
张金灿
王金婵
刘敏
刘博
《微电子学》
CAS
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
4
基于逆F类的非对称Doherty功率放大器设计
黄梦良
刘宇希
黄少凯
《无线通信技术》
2023
0
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职称材料
已选择
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