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非晶Ge-S半导体薄膜的研制
1
作者
朱尧江
姜节俭
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期368-373,共6页
我们用高温熔融和空气中碎火的方法制取了非晶 Ge-S 块状材料,又以该材料为蒸发源材料,用热蒸发方法制备非晶 Ge-S 薄膜。对不同配方比的薄膜进行了光、电性能测试并分析和讨论了测试结果,得出了光学禁带宽度与硫含量的关系。
关键词
非晶态
半导体
薄膜
Ge-S
下载PDF
职称材料
题名
非晶Ge-S半导体薄膜的研制
1
作者
朱尧江
姜节俭
机构
电子科技大学材料科学与工程系
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期368-373,共6页
文摘
我们用高温熔融和空气中碎火的方法制取了非晶 Ge-S 块状材料,又以该材料为蒸发源材料,用热蒸发方法制备非晶 Ge-S 薄膜。对不同配方比的薄膜进行了光、电性能测试并分析和讨论了测试结果,得出了光学禁带宽度与硫含量的关系。
关键词
非晶态
半导体
薄膜
Ge-S
Keywords
amorphous
semiconductor
chalcogenide
glass
semiconductor
localized
state
width
of
optical
forbidden
band
optical
absorption
coefficient
分类号
TN304.81 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶Ge-S半导体薄膜的研制
朱尧江
姜节俭
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
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