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Raman tensor of AlN bulk single crystal 被引量:10
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作者 Wei Zheng Ruisheng Zheng +2 位作者 Feng Huang Honglei Wu Fadi Li 《Photonics Research》 SCIE EI 2015年第2期38-43,共6页
The angle dependence of optical phonon modes of an AlN bulk single crystal from the m-plane(1100) and c-plane(0001) surfaces, respectively, is investigated by polarized Raman spectroscopy in a backscattering confi... The angle dependence of optical phonon modes of an AlN bulk single crystal from the m-plane(1100) and c-plane(0001) surfaces, respectively, is investigated by polarized Raman spectroscopy in a backscattering configuration at room temperature. Corresponding Raman selection rules are derived according to measured scattering geometries to illustrate the angle dependence. The angle-dependent intensities of phonon modes are discussed and compared to theoretical scattering intensities, yielding the Raman tensor elements of A1(TO), E22, E1(TO), and A1(LO) phonon modes and the relative phase difference between the two complex elements of A1(TO). Furthermore, the Raman tensor of wurtzite AlN is compared with that of wurtzite ZnO reported in previous work, revealing the intrinsic differences of lattice vibration dynamics between AlN and ZnO. 展开更多
关键词 MODE Raman tensor of AlN bulk single crystal ALN
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Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
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作者 刘甜甜 怀俊彦 +4 位作者 王书杰 顾占彪 张文雅 史艳磊 邵会民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期597-608,共12页
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述... 作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。 展开更多
关键词 氮化镓 体单晶 位错 晶体生长 钠助熔剂法
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溶液法生长大尺寸CsCu_(2)I_(3)钙钛矿单晶及其光学性能研究
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作者 凌昊 徐乐 +5 位作者 陈思贤 唐远之 孙海滨 郭学 冯玉润 胡强强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1121-1126,共6页
近年来,铜基钙钛矿因其出色的稳定性和环境友好性在发光和闪烁等领域受到了广泛关注。然而,目前对CsCu_(2)I_(3)晶体材料的研究主要集中在0维和1维领域,这限制了人们对材料本征性质和各向异性的深入理解,也限制了其在闪烁体中的实际应... 近年来,铜基钙钛矿因其出色的稳定性和环境友好性在发光和闪烁等领域受到了广泛关注。然而,目前对CsCu_(2)I_(3)晶体材料的研究主要集中在0维和1维领域,这限制了人们对材料本征性质和各向异性的深入理解,也限制了其在闪烁体中的实际应用。本文通过溶液降温法开展了CsCu_(2)I_(3)体块单晶的生长工艺研究,成功得到了长度达5 mm的高质量CsCu_(2)I_(3)单晶,该晶体无色透明、棱角分明、显露面完整。XRD测试结果表明,CsCu_(2)I_(3)晶体在经过6个月后依然保持了良好的稳定性;吸收光谱显示该晶体在310 nm波段具有明显的吸收峰,计算得到其禁带宽度为3.42 eV,表明CsCu_(2)I_(3)晶体属于宽禁带半导体;发射光谱显示该晶体发射波长位于580 nm处,半峰全宽为75 nm,绘制CIE色度图得到其发光色度坐标为(0.47,0.50),位于黄光区域,属于暖白色调(色温3000 K),这与该晶体在紫外灯照射下发出黄色荧光的现象一致;CsCu_(2)I_(3)晶体的荧光寿命测得为51.6和215.5 ns。 展开更多
关键词 CsCu_(2)I_(3) 晶体生长 溶液法 体块单晶 光学性能
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ZnSe体单晶生长技术 被引量:3
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作者 李焕勇 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期7-10,共4页
简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质... 简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质量大尺寸ZnSe单晶十分重要。分析了不同方法的工艺与相应ZnSe单晶研究现状及发展趋势。 展开更多
关键词 熔体生长 气相生长 体单晶生长技术 ZnSe晶体 硒化锌 半导体 溶液生长
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Review of solution growth techniques for 4H-SiC single crystal 被引量:1
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作者 Gang-qiang Liang Hao Qian +3 位作者 Yi-lin Su Lin Shi Qiang Li Yuan Liu 《China Foundry》 SCIE CAS CSCD 2023年第2期159-178,共20页
Silicon carbide(SiC),a group IV compound and wide-bandgap semiconductor for high-power,high-frequency and high-temperature devices,demonstrates excellent inherent properties for power devices and specialized high-end ... Silicon carbide(SiC),a group IV compound and wide-bandgap semiconductor for high-power,high-frequency and high-temperature devices,demonstrates excellent inherent properties for power devices and specialized high-end markets.Solution growth is thermodynamically favorable for producing SiC single crystal ingots with ultra-low dislocation density as the crystallization is driven by the supersaturation of carbon dissolved in Si-metal solvents.Meanwhile,solution growth is conducive to the growth of both N-and P-type SiC,with doping concentrations ranging from 10^(14)to 10^(19)cm^(-3).To date,4-inch 4H-SiC substrates with a thickness of 15 mm produced by solution growth have been unveiled,while substrates of 6 inches and above are still under development.Based on top-seeded solution growth(TSSG),several growth techniques have been developed including solution growth on a concave surface(SGCS),melt-back,accelerated crucible rotation technique(ACRT),two-step growth,and facet growth.Multi-parameters of the solution growth including meniscus,solvent design,flow control,dislocation conversion,facet growth,and structures of graphite components make high-quality single crystal growth possible.In this paper,the solution growth techniques and corresponding parameters involved in SiC bulk growth were reviewed. 展开更多
关键词 wide-bandgap semiconductor silicon carbide bulk growth of single crystal process parameters
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Solution and Solid-Phase Growth of Bulk Halide Perovskite Single Crystals 被引量:3
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作者 Chao Zhang Xiaolin Liu +1 位作者 Jing Chen Jia Lin 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2021年第5期1353-1363,共11页
Perovskite is a magic material with a structure similar to calcium titanate(CaTi03).Among perovskite materials,halide perovskite has gained considerable attention owing to its superior semiconducting properties such a... Perovskite is a magic material with a structure similar to calcium titanate(CaTi03).Among perovskite materials,halide perovskite has gained considerable attention owing to its superior semiconducting properties such as direct band gap and relatively small effective mass of electrons and holes.In recent years,the power conversion efficiency of halide perovskite solar cells has been continuously refreshed.The growth of bulk halide perovskite single crystals(PSCs)has become crucial to the investigation of their intrinsic properties.In the entire preparation process,the growth method generally plays a significant role,which determines the quality and size of the target PSCs.In this review,we summarized the existing mainstream synthetic methods for growing bulk PSCs including solution and solid-phase methods.We discussed the characteristics of these methods and the influence of the growth parameters on the quality and size of the resulting PSCs.Moreover,we briefly introduce the applications of PSCs as semiconductors in photodetectors and gas sensors.Understanding the growth behaviors of PSCs is insightful for future research on their synthesis and applications. 展开更多
关键词 Halide perovskite bulk single crystal crystal growth Synthetic methods Semiconductors
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掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究
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作者 牛新环 张维连 +1 位作者 吕海涛 蒋中伟 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第1期1-5,共5页
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60~0.65.
关键词 直拉法 硅锗单晶 杂质分布 分凝系数 晶体生长
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PVT法生长大尺寸CdS单晶
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作者 张颖武 《河南科技》 2015年第4期137-139,共3页
硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。
关键词 CD S 大尺寸 单晶 PVT法
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GaN基异质外延生长的ZnO单晶电输运特性研究
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作者 钟昌杰 樊龙 +5 位作者 彭丽萍 曹林洪 王雪敏 刘振华 熊政伟 吴卫东 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期989-995,共7页
报道了一种新方法生长的ZnO单晶的电输运特性,利用该方法在GaN外延膜表面生长了尺寸为25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO单晶块。通过研究ZnO单晶不同深度处的电输运特性,判断了ZnO单晶内部不同位置的结晶质量。以GaN表面为起始面,沿[... 报道了一种新方法生长的ZnO单晶的电输运特性,利用该方法在GaN外延膜表面生长了尺寸为25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO单晶块。通过研究ZnO单晶不同深度处的电输运特性,判断了ZnO单晶内部不同位置的结晶质量。以GaN表面为起始面,沿[0002]方向,随着距GaN表面距离的增加,常温下的ZnO单晶载流子浓度从1.28×10^19降到4.00×10^17 cm^-3,载流子迁移率从64.9升至144 cm^2/(V·s),电阻率从7.53×10^-3升至1.09×10^-1Ω·cm。位错密度计算结果表明,随着远离GaN衬底,晶体内位错密度逐渐减少,二次离子质谱测试结果中,Ga+等杂质含量随着远离GaN衬底逐渐减少,在距离GaN表面约4 mm以后,主要杂质含量明显降低。由此表明,采用价格相对较低的GaN衬底可以获得较大尺寸,品质较好的ZnO单晶。 展开更多
关键词 ZnO生长 块体单晶 真空气相输运 异质外延
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SiGe体单晶的研究进展 被引量:6
10
作者 苏宇欢 《半导体情报》 1999年第6期27-30,共4页
综述了近年来SiGe体单晶在材料特性、生长方法及应用方面的研究进展,
关键词 体单晶 生长 锗化硅 半导体材料
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钙钛矿单晶的合成研究进展 被引量:3
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作者 张汉宏 叶帅 张帆 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2389-2397,共9页
钙钛矿材料优异的光电性能使钙钛矿太阳能电池成为目前发展速度最快的光伏技术之一。近期的研究发现无晶界的单晶钙钛矿薄膜拥有更低的缺陷密度、更高的载流子迁移率、更长的载流子复合寿命,并且还有较高的稳定性和更宽的光吸收范围,因... 钙钛矿材料优异的光电性能使钙钛矿太阳能电池成为目前发展速度最快的光伏技术之一。近期的研究发现无晶界的单晶钙钛矿薄膜拥有更低的缺陷密度、更高的载流子迁移率、更长的载流子复合寿命,并且还有较高的稳定性和更宽的光吸收范围,因此有望制备出更高效且更稳定的钙钛矿太阳能电池。本文简要介绍了单晶钙钛矿太阳电池的基本结构及其发展历程,着重介绍了有关单晶钙钛矿薄膜和块状单晶钙钛矿的制备方法,并且对不同方法制备的单晶钙钛矿太阳能电池的效率进行了比较,最后对单晶钙钛矿太阳能电池当前存在的问题以及未来发展进行了简要分析和展望。 展开更多
关键词 单晶钙钛矿 钙钛矿太阳能电池 单晶钙钛矿薄膜 块状单晶钙钛矿 制备方法
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Studies on the growth aspects of organic L-alanine maleate: a promising nonlinear optical crystal
12
作者 D. Balasubramanian R. Jayavel P. Murugakoothan 《Natural Science》 2009年第3期216-221,共6页
A organic nonlinear optical material, L-alanine maleate (LALM) was synthesized. Bulk Single crystals of LALM have been grown by slow cooling method with a solution pH of 5. The solubility of L-alanine maleate has been... A organic nonlinear optical material, L-alanine maleate (LALM) was synthesized. Bulk Single crystals of LALM have been grown by slow cooling method with a solution pH of 5. The solubility of L-alanine maleate has been deter-mined for various temperatures. Large size sin-gle crystal of 2.0 x 1.2 x 0.8 cm3 has been grown with reasonable growth rate along the three crystallographic directions by optimizing the growth parameters. The structure of LALM crys- tal was studied by single-crystal X-ray diffrac-tion analysis. The presence of functional groups was confirmed by Fourier transform infrared spectroscopy. The LALM crystal was analysed for its thermal and mechanical behaviours. The grown crystals have also been subjected to linear and non-linear optical property studies. From these studies, it is inferred that the LALM crystals exhibit better thermal and mechanical stabilities with improved optical properties. Thus satisfies the essential requirements for optical device fabrication. 展开更多
关键词 ORGANIC LALM crystal Growth bulk single crystalS NON-LINEAR Optical crystal
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RDX单晶的生长诱导位错表征 被引量:1
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作者 周小清 李洪珍 +2 位作者 徐容 王述存 黄明 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期301-305,共5页
采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆... 采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35 arcsec,45.31 arcsec和77.92 arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快;(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性。 展开更多
关键词 有机化学 RDX大单晶 摇摆曲线 生长诱导位错
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钆镓石榴石(GGG)体单晶的研究状况
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作者 苏宇欢 《热固性树脂》 CAS CSCD 1999年第4期109-110,共2页
本文综述了GGG体单晶在材料特性及应用方面的研究状况,并展望了该材料的发展前景。
关键词 单晶 材料 钆镓石榴石 半导体材料
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GaSb体单晶的研究现状与展望 被引量:1
15
作者 苏宇欢 《热固性树脂》 CAS CSCD 1999年第4期111-113,共3页
本文就GaSb体单晶的材料特性和国内外研究现状展开论述,最后展望了该材料的发展前景。
关键词 单晶 材料 现状 远景 半导体材料 锑化镓
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锯屑天然模板辅助合成单晶NiO及其性能研究 被引量:1
16
作者 曹艳霞 龚良玉 +1 位作者 张君涛 赵书华 《应用化工》 CAS CSCD 2008年第7期777-779,783,共4页
以锯屑为模板,结合溶胶-凝胶法对模板进行填充,得到模板-溶胶体系,干燥后转变为模板-凝胶体系,再于马弗炉中600℃热分解并脱除模板6 h后,得黑色NiO样品。进一步借助X-射线衍射测试以及透射电镜测试对所得样品的晶型和形貌大小进行了表征... 以锯屑为模板,结合溶胶-凝胶法对模板进行填充,得到模板-溶胶体系,干燥后转变为模板-凝胶体系,再于马弗炉中600℃热分解并脱除模板6 h后,得黑色NiO样品。进一步借助X-射线衍射测试以及透射电镜测试对所得样品的晶型和形貌大小进行了表征,并借助循环伏安测试对所得样品的电化学性能做了初步探讨。X-射线衍射测试结果证实所得样品为NiO,透射电镜测试结果表明,所得NiO为规则的块状单晶结构,平均粒径约2μm左右。电化学测试结果表明,所得块状NiO具有明显的赝电容性能。 展开更多
关键词 块状单晶NiO 锯屑模板 赝电容性能
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掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性 被引量:1
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作者 张维连 牛新环 +2 位作者 吕海涛 张恩怀 孙军生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期792-796,共5页
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高... 用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高,此峰越明显。该峰可能是由于Ge-C或Si-Ce-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰。 展开更多
关键词 半导体材料 硅锗体单晶 红外光谱特性 FTIR谱图
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单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究 被引量:1
18
作者 简珂 帅垚 +4 位作者 田本朗 白晓园 罗文博 吴传贵 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期448-452,共5页
采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行... 采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70^-90)×10^-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10^-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。 展开更多
关键词 体声波谐振器 离子注入剥离法 铌酸锂单晶薄膜 固态声反射结构 机电耦合系数 频率温度系数
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高压下Td-WTe_2单晶体材料的拉曼光谱研究 被引量:1
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作者 李东飞 张可为 +4 位作者 里佐威 刘承志 郭瑞 孙成林 李海波 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期369-374,共6页
采用入射方向平行于晶体c轴的532nm激光作为激发光源,测量了Td-WTe2单晶体材料在0~17.0GPa压力下的拉曼光谱,并结合第一性原理计算,对常温常压下Td-WTe2单晶体材料的拉曼振动模式进行了分析。实验结果表明:随着压力的增加,层间振动模... 采用入射方向平行于晶体c轴的532nm激光作为激发光源,测量了Td-WTe2单晶体材料在0~17.0GPa压力下的拉曼光谱,并结合第一性原理计算,对常温常压下Td-WTe2单晶体材料的拉曼振动模式进行了分析。实验结果表明:随着压力的增加,层间振动模式对应的拉曼峰峰位随压力移动的速度比层内振动模式快,即压力对层间振动模式的影响强于层内振动模式;位于79.0cm-1的拉曼峰归属为层间振动模式,与其他层间振动模式不同,其受压力的影响是所有振动模式中最弱的。最后,分析并讨论了压力对Td-WTe2单晶体材料的层间和层内振动模式的影响。 展开更多
关键词 拉曼光谱 高压 Td-WTe2单晶体材料 振动模式
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