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纯B_4C和掺碳B_4C的烧结机制 被引量：13
1
作者 尹邦跃 王零森 方寅初 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期68-71,共4页
研究了中位粒径为 0 .42 μm的纯B4C和掺碳B4C粉末的烧结致密化过程 .根据烧结温度和保温时间对线收缩率的影响 ,得出了它们的烧结动力学方程 ;由特征指数n值对比研究了它们的烧结致密化机制 .纯B4C的烧结致密化机制为体扩散和晶界扩散 ... 研究了中位粒径为 0 .42 μm的纯B4C和掺碳B4C粉末的烧结致密化过程 .根据烧结温度和保温时间对线收缩率的影响 ,得出了它们的烧结动力学方程 ;由特征指数n值对比研究了它们的烧结致密化机制 .纯B4C的烧结致密化机制为体扩散和晶界扩散 ,而掺碳B4C的烧结机制主要为晶界扩散 ,因此 ,掺碳对B4C起到了活化烧结的作用 .在 2 160℃烧结 45min ,掺碳B4C烧结后相对密度大于 90 % .掺入的碳除了固溶于B4C晶格中之外 ,其它均以游离石墨形式存在 ,不形成新相 .掺碳还导致B4C晶粒尺寸大大减小 . 展开更多
关键词 碳化硼 烧结动力学 烧结机制 活化烧结
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γ-Fe中硼的扩散机制 被引量：8
2
作者 余宗森 陈宁 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期A104-A108,共5页
实验结果表明,硼在γ—Fe中的扩散系数相当于间隙原子的扩散系数,故一般认为硼是以间隙方式扩散,但本文计算结果表明:硼在γ—Fe中,主要是以硼—空位复合体方式扩散,其扩散系数与实验值非常接近,而且γ—Fe/B晶界的非平衡偏聚和Fe—B系... 实验结果表明,硼在γ—Fe中的扩散系数相当于间隙原子的扩散系数,故一般认为硼是以间隙方式扩散,但本文计算结果表明:硼在γ—Fe中,主要是以硼—空位复合体方式扩散,其扩散系数与实验值非常接近,而且γ—Fe/B晶界的非平衡偏聚和Fe—B系晶格常数测量结果支持了本文的观点。 展开更多
关键词 非平衡 偏聚 硼 空位 扩散 γ-Fe
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稀土硼钒共渗对45钢组织和性能的影响 被引量：6
3
作者 洪振声 尹付成 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2000年第1期61-64,共4页
研究了 45钢稀土硼钒共渗工艺及渗层的组织与性能 .试验结果表明 ,稀土能抑制FeB相的生长 ,使共渗层中的Fe2 B相增厚且变得连续均匀 ,碳化物更加细小弥散 .
关键词 稀土硼钒共渗 45钢 组织 性能 改性 结构钢
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TOPCon太阳能电池选择性发射极工艺研究 被引量：1
4
作者 杨露 宋志成 +5 位作者 倪玉凤 张婷 魏凯峰 阮妙 石惠君 郑磊杰 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期138-144,共7页
为提升隧穿氧化钝化接触(TOPCon)太阳能电池的光电转换效率,采用硼扩散和激光掺杂的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散方阻、激光功率输出比、氧化时间等对电池发射极钝化性能的影响。实验结果表明,当扩散方阻为140Ω/□,氧化温度... 为提升隧穿氧化钝化接触(TOPCon)太阳能电池的光电转换效率,采用硼扩散和激光掺杂的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散方阻、激光功率输出比、氧化时间等对电池发射极钝化性能的影响。实验结果表明,当扩散方阻为140Ω/□,氧化温度为1 020℃,氧化时间为30 min时,发射极轻掺杂区域(p+)的方块电阻为320Ω/□,隐开路电压值达到729 mV,暗饱和电流密度为12 fA/cm^(2)。发射极重掺杂区域(p++)的方块电阻为113Ω/□,隐开路电压值为710 mV,暗饱和电流密度为26 fA/cm^(2)。基于该工艺方案制备的TOPCon电池最高光电转换效率达到24.75%,电池开路电压高达720 mV,短路电流提升30 mA,相比现有TOPCon电池光电转换效率提升了0.26个百分点。 展开更多
关键词 TOPCon太阳能电池 选择性发射极 硼扩散 激光 氧化 光电转化效率
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溶质原子晶界偏聚动力学过程的数值模拟 被引量：1
5
作者 吴平 贺信莱 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期312-316,共5页
建立了溶质原子在晶界的平衡偏聚、非平衡偏聚、晶界偏聚溶质向沉淀析出转化以及冷却速度等因素的晶界偏聚物理模型和数学模型.模型考虑了晶界及晶界附近扩展畸变区对溶质的吸附作用和吸附能力.对含硼0.0010%的Fe-40%Ni-B合金体系从115... 建立了溶质原子在晶界的平衡偏聚、非平衡偏聚、晶界偏聚溶质向沉淀析出转化以及冷却速度等因素的晶界偏聚物理模型和数学模型.模型考虑了晶界及晶界附近扩展畸变区对溶质的吸附作用和吸附能力.对含硼0.0010%的Fe-40%Ni-B合金体系从1150℃连续冷却到640℃的过程中硼的晶界偏聚状态进行了模拟计算.计算表明,晶界区域硼富集因子在降温初期增加较快,随后增幅变缓,模拟数据显示过程中有晶界区域硼原子向晶内的反向扩散;当晶界上偏聚的硼转化为析出物时,晶界区域富集因子的增加再次变快.模拟计算结果与已发表的实验结果吻合较好. 展开更多
关键词 晶界 扩散 偏聚 硼
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基于BCl_(3)源的低压硼扩散设备及工艺研究 被引量：5
6
作者 龙辉 赵志然 +1 位作者 李明 郭良全 《有色设备》 2022年第2期18-22,27,共6页
以BCl_(3)为掺杂源的低压硼扩散炉是N型TOPCon太阳能电池重要制造设备之一,其工艺过程具有气体输送控制难、工艺气体腐蚀性强、反应洁净度要求高、尾气高温等特点。针对这些特点本文通过优化气路系统、增加气路伴热,保证BCl_(3)精准稳定... 以BCl_(3)为掺杂源的低压硼扩散炉是N型TOPCon太阳能电池重要制造设备之一,其工艺过程具有气体输送控制难、工艺气体腐蚀性强、反应洁净度要求高、尾气高温等特点。针对这些特点本文通过优化气路系统、增加气路伴热,保证BCl_(3)精准稳定;同时采用全石英炉门,增加背水冷法兰和风冷法兰,有效杜绝了金属离子污染,提高了太阳能电池的少子寿命及效率;另一方面通过全包裹水冷设计、双滤芯过滤以及水洗功能,滤芯更换周期及真空泵使用寿命提高了1倍。此外本文也研究了不同插片方式下扩散方阻及不良率,相比顺气流竖直插片方式,水平插片方式同一小舟内上中下硅片的扩散方阻极差大,制成电池后黑边不良比例低。 展开更多
关键词 硼扩散 BCl_(3) 低压 方阻 黑边
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全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺
7
作者 张博 宋志成 +1 位作者 倪玉凤 魏凯峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期329-335,共7页
为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝... 为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响。实验结果表明,当沉积时间为1500 s,推进温度为920℃,推进时间为20 min时,掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度,其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40×10^(20)cm^(-3),隐开路电压(iV_(oc))大于720.0 mV。依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89%,对应的短路电流密度为39.36 mA/cm^(2),开路电压(V_(oc))达到726.4 mV,填充因子(FF)为83.54%。 展开更多
关键词 TOPCon电池 钝化接触 硼扩散 钝化 电流密度 光电转换效率
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TOPCon电池低压硼扩散设备的发展趋势分析 被引量：1
8
作者 刘建华 龙辉 +2 位作者 李程 梁浩 李楠 《电子工业专用设备》 2023年第1期1-6,59,共7页
随着太阳能光伏发电对晶体硅电池高转化效率需求的不断增加,对晶体硅电池技术关键设备投资性价比和发电性能的要求更高。对晶硅电池发展工艺技术进行了阐述,分析讨论了国内外隧穿氧化层钝化接触电池(简称“TOPCon”)低压硼扩散炉的发展... 随着太阳能光伏发电对晶体硅电池高转化效率需求的不断增加,对晶体硅电池技术关键设备投资性价比和发电性能的要求更高。对晶硅电池发展工艺技术进行了阐述,分析讨论了国内外隧穿氧化层钝化接触电池(简称“TOPCon”)低压硼扩散炉的发展现状,探讨了硼扩散设备技术难点和未来研究方向。 展开更多
关键词 太阳能 光伏发电 隧穿氧化层钝化接触电池 高转化效率 硼扩散
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二次硼离子热扩散制作微电阻 被引量：2
9
作者 黄腾超 沈亦兵 侯西云 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期471-474,共4页
为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的,利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算... 为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的,利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算,建立了制备过程中硅基底中的硼离子的空间浓度分布的理论模型,优化了二次硼扩散工艺条件.盘旋形的电阻形状设计提供了良好的温度控制和热量利用率,加热温度可以从室温一直加热至200℃.测量得到了电阻的有效结深及方块电阻,实验结果表明,电阻内部扩散区域的结深非常浅,硼离子掺杂浓度非常高,与理论模拟基本吻合. 展开更多
关键词 硼扩散 硅微晶玻璃 微电阻 结深 方块电阻
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M5211-6-UM 型立式硼扩散设备研制
10
作者 吴志明 郭浩 赵志然 《有色设备》 2023年第3期21-24,共4页
M5211-6-UM型立式硼扩散炉用于晶体硅太阳能电池片硼扩散工艺,具有全自动化、高产能、低能耗、维护便捷等特点。本文介绍了该型号设备的结构组成及性能,给出了能耗和工艺结果,结果表明该设备各方面性能已达到国内领先水平,具备产业化条件。
关键词 硼扩散 石英舟 方阻均匀性
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工业化N型高效双面晶体硅太阳电池扩散工艺研究 被引量：4
11
作者 马继奎 任军刚 +3 位作者 董鹏 宋志成 程基宽 郭永刚 《光电子技术》 CAS 2017年第2期124-128,共5页
采用磷硼共扩散的方法制备了N型高效双面电池,通过优化背场及发射极扩散工艺,研究了扩散工艺曲线对电池电性能参数的影响机理。实验结果表明,降低背场扩散方块电阻可提高电池填充因子,同时造成开路电压(V_(oc))和短路电流(I_(sc))降低,... 采用磷硼共扩散的方法制备了N型高效双面电池,通过优化背场及发射极扩散工艺,研究了扩散工艺曲线对电池电性能参数的影响机理。实验结果表明,降低背场扩散方块电阻可提高电池填充因子,同时造成开路电压(V_(oc))和短路电流(I_(sc))降低,需要在背场饱和电流密度(J_(0BSF))和填充因子(FF)之间找到一个平衡点;降低发射极表面杂质浓度和方块电阻并适当的增加结深,可改善与金属化栅线的接触。正面采用低浓度深结扩散工艺可改善V_(oc)和FF,减少复合,提高Isc,电池效率增加了0.2%,平均效率达到20.41%。 展开更多
关键词 N型 硼扩散 掺杂浓度 P-N结 电池效率
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n型IBC太阳电池选择性发射极工艺研究 被引量：2
12
作者 高嘉庆 郭永刚 +4 位作者 屈小勇 吴翔 张天杰 张博 刘洪东 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第11期1929-1935,共7页
为提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用丝网印刷硼浆和高温扩散的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散和硼浆印刷工艺对电池发射极钝化性能和接触性能的影响。实验结果表明,在硼扩散沉积时间和退火时间一定的条件下,... 为提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用丝网印刷硼浆和高温扩散的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散和硼浆印刷工艺对电池发射极钝化性能和接触性能的影响。实验结果表明,在硼扩散沉积时间和退火时间一定的条件下,硼扩散通源(BBr_(3))流量为100 mL/min,沉积温度为830℃,退火温度为920℃时,发射极轻掺杂(p^(+))区域的隐开路电压达到710 mV,暗饱和电流密度为12.2 fA/cm^(2)。发射极局部印刷硼浆湿重为220 mg时,经过高温硼扩散退火,重掺杂(p^(++))区域的隐开路电压保持在683 mV左右,该区域方块电阻仅46Ω/□,金属接触电阻为2.3 mΩ·cm^(2).采用该工艺方案制备的IBC电池最高光电转换效率达到24.40%,平均光电转换效率达到24.32%,相比现有IBC电池转换效率提升了0.28个百分点。 展开更多
关键词 IBC太阳电池 选择性发射极 硼浆 丝网印刷 硼扩散 光电转换效率
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二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p＋硅层性能的影响 被引量：3
13
作者 杨楠楠 沈鸿烈 +5 位作者 蒋晔 金磊 李金泽 吴文文 余双龙 杨艳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期11-14,共4页
为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO_2纳米球对硼酸源扩散形成p^+硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO_2... 为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO_2纳米球对硼酸源扩散形成p^+硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO_2纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO_2纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO_2纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p^+硅层的性能。 展开更多
关键词 硼扩散 SiO2纳米球 富硼层 均匀性 少子寿命
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基于Ti中间层的B_(4)C复合陶瓷扩散连接接头界面微观组织与力学性能 被引量：2
14
作者 陶拥 王睿 +3 位作者 宋奎晶 刘大双 钟志宏 吴玉程 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期29-35,I0004,I0005,共9页
碳化硼(B_(4)C)复合陶瓷以其高硬度、高熔点、良好的耐磨性以及吸收中子能力的特性,广泛应用于制造防弹装甲材料,原子反应堆控制以及耐磨耐高温结构材料等领域.文中采用中间层Ti箔对碳化硼复合陶瓷(B_(4)C-SiC-TiB_(2))进行扩散连接,研... 碳化硼(B_(4)C)复合陶瓷以其高硬度、高熔点、良好的耐磨性以及吸收中子能力的特性,广泛应用于制造防弹装甲材料,原子反应堆控制以及耐磨耐高温结构材料等领域.文中采用中间层Ti箔对碳化硼复合陶瓷(B_(4)C-SiC-TiB_(2))进行扩散连接,研究了连接温度对连接界面组织及接头力学性能的影响.结果表明,在连接温度1300~1450℃下成功扩散连接了B_(4)C-SiC-TiB_(2)复合陶瓷,Ti与B_(4)C反应生成TiB_(2)和TiC.随着连接温度的升高,反应层变厚,而过厚的反应层会对接头的性能造成不利影响.在连接温度1300℃时,反应层的平均厚度约为5μm,此时获得较高的接头抗剪强度100 MPa;在连接温度1450℃时连接层基本为TiB_(2)和TiC陶瓷相,此时扩散连接接头可以获得较高硬度(25.4 GPa). 展开更多
关键词 碳化硼 复合陶瓷 扩散连接 接头组织 力学性能
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双面单晶硅光伏电池技术及工艺探索 被引量：3
15
作者 张中伟 张小宾 +1 位作者 侯泽荣 黄仑 《东方电气评论》 2014年第4期17-21,共5页
对双面晶体硅电池技术和工艺做了初步的阐述,并以双面P型单晶硅电池为研究对象,对双面电池制程中的硼扩散、边缘刻蚀、硼扩散面钝化几个关键技术和工艺展开研究和探索,得出其中工艺参数与电池性能之间的相互联系,实验制作得到的P型双面... 对双面晶体硅电池技术和工艺做了初步的阐述,并以双面P型单晶硅电池为研究对象,对双面电池制程中的硼扩散、边缘刻蚀、硼扩散面钝化几个关键技术和工艺展开研究和探索,得出其中工艺参数与电池性能之间的相互联系,实验制作得到的P型双面电池片最高综合效率达20.04%。这些技术和制备工艺流程对于未来高效晶硅电池的研发和生产具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 双面光伏电池 硼扩散 钝化
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n型太阳电池硼扩散制备正面发射极工艺研究 被引量：3
16
作者 余双龙 魏青竹 +3 位作者 李玉芳 沈鸿烈 倪志春 张三洋 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期276-281,共6页
对于n-PERT电池,硼扩散是形成p-n结的关键工艺并且直接影响电池性能。为优化正面硼扩散掺杂层的性能,研究液态源(BBr3)扩散过程中推进温度和推进时间对硼表面掺杂浓度和结深的影响,并且结合PC1D的模拟结果,分析不同的正面硼发射极对n-P... 对于n-PERT电池,硼扩散是形成p-n结的关键工艺并且直接影响电池性能。为优化正面硼扩散掺杂层的性能,研究液态源(BBr3)扩散过程中推进温度和推进时间对硼表面掺杂浓度和结深的影响,并且结合PC1D的模拟结果,分析不同的正面硼发射极对n-PERT太阳电池性能的影响。研究结果表明,推进温度在950~970℃范围变化时,随着推进温度的升高,结深由0.4μm增加到0.63μm,硼表面掺杂浓度由4.3×1019cm-3增加到5.9×1019cm-3;推进时间由25 min增加到40 min过程中,结深由0.47μm增加到0.64μm,硼表面掺杂浓度有较小的下降;当发射极表面浓度较低,结深较深时,有利于提升电池性能;该实验在模拟计算和工艺优化的基础上制备出效率为20.03%的nPERT电池。 展开更多
关键词 n-PERT太阳电池 推进温度 推进时间 硼扩散 电池效率
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机械合金化及热处理过程中Ti_(33)B_(67)二元系统的结构演变 被引量：3
17
作者 汤文明 郑治祥 +2 位作者 吴玉程 唐红军 董季玲 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期51-54,共4页
采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及粉体粒度仪研究了Ti33B6 7元素混合粉在机械合金化过程中的结构演变、球磨后粉体的颗粒形态与粒度分布以及热处理对粉体结构的影响,讨论了TiB2 机械合金化合成机制。实验结果表明,机械合金... 采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及粉体粒度仪研究了Ti33B6 7元素混合粉在机械合金化过程中的结构演变、球磨后粉体的颗粒形态与粒度分布以及热处理对粉体结构的影响,讨论了TiB2 机械合金化合成机制。实验结果表明,机械合金化合成TiB2 遵循逐渐扩散反应机制,过程如下:Ti+B→Ti(B) 纳米晶→Ti(B) 非晶→TiB2 纳米晶。球磨2 0h析出TiB2 ,球磨6 0h后完全转变为TiB2 。TiB2 粉体颗粒基本呈球形,具有比较宽的粒径分布,平均粒度d0 5为0 96 4 μm。热处理导致TiB2 粉体晶粒生长,晶粒尺寸增大,晶格畸变程度降低,有序度提高。 展开更多
关键词 机械合金化 TIB2 反应机制 结构演变 热处理
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冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚实验观察 被引量：1
18
作者 吴平 贺信莱 +1 位作者 曹兵 于栋友 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-33,共5页
用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验 发现，以２℃／ｓ冷速从１１５０℃冷却到６４０℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散 行为不同的３个阶段． 实验测定了晶界富集因子、富集带... 用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验 发现，以２℃／ｓ冷速从１１５０℃冷却到６４０℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散 行为不同的３个阶段． 实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚 特征，并对有关现象进行了初步讨论． 展开更多
关键词 硼 晶界 扩散 非平衡偏聚 冷却过程 铁镍硼合金 晶界富集因子 富集带宽度 结构钢
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等离子体对含硼两相流扩散燃烧特性的影响 被引量：2
19
作者 张鹏 洪延姬 +2 位作者 丁小雨 沈双晏 冯喜平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第20期262-269,共8页
为排除来流空气对含硼燃气的掺混效应,研究等离子体对含硼富燃料推进剂在补燃室二次燃烧过程的影响,建立了含硼两相流平行进气扩散燃烧物理模型.利用高速摄影仪拍摄了含硼燃气在补燃室二次燃烧的火焰图像,分析了该物理模型的扩散燃烧特... 为排除来流空气对含硼燃气的掺混效应,研究等离子体对含硼富燃料推进剂在补燃室二次燃烧过程的影响,建立了含硼两相流平行进气扩散燃烧物理模型.利用高速摄影仪拍摄了含硼燃气在补燃室二次燃烧的火焰图像,分析了该物理模型的扩散燃烧特性和硼颗粒的二次点火距离.采用硼颗粒的King点火模型、有限速度/涡耗散模型、颗粒轨道模型和RNG k-ε模型以及等离子体模型,模拟了一定条件下等离子体对含硼两相流扩散燃烧过程的影响.结果表明,依据含硼燃气二次燃烧图像得到的硼颗粒二次点火距离,与数值模拟结果基本一致,保证了该物理模型和计算方法的可靠性.含硼两相流经过等离子体区域后,硼颗粒在运动轨迹上颗粒温度明显增加,颗粒直径明显减小,B2O3的质量分数分布区域明显扩增,70%的硼颗粒在到达补燃室2/3尺寸前燃烧效率己达到100%,硼颗粒充分燃烧释放出更多热量导致中心流线区域温度增加近1/2,可见等离子体可以明显强化含硼两相流的燃烧过程,提高硼颗粒的燃烧效率. 展开更多
关键词 等离子体 硼颗粒 两相流 扩散燃烧
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等离子体增强含硼燃气二次燃烧实验分析 被引量：2
20
作者 张鹏 洪延姬 +1 位作者 丁小雨 纪海龙 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2721-2728,共8页
为研究等离子体助燃条件下含硼燃气在补燃室的二次燃烧特性,建立了排除来流空气掺混效应的扩散燃烧实验模型。利用高速摄影仪拍摄了含硼燃气在补燃室的火焰照片,得到了有无等离子体条件下的燃烧火焰形貌;测量了补燃室不同截面的静压和总... 为研究等离子体助燃条件下含硼燃气在补燃室的二次燃烧特性,建立了排除来流空气掺混效应的扩散燃烧实验模型。利用高速摄影仪拍摄了含硼燃气在补燃室的火焰照片,得到了有无等离子体条件下的燃烧火焰形貌;测量了补燃室不同截面的静压和总压,分析了有无等离子体条件下含硼推进剂在固冲发动机中的燃烧效率。实验结果表明:在含硼燃气二次燃烧过程中加入等离子体炬,等离子体炬后方区域火焰更加明亮,硼燃烧更加充分;断开等离子体炬后,补燃室静压和总压出现压力突降台阶,说明加入等离子体后可以加快化学反应速率,提高含硼燃气在固冲发动机中的燃烧效率,从而提高了补燃室的压强;且放电功率越高,含硼燃气在固冲发动机中燃烧效率的增长率越高。 展开更多
关键词 等离子体炬 固冲发动机 硼 补燃室 扩散火焰
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