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多变量离子注入型量子阱混杂效应 被引量：5
1
作者 葛晓红 张瑞英 +2 位作者 郭春扬 李安男 王帅达 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2020年第1期168-174,共7页
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致... 为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×10^14 ion/cm2,注入能量为600keV,750℃二次退火150s时获得最大蓝移量116nm。研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础。 展开更多
关键词 激光器 量子阱混杂 离子注入 波长蓝移 光致发光谱
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InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究 被引量：1
2
作者 刘超 李国辉 +3 位作者 韩德俊 姬成周 陈涌海 叶小玲 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期170-173,共4页
为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 9... 为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移 989nm .蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大 ,并且能量比注量对蓝移的影响更大 . 展开更多
关键词 半导体激光器 量子阱混合 波长蓝移 INGAAS/INGAASP 光致发光谱
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用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合
3
作者 刘超 李国辉 韩德俊 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期236-239,共4页
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激光器结构，在700oC下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm... 为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激光器结构，在700oC下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。 展开更多
关键词 量子阱混合 INGAAS/INGAASP 离入注入 激光器
原文传递
多孔硅PL谱的影响因素分析 被引量：5
4
作者 柯见洪 郑亦庄 +1 位作者 池贤兴 程新红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期38-42,共5页
通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅 ,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱 (PL谱 )进行系统的分析 .结果表明 ,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大 ,多孔硅的 PL谱峰将发生“蓝移”,并且 PL峰强也显著增加 ,但... 通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅 ,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱 (PL谱 )进行系统的分析 .结果表明 ,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大 ,多孔硅的 PL谱峰将发生“蓝移”,并且 PL峰强也显著增加 ,但过大的电流密度、阳极化溶液浓度和时间将导致 PL峰强下降 .另外 ,还发现 PL谱存在多峰结构 ,而多孔硅在空气中放置时间的延长将引起其 PL的短波峰“蓝移”和强度下降 ,但对长波峰只引起强度减弱 ,并不影响其峰位 .PL谱的多峰结构可以认为是由于样品中同时存在“树枝”状和“海绵”状两种微观结构所产生的 ,在这个假设下 。 展开更多
关键词 多孔硅 光致发光光谱 波峰蓝移 半导体材料
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