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Recent advances in micro- and nano-machining technologies 被引量:6
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作者 Shang GAO Han HUANG 《Frontiers of Mechanical Engineering》 SCIE CSCD 2017年第1期18-32,共15页
Device miniaturization is an emerging advanced technology in the 21 st century. The miniaturiza- tion of devices in different fields requires production of micro- and nano-scale components. The features of these compo... Device miniaturization is an emerging advanced technology in the 21 st century. The miniaturiza- tion of devices in different fields requires production of micro- and nano-scale components. The features of these components range from the sub-micron to a few hundred microns with high tolerance to many engineering materi- als. These fields mainly include optics, electronics, medicine, bio-technology, communications, and avionics. This paper reviewed the recent advances in micro- and nano-machining technologies, including micro-cutting, micro-electrical-discharge machining, laser micro-machin- ing, and focused ion beam machining. The four machining technologies were also compared in terms of machining efficiency, workpiece materials being machined, minimum feature size, maximum aspect ratio, and surface finish. 展开更多
关键词 micro machining CUTTING electro dischargemachining (EDM) laser machining focused ion beamfib
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The Residual Strain Measurement of Thin Conductive Metal Wire after Electrical Failure with SEM Moir 被引量:1
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作者 Yanjie Li Huimin Xie +4 位作者 Qinghua Wang Mengmeng Zhou Manqiong Xu Qiang Luo Changzhi Gu 《Acta Mechanica Solida Sinica》 SCIE EI CSCD 2016年第4期371-378,共8页
In this study, the residual strain of a thin conductive metal wire on a polymer substrate after electrical failure is measured with SEM moir′e. Focused ion beam(FIB) milling is applied to fabricate micron moir′e gra... In this study, the residual strain of a thin conductive metal wire on a polymer substrate after electrical failure is measured with SEM moir′e. Focused ion beam(FIB) milling is applied to fabricate micron moir′e gratings on the surfaces of constantan wires and the random phase shifting technique is used to process moir′e fringes. The virtual strain method is briefly introduced and used to calculate the real strain of specimens. In order to study the influence of a defect on the electrical failure of the constantan wire, experiments were conducted on two specimens, one with a crack, while the other one without any crack. By comparing the results, we found that the defect makes the critical beam current of electrical failure decrease. In addition, the specimens were subjected to compression after electrical failure, in agreement with the observed crack closure of the specimen. The successful results demonstrate that the moir′e method is effective to characterize the full-field deformation of constantan wires on the polymer membrane, and has a good potential for further application to the deformation measurement of thin films. 展开更多
关键词 SEM moir′e residual strain metal wire focused ion beam(fib)
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Three-dimensional vertical ZnO transistors with suspended top electrodes fabricated by focused ion beam technology
3
作者 Chi Sun Linyuan Zhao +4 位作者 Tingting Hao Renrong Liang Haitao Ye Junjie Li Changzhi Gu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第1期492-496,共5页
Three-dimensional(3D)vertical architecture transistors represent an important technological pursuit,which have distinct advantages in device integration density,operation speed,and power consumption.However,the fabric... Three-dimensional(3D)vertical architecture transistors represent an important technological pursuit,which have distinct advantages in device integration density,operation speed,and power consumption.However,the fabrication processes of such 3D devices are complex,especially in the interconnection of electrodes.In this paper,we present a novel method which combines suspended electrodes and focused ion beam(FIB)technology to greatly simplify the electrodes interconnection in 3D devices.Based on this method,we fabricate 3D vertical core-double shell structure transistors with ZnO channel and Al_(2)O_(3) gate-oxide both grown by atomic layer deposition.Suspended top electrodes of vertical architecture could be directly connected to planar electrodes by FIB deposited Pt nanowires,which avoid cumbersome steps in the traditional 3D structure fabrication technology.Both single pillar and arrays devices show well behaved transfer characteristics with an Ion/Ioff current ratio greater than 106 and a low threshold voltage around 0 V.The ON-current of the 2×2 pillars vertical channel transistor was 1.2μA at the gate voltage of 3 V and drain voltage of 2 V,which can be also improved by increasing the number of pillars.Our method for fabricating vertical architecture transistors can be promising for device applications with high integration density and low power consumption. 展开更多
关键词 three-dimensional(3D)vertical ZnO transistor focused ion beam(fib) suspended electrodes the electrical inter-connection in 3D devices
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Assessment of wear micromechanisms on a laser textured cemented carbide tool during abrasive-like machining by FIB/FESEM
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作者 Shiqi FANG Dirk BÄHRE Luis LLANES 《Friction》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第3期656-664,共9页
The combined use of focused ion beam(FIB)milling and field-emission scanning electron microscopy inspection(FESEM)is a unique and successful approach for assessment of near-surface phenomena at specific and selected l... The combined use of focused ion beam(FIB)milling and field-emission scanning electron microscopy inspection(FESEM)is a unique and successful approach for assessment of near-surface phenomena at specific and selected locations.In this study,a FIB/FESEM dual-beam platform was implemented to docment and analyze the wear micromechanisms on a laser-surface textured(LST)hardmetal(HM)tool.In particular,changes in surface and microstructural integrity of the laser-sculptured pyramids(effective cutting microfeatures)were characterized after testing the LST-HM tool against a steel workpiece in a workbench designed to simulate an external honing process.It was demonstrated that:(1)laser-surface texturing does not degrade the intrinsic surface integrity and tool effectiveness of HM pyramids;and(2)there exists a correlation between the wear and loading of shaped pyramids at the local level.Hence,the enhanced performance of the laser-textured tool should consider the pyramid geometry aspects rather than the microstructure assemblage of the HM grade used,at least for attempted abrasive applications. 展开更多
关键词 focused ion beam(fib) field-emission scanning electron microscopy inspection(FESEM) cemented carbides laser surface texturing abrasive machining processes WEAR
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聚焦离子束系统原理、应用及进展 被引量:18
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作者 于华杰 崔益民 王荣明 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第3期243-249,共7页
聚焦离子束纳米加工系统,具有传统加工工具无可比拟的优势而逐渐成为新一代微纳分析、加工的工具,在微纳米加工、操纵以及器件的研制等方面具有重要应用。本文介绍了聚焦离子束系统的内部结构和工作原理,探讨了该系统的扩展功能、应用... 聚焦离子束纳米加工系统,具有传统加工工具无可比拟的优势而逐渐成为新一代微纳分析、加工的工具,在微纳米加工、操纵以及器件的研制等方面具有重要应用。本文介绍了聚焦离子束系统的内部结构和工作原理,探讨了该系统的扩展功能、应用及发展前景。 展开更多
关键词 聚焦离子柬 微纳加工 双柬纳米工作站
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聚焦离子束加工技术及其应用 被引量:9
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作者 马向国 顾文琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期575-577,582,共4页
对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍。
关键词 聚焦离子柬 液态金属离子源 应用
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ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证 被引量:9
7
作者 龚瑜 黄彩清 吴凌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期58-64,共7页
静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(F... 静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 过电应力(EOS) 静电放电(ESD) 聚焦离子束(fib) 失效分析 芯片去层处理
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基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究 被引量:8
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作者 徐宗伟 房丰洲 +1 位作者 张少婧 陈耘辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期62-67,共6页
提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量... 提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10~15nm的纳米颗粒层。以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(FIB-GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。 展开更多
关键词 聚焦离子束(fib) 离子注入 气体辅助刻蚀(GAE) 微结构
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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率 被引量:1
9
作者 瞿敏妮 刘思琦 +4 位作者 刘民 李进喜 陈舒静 付学成 程秀兰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期131-136,共6页
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之... 利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。 展开更多
关键词 超浅光栅耦合器 高侧壁垂直度 聚焦离子束(fib) 铌酸锂(LN) 非晶硅(α-Si)
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高性能聚焦离子束(FIB)系统及其在材料科学领域的应用 被引量:7
10
作者 周伟敏 吴国英 《实验室研究与探索》 CAS 2004年第9期19-20,52,共3页
采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察... 采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察,分辨率高达5nm;微刻蚀以及微沉淀。本文介绍了FIB技术的应用。 展开更多
关键词 聚焦离子束显微镜(fib) 透射电子显微分析(TEM) 材料科学
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聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响 被引量:2
11
作者 孙紫涵 李明 +1 位作者 高金德 吴涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期25-30,共6页
聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB... 聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB的电子束或离子束等制样条件可能对样品带来的损伤。通过实验发现,FIB的离子束能量对TEM样品热损伤影响较小,电子束的电压和电流是引起样品损伤的主要因素。实验证明,在电子束辅助沉积保护层时适当降低电子束的电压和电流,可有效改善样品的微观形貌。 展开更多
关键词 透射电子显微镜(TEM) 制样 失效分析 聚焦离子束(fib) 热损伤 电子束辅助沉积 保护层
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单级衍射量子点阵光栅的聚焦离子束直写法制备及光学性能检测 被引量:6
12
作者 黄成龙 张继成 +4 位作者 刁凯迪 曾勇 易勇 曹磊峰 王红斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期332-336,共5页
采用聚焦离子束直写技术,成功制作了面积为200μm×200μm,线密度500 mm 1,圆孔直径800 nm,金吸收体厚度为500 nm的单级衍射量子点阵光栅.研究了该光栅在波长442 nm激光下不同传输距离的衍射特性以及相对衍射效率.实验结果表明,量... 采用聚焦离子束直写技术,成功制作了面积为200μm×200μm,线密度500 mm 1,圆孔直径800 nm,金吸收体厚度为500 nm的单级衍射量子点阵光栅.研究了该光栅在波长442 nm激光下不同传输距离的衍射特性以及相对衍射效率.实验结果表明,量子点阵光栅不存在高级衍射,只保留了±1级和0级衍射,具有良好的单级衍射特性.1级衍射与0级衍射间距随传输距离的增大而增大,实测值与理论计算值相符. 展开更多
关键词 聚焦离子束直写加工(fib) 量子点阵光栅(QDADG) 单级衍射
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光子晶体Micro LED微显示阵列加工及光学特性分析
13
作者 孟媛 肖秧 +4 位作者 冯晓雨 何龙振 张鹏喆 宁平凡 刘宏伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期719-725,共7页
Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示... Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示阵列芯片和Si基驱动电路的设计方法及集成工艺。通过时域有限差分(FDTD)方法对Micro LED微显示阵列光学特性进行了建模分析,设计了一种提高Micro LED微显示阵列出光效率的光提取结构。结合仿真结果,开发了一种在Micro LED蓝宝石衬底表面制备光子晶体结构的聚焦离子束(FIB)微纳加工工艺,并进行了器件加工。测试结果表明,蓝宝石衬底上加工的光子晶体结构可以提高Micro LED器件的表面出光效率,光功率平均值提升了16.36%,对Micro LED微显示阵列加工及微显示像素光提取问题具有借鉴意义。 展开更多
关键词 Micro LED 微显示阵列 光子晶体结构 聚焦离子束(fib) 出光效率
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聚焦离子束工艺参数对单像素线刻蚀的影响
14
作者 李美霞 施展 +2 位作者 陆熠磊 王英 杨明来 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期818-824,共7页
单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离... 单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离子束加工中,离子剂量与刻蚀线条宽度和深度之间呈正相关,与宽深比之间呈负相关;离子束流大小的变化对刻蚀深度影响不明显,但刻蚀宽度和宽深比随离子束流的增大而增大。此外,随着离子束流驻留时间增加,刻蚀宽度增大而深度减小;随着扫描步长百分比的增大,刻蚀深度增大,刻蚀宽度减小,分析结果表明这些变化与加工过程中再沉积作用有关。本研究成果为后续复杂图形的精密加工提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 聚焦离子束(fib)刻蚀 加工参数 刻蚀形貌 单像素线 再沉积 宽深比
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锂电池内部结构原位表征方法开发与验证
15
作者 韩瑶 朱燕华 +2 位作者 鲍中秋 张莹 何琳 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第5期24-27,67,共5页
锂电池材料与空气接触会迅速发生反应,导致原始形貌和性能发生改变,限制了其构效关系的进一步深入解析,是锂电池研究领域亟待解决的瓶颈问题。因此,需要设计一种隔绝空气条件下未氧化锂电池内部结构微观尺度上的原位表征方法。目前,传... 锂电池材料与空气接触会迅速发生反应,导致原始形貌和性能发生改变,限制了其构效关系的进一步深入解析,是锂电池研究领域亟待解决的瓶颈问题。因此,需要设计一种隔绝空气条件下未氧化锂电池内部结构微观尺度上的原位表征方法。目前,传统的聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、电子背散射衍射(EBSD)和飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)等技术的表征方法相对独立,一次性装样就完成上述全部测试的应用尚未见相关文献。利用70°预倾台,在常规扫描电子显微镜、X射线能量色散谱和电子背散射衍射技术的基础上,采用聚焦离子束与飞行时间二次离子质谱联用技术,建立了一个真空环境下一次性装样就可完成锂电池正极材料内部结构表征的方法,并验证了该方法的可行性。这种方法还可以推广至其他类似结构的材料研究中,具有广泛的应用范围和广阔的应用前景。 展开更多
关键词 锂电池 原位表征方法 聚焦离子束 飞行时间二次离子质谱
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亚微米聚焦离子束溅射刻蚀的实验研究 被引量:6
16
作者 毕建华 俞学东 陆家和 《微细加工技术》 1996年第2期26-34,共9页
简要介绍了自制的聚焦离子束(FIB)系统中束着靶点的飘移现象,分析引起飘移的原因及所采取降低飘移的措施。用此FIB进行了一些基本图形的刻蚀研究,讨论了束流密度分布对溅射刻蚀线条宽度的影响。最后介绍了用FIB制作光电集... 简要介绍了自制的聚焦离子束(FIB)系统中束着靶点的飘移现象,分析引起飘移的原因及所采取降低飘移的措施。用此FIB进行了一些基本图形的刻蚀研究,讨论了束流密度分布对溅射刻蚀线条宽度的影响。最后介绍了用FIB制作光电集成电路的谐振腔面和耦合腔的一些经验。 展开更多
关键词 聚焦离子束 微细加工 刻蚀 离子束溅射刻蚀
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金膜上亚波长周期性孔阵的模拟与研制 被引量:6
17
作者 王卉 曾(?) 宋国峰 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1638-1643,共6页
分析了980 nm波长的光在透过制作在金膜上的亚波长周期性孔阵时的透射增强现象。通过建立中心带缺陷孔的三角晶格的孔阵模型,并采用三维时域有限差分方法对该模型的透射情况进行模拟分析。结果表明通过优化孔阵周期参数可以对特定波长... 分析了980 nm波长的光在透过制作在金膜上的亚波长周期性孔阵时的透射增强现象。通过建立中心带缺陷孔的三角晶格的孔阵模型,并采用三维时域有限差分方法对该模型的透射情况进行模拟分析。结果表明通过优化孔阵周期参数可以对特定波长的光实现一定程度的选择透过性。当孔阵周期为450 nm,中心缺陷孔径为400 nm,孔阵中单个孔孔径为150 nm时,980 nm波长光透过该孔阵时具有明显的透射增强效应,并且距孔阵表面3 μm的远场光斑尺寸被局限在亚波长尺度(880 nm)。研究了使用聚焦离子束在金膜上制备孔阵的工艺,成功研制了与设计尺寸一致的孔阵。这种孔阵可以集成在980 nm垂直腔面发射激光器上,用于改善器件的远场光学特性。 展开更多
关键词 表面等离子体光子学 亚波长周期性孔阵的透射增强效应 三维时域有限差分方法 聚焦离子束
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聚焦离子束(FIB)刻蚀在光电子器件方面的应用 被引量:3
18
作者 毕建华 陆家和 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第4期299-306,共8页
聚焦离子束无掩模微细加工技术逐渐引起人们的兴趣,它包括聚焦离子束无掩模刻蚀、注入、往积、光刻等。聚焦离子束刻蚀能在半导体激光器材料上加工得到具有光学精度的表面。首先论述聚焦离子束刻蚀的特点,然后概括说明目前它在光电子... 聚焦离子束无掩模微细加工技术逐渐引起人们的兴趣,它包括聚焦离子束无掩模刻蚀、注入、往积、光刻等。聚焦离子束刻蚀能在半导体激光器材料上加工得到具有光学精度的表面。首先论述聚焦离子束刻蚀的特点,然后概括说明目前它在光电子器件方面的若干应用。 展开更多
关键词 聚焦离子束 无掩模刻蚀 光电子器件
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FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法
19
作者 胡康康 王刘勇 +3 位作者 黄亚敏 郎莉莉 董业民 王丁 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1301-1307,共7页
制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过... 制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过程中从技术角度提出了两种自下而上制样方案来抑制窗帘效应。为扩大样品的可表征视场范围,在避免样品弯曲的前提下,提出了一种薄片提取方法。结果表明,离子束流越大,窗帘效应越严重,自下而上方法能有效规避窗帘效应;离子束电压30 kV时采用清洗截面(CCS)模式、5 kV/2 kV时采用矩形模式,样品台倾斜补偿角度为1.5°~3.5°,进行交叉减薄,且最终铣削长度控制在1μm时减薄效果最好;新的薄片提取方法改变了样品的铣削方向,在避免窗帘效应破坏感兴趣结构和样品弯曲的前提下,将样品的可表征视场范围扩大了5倍。研究结果对优化TEM样品制备方法以及芯片失效分析提供了参考。 展开更多
关键词 聚焦离子束(fib) 透射电子显微镜(TEM)样品 14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET) 窗帘效应 失效分析
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X80管线钢中微观组织非均匀性对残余应力影响的实验研究 被引量:1
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作者 任春华 周治顺 +1 位作者 计宏伟 朱雨逸 《精密成形工程》 北大核心 2023年第8期106-112,共7页
目的从微纳尺度研究X80管线钢微观组织的不均匀性对残余应力分布及释放过程的影响。方法为了突出微观组织的非均匀特征,将X80管线钢升温到固溶温度(1200℃)后随炉冷却,得到由大量多边形铁素体(PF)和退化珠光体(DP)构成的显微组织。以腐... 目的从微纳尺度研究X80管线钢微观组织的不均匀性对残余应力分布及释放过程的影响。方法为了突出微观组织的非均匀特征,将X80管线钢升温到固溶温度(1200℃)后随炉冷却,得到由大量多边形铁素体(PF)和退化珠光体(DP)构成的显微组织。以腐蚀后的自然形貌为散斑模型,采用聚焦离子束技术在不同微观组织内部进行环芯槽的铣削加工,并获取芯柱表面的变形图像,最后通过数字图像相关方法计算芯柱表面的应变演化。同时,利用纳米压痕技术测试不同区域的弹性模量,结合弹性理论计算分析不同组织内部的微观残余应力。结果微观结构的不均匀性直接影响了残余应力的分布及释放路径。DP组织中的vonMises平均应变约是PF区域的2倍,残余应力主要存在于作为软质相的铁素体基底中。纳米压痕实验结果表明,DP中弹性模量的浮动比PF的更加剧烈。不同铣削深度下的残余应力呈现出非线性特征。当铣削深度达到1.1μm时,PF和DP区域松弛释放的残余应力分别为232.6 MPa和385.2 MPa。结论在微观尺度上,不同组织内的残余应力状态存在差异。微观组织在碳化物、结构形貌等方面的非均匀性将引起表面残余应力的梯度分布。 展开更多
关键词 X80管线钢 微观残余应力 聚焦离子束技术 数字图像相关方法 应变
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