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题名N型IBC太阳能电池的工艺研究
被引量：2
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作者
何志伟
刘丽
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机构
商丘工学院基础教学部
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出处
《电子设计工程》
2017年第15期14-18,共5页
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基金
2015年河南省教育技术装备和实践教育研究立项课题(GZS134)
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文摘
文中主要研究的是N型IBC太阳能电池,即N型背结背接触式电池。使用silvaco TCAD软件对N型IBC太阳电池进行工艺仿真,然后对已完成的N型IBC太阳能电池结构使用silvaco TCAD软件进行器件仿真,并对相关参数进行优化,探究该种太阳能电池各方面的特性,最后与工艺仿真进行结合分析,对N型IBC太阳能电池的工艺研究进行总结整理,得出该太阳能电池的最佳工艺参数组合。
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关键词
太阳能电池
N型晶体硅
背结背接触
工艺
silvacoTCAD
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Keywords
silvacoTCAD
solar cell
N-type crystal silicon
back-back-contact
processes
silvaco TCAD
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分类号
TN99
[电子电信—信号与信息处理]
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题名检验GaN基外延材料质量的简易方法
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作者
李诚瞻
魏珂
郑英奎
刘果果
庞磊
刘新宇
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机构
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期109-111,122,共4页
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基金
国家自然科学基金(60736033)
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文摘
研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应的Al-GaN/GaN HEMT器件电流崩塌程度更小,反之亦然。缺陷俘获电子是引起背对背肖特基结I-V特性不对称的根本原因,这些缺陷也是产生Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的重要原因,因此利用背对背肖特基I-V特性的对称性是定性地评价GaN基外延材料质量优劣的一种有效方法。
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关键词
氮化镓
外延材料
背对背肖特基结
电流崩塌
缺陷
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Keywords
GaN
epitaxy material
back-to-back Schottky contact junction
current collapse
defects
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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题名齿轮接触疲劳试验机齿轮组传动效率的测算方法
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作者
罗声杨
龙震海
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机构
北京理工大学
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出处
《工程与试验》
2013年第1期40-43,共4页
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文摘
本文提供了一种精确测算机械封闭功率流式(背靠背)齿轮疲劳试验机中齿轮组传动效率的方法。此方法只需要测量出驱动电机扭矩、一根传动轴上的扭矩、一个齿轮箱达到热稳定时的温度与环境的温度差3个测量值,通过考虑两种不同功率流方向,就能分别推导出试验机两个齿轮箱中齿轮组各自的传动效率。
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关键词
背靠背齿轮接触疲劳试验机
机械封闭功率流
齿轮传动效率
接触疲劳
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Keywords
back-to-back gear contact fatigue testing rig~ closed power flow~ gear efficiency
con-tact fatigue
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分类号
TH871
[机械工程—仪器科学与技术]
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