在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP...在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, APCVD)生长SiO2薄膜前的颗粒沾污开展研究。将经过相同清洗及干燥工艺处理的硅片放置于有风机过滤机组(fan filter unit, FFU)存在的百级环境中,利用表面激光扫描方法对硅片表面粒径在0.3~0.5μm范围的颗粒进行测试,分析重掺衬底硅片表面颗粒随存放时间的增长情况。结果表明:在有FFU存在的百级环境中,随存放时间的延长:(1)同种掺杂剂硅片表面颗粒呈增长趋势,且粒径小的颗粒增长幅度较大;(2)不同掺杂剂硅片中,相比于重掺As, Sb的硅片,重掺B硅片表面颗粒的增长速度最快,而其他两种掺杂剂硅片表面颗粒增长速度相对较缓且差别不大。展开更多
文摘在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, APCVD)生长SiO2薄膜前的颗粒沾污开展研究。将经过相同清洗及干燥工艺处理的硅片放置于有风机过滤机组(fan filter unit, FFU)存在的百级环境中,利用表面激光扫描方法对硅片表面粒径在0.3~0.5μm范围的颗粒进行测试,分析重掺衬底硅片表面颗粒随存放时间的增长情况。结果表明:在有FFU存在的百级环境中,随存放时间的延长:(1)同种掺杂剂硅片表面颗粒呈增长趋势,且粒径小的颗粒增长幅度较大;(2)不同掺杂剂硅片中,相比于重掺As, Sb的硅片,重掺B硅片表面颗粒的增长速度最快,而其他两种掺杂剂硅片表面颗粒增长速度相对较缓且差别不大。