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废弃烟头衍生多孔碳的制备及其电容吸附去离子电极的盐水淡化性能
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作者 徐城 李宇焓 +5 位作者 金亦凡 闫志杰 张原源 钱敏 林功伟 龚尚庆 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期361-369,共9页
利用常压化学气相沉积,以KOH作为活化剂,在500~700℃制备了废弃烟头(WCFs)衍生多孔碳(MMCs)。比表面实验测试表明,废弃烟头衍生多孔碳的比表面积随着活化温度的升高而增加。当活化温度为700℃时,废弃烟头衍生多孔碳(MMC700)呈现微孔主... 利用常压化学气相沉积,以KOH作为活化剂,在500~700℃制备了废弃烟头(WCFs)衍生多孔碳(MMCs)。比表面实验测试表明,废弃烟头衍生多孔碳的比表面积随着活化温度的升高而增加。当活化温度为700℃时,废弃烟头衍生多孔碳(MMC700)呈现微孔主导结构(孔径<2 nm),表面积为928 m^(2)/g。利用MMC700作为电容吸附去离子电极,在初始浓度为5 mmol/L的NaCl水溶液中,当MMC700正负电极两端电压为1.2 V时,电极表现出8.66 mg/g的离子吸附能力。MMC700较初始废弃烟头具有约4.9%(质量分数)的碳产量,X射线光电子能谱分析表明MMC700具有92.87%(摩尔分数)的高碳含量。较低活化温度(700℃)时的KOH蒸气压较低,有利于环境保护。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积 废弃烟头 微孔碳 电容吸附去离子
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掺杂剂对200 mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响 被引量:1
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作者 韩萍 曲翔 +3 位作者 周旗钢 肖清华 刘斌 何宇 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期668-672,共5页
在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP... 在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, APCVD)生长SiO2薄膜前的颗粒沾污开展研究。将经过相同清洗及干燥工艺处理的硅片放置于有风机过滤机组(fan filter unit, FFU)存在的百级环境中,利用表面激光扫描方法对硅片表面粒径在0.3~0.5μm范围的颗粒进行测试,分析重掺衬底硅片表面颗粒随存放时间的增长情况。结果表明:在有FFU存在的百级环境中,随存放时间的延长:(1)同种掺杂剂硅片表面颗粒呈增长趋势,且粒径小的颗粒增长幅度较大;(2)不同掺杂剂硅片中,相比于重掺As, Sb的硅片,重掺B硅片表面颗粒的增长速度最快,而其他两种掺杂剂硅片表面颗粒增长速度相对较缓且差别不大。 展开更多
关键词 颗粒 存放时间 重掺硅片 常压化学气相沉积
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用常压化学气相沉积法制备SiO_2/S复合涂层的研究 被引量:8
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作者 周建新 徐宏 +1 位作者 刘京雷 戚学贵 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期11-13,共3页
以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物,采用常压化学气相沉积法在HP40合金基体上成功制备了SiO2/S复合涂层。采用扫描电子显微镜(SEM)及其附带能谱仪(EDAX)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman光谱等技术对涂层的形貌... 以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物,采用常压化学气相沉积法在HP40合金基体上成功制备了SiO2/S复合涂层。采用扫描电子显微镜(SEM)及其附带能谱仪(EDAX)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman光谱等技术对涂层的形貌、元素成分、结构进行了表征,并对反应机理做了初步探讨。结果表明,SiO2/S复合涂层为无定形结构,主要由Si-O四面体的变形结构组成,S以S4及+4价状态与Si-O四面体的变形结构结合,涂层完整、致密。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积(APCVD) SiO2/S复合涂层 HP40合金
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常压化学气相沉积法制备氟掺杂TiO_2自清洁薄膜 被引量:8
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作者 宋晨路 刘军波 +1 位作者 翁伟浩 翁文剑 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期58-63,共6页
以四异丙醇钛[Ti(OC3H7)4,TTIP]和三氟乙醇(CF3CH2OH,TFE)为前驱体,采用常压化学气相沉积制备了氟(F)掺杂TiO2自清洁薄膜。通过扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见透射光谱等手段对样品进行分析,研究了前驱体TFE的流量与薄膜性能之间的关... 以四异丙醇钛[Ti(OC3H7)4,TTIP]和三氟乙醇(CF3CH2OH,TFE)为前驱体,采用常压化学气相沉积制备了氟(F)掺杂TiO2自清洁薄膜。通过扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见透射光谱等手段对样品进行分析,研究了前驱体TFE的流量与薄膜性能之间的关系。结果表明:前驱体TFE的引入会在TiO2中掺入F并抑制薄膜中锐钛矿相的形成。光催化性能和亲水性能测试表明,沉积F掺杂TiO2薄膜的最佳TFE流量为5.94L/min。 展开更多
关键词 二氧化钛 掺杂 常压化学气相沉积 自清洁
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APCVD法SiH_4-NH_3-CO_2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究 被引量:5
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作者 余京松 钱晓倩 +3 位作者 马青松 葛曼珍 孟祥森 杨辉 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期365-369,共5页
在660℃下以SiH4-NH3-CO2作为反应气体利用常压CVD(APCVD)设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜.此温度比文献报道的APCVD法低200℃以上,有效地降低了沉积温度.实验发现NH3中水汽对沉积反应的显著影响.... 在660℃下以SiH4-NH3-CO2作为反应气体利用常压CVD(APCVD)设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜.此温度比文献报道的APCVD法低200℃以上,有效地降低了沉积温度.实验发现NH3中水汽对沉积反应的显著影响.初步研究表明:运用APCVD法将这种薄膜应用于普通钠钙硅玻璃的表面改性。 展开更多
关键词 氧氮玻璃 改性 薄膜 APCVD法 玻璃
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基板温度对常压化学气相沉积法制备TiO_2复合薄膜性能的影响 被引量:8
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作者 林明贤 赵高凌 +4 位作者 汪建勋 翁文剑 刘军波 应益明 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1520-1525,共6页
以Ti(OC_3H_7)_4为先驱体,SnO_2:F镀膜玻璃为基板,采用常压化学气相沉积法制备了TiO_2/SnO_2:F复合薄膜。用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见一近红外透射光谱等手段对样品的物相和性能进行了研究。结果表明:金红石相的SnO_2:F底膜促进了... 以Ti(OC_3H_7)_4为先驱体,SnO_2:F镀膜玻璃为基板,采用常压化学气相沉积法制备了TiO_2/SnO_2:F复合薄膜。用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见一近红外透射光谱等手段对样品的物相和性能进行了研究。结果表明:金红石相的SnO_2:F底膜促进了TiO_2金红石相的形成:当基板温度为480℃时。TiO_2/SnO_2:F复合薄膜出现针状结构。但随着基板温度继续升高,针状结构消失。样品的可见光透过率随基板温度而变化,其值为60%~90%,基本满足建筑物的采光要求。当基板温度为530℃时,TiO_2/SnO_2:F复合薄膜的光催化性能最好。 展开更多
关键词 二氯化钛 掺氟二氧化锡 常压化学气相沉积 节能 光催化性
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N_2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究 被引量:5
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作者 苏宏波 戴江南 +3 位作者 王立 蒲勇 方文卿 江风益 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1112-1114,共3页
采用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)技术、三步生长法,分别以H2O和N2O为氧源,DEZn为Zn源,N2作载气,在c-Al2O3衬底上生长出了晶体质量较好的ZnO薄膜。用X射线双晶衍射(DCXRD)和光致发光谱对ZnO薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。... 采用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)技术、三步生长法,分别以H2O和N2O为氧源,DEZn为Zn源,N2作载气,在c-Al2O3衬底上生长出了晶体质量较好的ZnO薄膜。用X射线双晶衍射(DCXRD)和光致发光谱对ZnO薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果显示,ZnO倾斜对称面(10-12)的ω扫描半峰全宽为350″,表明ZnO薄膜结晶性能良好;低温10 K光致发光谱结果表明,N2O为氧源生长的ZnO膜和H2O为氧源生长的ZnO膜的发光特性明显不同,没有观察到与氢有关的中性施主束缚激子对应的3.331 eV双电子卫星峰(TES)。这一结果表明,用N2O为氧源生长的ZnO薄膜中不易引进氢杂质。 展开更多
关键词 薄膜光学 双电子卫星峰 光致发光 常压有机金属化学气相沉积 ZNO N2O
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
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作者 史延爽 王浩铭 +2 位作者 田原 张旭 武永超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期544-548,共5页
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c... 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO_(2)薄膜,首先研究不同沉积温度、SiH_(4)和O_(2)的体积流量比对沉积速率和SiO_(2)薄膜致密性的影响,进一步探究了不同退火温度对SiO_(2)薄膜致密性的影响,以期获得致密性较高的SiO_(2)薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO_(2)薄膜的表面形貌,采用F50膜厚测试仪测试SiO_(2)薄膜的厚度。结果表明,沉积温度为400℃,SiH_(4)和O_(2)的体积流量比为1∶10,退火温度为1100℃时,制备的SiO_(2)薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率
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铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨 被引量:5
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作者 李浩 付志兵 +3 位作者 王红斌 易勇 黄维 张继成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期301-306,共6页
化学气相沉积是目前最重要的ー种制备高质量、大面积石墨烯的方法.而铜是化学气相沉积法制备石墨烯中最常用的生长基底.虽然有大量文章报道了关于石墨烯的生长条件及生长机理,但是作为最广泛采用的材料,铜基底上双层及多层石墨烯的生长... 化学气相沉积是目前最重要的ー种制备高质量、大面积石墨烯的方法.而铜是化学气相沉积法制备石墨烯中最常用的生长基底.虽然有大量文章报道了关于石墨烯的生长条件及生长机理,但是作为最广泛采用的材料,铜基底上双层及多层石墨烯的生长机理仍然在探索中,本文采用常压化学气相沉积法,以乙醇为碳源在铜基底上生长石墨烯,并将其转移到SiO_2/Si基底上.用场发射扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、光学显微镜对所制备的石墨烯进行表征和层数分析,对转移到不同基底上的不同层数的石墨烯进行了透光性分析.结果表明,常压条件下铜箔表面能够生长出质量较高、连续性较好的双层至多层石墨烯.此外,我们还对铜基底上双层至多层石墨烯的生长机理进行了探讨. 展开更多
关键词 石墨烯 常压化学气相沉积 双层至多层 生长机理
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陶瓷衬底上淀积薄膜α-Fe_2O_3材料的微结构和气敏特性研究 被引量:3
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作者 柴常春 彭军 +1 位作者 郭振琪 镇桂芹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期493-498,共6页
本文用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α-Fe_2O_3气敏薄膜.对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和扫描电子显微分析(SEM).研究了淀积工艺条件对α-Fe_2O_3薄膜的粒... 本文用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α-Fe_2O_3气敏薄膜.对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和扫描电子显微分析(SEM).研究了淀积工艺条件对α-Fe_2O_3薄膜的粒度的影响.气敏特性研究表明,用APCVDI艺制备的超微粒α-Fe_2O_3薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性,这种薄膜可用于感烟探测器. 展开更多
关键词 微结构 氧化铁 气敏性 陶瓷薄膜 衬底 淀积
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氢气浓度对常压化学气相沉积ZrC涂层的影响 被引量:4
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作者 李国栋 郑湘林 +1 位作者 熊翔 孙威 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1795-1801,共7页
采用ZrCl4-CH4-H2-Ar体系在C/C材料基体上进行常压化学气相沉积(APCVD)制备碳化锆(ZrC)涂层。通过X射线衍射技术(XRD)和扫描电镜(SEM)对不同H2浓度下制备的ZrC涂层进行分析。对H2在沉积过程中的作用机制进行了讨论。结果表明:H2浓度对... 采用ZrCl4-CH4-H2-Ar体系在C/C材料基体上进行常压化学气相沉积(APCVD)制备碳化锆(ZrC)涂层。通过X射线衍射技术(XRD)和扫描电镜(SEM)对不同H2浓度下制备的ZrC涂层进行分析。对H2在沉积过程中的作用机制进行了讨论。结果表明:H2浓度对涂层的相组成、晶体的择优取向和结构形态有重要影响;无H2或H2浓度较低时,涂层含有大量的热解碳,由ZrC和碳两相组成,涂层呈多孔颗粒状;当H2浓度(体积分数)增加到30%以上时,涂层的相成分变为单一ZrC相;当H2的浓度增加到90%时,ZrC晶体取向由(111)、(200)转变为强烈的(220)择优取向,晶粒形貌变为纳米针状。 展开更多
关键词 ZrC涂层 常压化学气相沉积 H2浓度 择优取向
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水对常压CVD法制备SnO2:F透明导电薄膜雾度的影响 被引量:4
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作者 陈峰 张振华 +2 位作者 赵会峰 赖新宇 姜宏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期561-565,共5页
为制备高雾度、高透过和高导电透明导电薄膜玻璃,采用常压CVD法在硼硅玻璃基板上分别以单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱物、三氟乙酸(TFA)为掺杂剂、去离子水为催化剂,制备了Sn O_2:F透明导电薄膜。研究了不同水用量对薄膜雾度的影响,并分... 为制备高雾度、高透过和高导电透明导电薄膜玻璃,采用常压CVD法在硼硅玻璃基板上分别以单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱物、三氟乙酸(TFA)为掺杂剂、去离子水为催化剂,制备了Sn O_2:F透明导电薄膜。研究了不同水用量对薄膜雾度的影响,并分析影响雾度变化的机理。结果表明:通过调节水的用量可实现高雾度、高透过和高导电薄膜的生成。随着水用量的增加,薄膜平均晶粒尺寸、结晶度和雾度先增大后减小;当水用量为MBTC摩尔量的1.5倍时,制备出雾度为14.3%、可见光透过率为76.8%、方块电阻为3.2?/□的薄膜。水的加入和用量的调节有效的解决了雾度和透过率之间相互影响的难题。 展开更多
关键词 水含量 常压化学气相沉积 雾度 氟掺杂氧化锡薄膜
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基底表面预氧化对SiO_2/S复合涂层的影响 被引量:4
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作者 周建新 徐宏 +2 位作者 张莉 刘京雷 戚学贵 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期146-151,共6页
为了减缓乙烯裂解炉管内表面的结焦,采用常压化学气相沉积方法,以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体。在预氧化的HP40合金试样上制备了SiO2/S复合涂层。分析了沉积温度、气体流速和沉积时间对涂层沉积速率的影响。利... 为了减缓乙烯裂解炉管内表面的结焦,采用常压化学气相沉积方法,以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体。在预氧化的HP40合金试样上制备了SiO2/S复合涂层。分析了沉积温度、气体流速和沉积时间对涂层沉积速率的影响。利用扫描电镜、XPS和Raman光谱分别对涂层的形貌、成分和化学结构进行了表征,并对预氧化试样与涂层的结合进行了实验研究。结果表明,涂层主要由三节环Si2O-Si结构和Si-O-S结构组成,预氧化的试样涂层沉积速率是未氧化试样的2~3倍,试样氧化后涂层的抗热冲击性能和结合强度得到了提高。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积 SiO2/S复合涂层 HP40合金 预氧化
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常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃 被引量:3
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作者 黄燕飞 任招娣 +4 位作者 沈美 杜军 魏德法 马宁 杜丕一 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1694-1699,共6页
以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉积法模拟玻璃浮法在线镀膜工艺,在玻璃基板上成功制备了Ti5Si3薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、... 以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉积法模拟玻璃浮法在线镀膜工艺,在玻璃基板上成功制备了Ti5Si3薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、四探针测阻仪和分光光度计对薄膜的相结构、形貌、电学、光学性能进行了表征。结果表明:薄膜为六方结构的Ti5Si3晶相,晶相含量较高,晶粒尺寸为23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶颗粒团聚体形式存在。薄膜电阻率为122μΩ·cm,与Ti5Si3晶体的本征电阻率相当。这种单层镀膜玻璃的红外反射率可高达92.1%,可见光区的透过率为25%,兼具阳光控制和低辐射功能。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积法 硅化钛 红外反射 透射率 电阻率
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退役炉管内表面二氧化硅涂层的制备及抗结焦性能研究 被引量:3
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作者 栾小建 徐宏 +2 位作者 王志远 周建新 朱巍 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期67-71,73,共6页
采用常压化学气相沉积法在退役Fe-Cr-Ni炉管内表面制备了SiO2涂层,对其抗结焦性能进行了研究。运用扫描电子显微镜和能量色散谱仪分析了原始退役炉管及SiO2涂层的表面形貌和组织结构;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的抗结焦能力... 采用常压化学气相沉积法在退役Fe-Cr-Ni炉管内表面制备了SiO2涂层,对其抗结焦性能进行了研究。运用扫描电子显微镜和能量色散谱仪分析了原始退役炉管及SiO2涂层的表面形貌和组织结构;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的抗结焦能力,并对其抗热冲击性能进行了研究。结果表明,所制备的涂层表面完整、粒子结合致密,结焦试验2 h的结焦抑制率为70.6%;涂层可以经受7次900℃高温水冷热冲击试验。采用常压化学气相沉积法在炉管内表面制备SiO2涂层是行之有效的抑制结焦的方法。 展开更多
关键词 退役炉管 SiO2涂层 常压化学气相沉积法 结焦 热冲击
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遮阳可控性低辐射玻璃的制备及性能 被引量:3
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作者 陈峰 姜宏 +2 位作者 赵会峰 张振华 鲍思权 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期77-81,共5页
本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb(ATO)薄膜和SnO_2∶F(FTO)/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电性能的影响。结果表明:单层ATO薄膜和复合薄膜均为四方金红石型多晶SnO_2薄膜,且结晶性能良好,结晶度... 本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb(ATO)薄膜和SnO_2∶F(FTO)/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电性能的影响。结果表明:单层ATO薄膜和复合薄膜均为四方金红石型多晶SnO_2薄膜,且结晶性能良好,结晶度高。单层ATO薄膜可明显降低玻璃的透过率,改善玻璃的导电性和遮阳性。复合薄膜相对于单层ATO薄膜,导电性、遮阳性和辐射性能均有较大的提升,薄膜电阻率、遮阳系数和辐射率随着复合薄膜膜厚的增加而逐渐降低,薄膜晶粒增大。当复合薄膜厚度为821nm时,薄膜电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm,遮阳系数和辐射率分别为0.50和0.06,远红外反射率达到93.9%。 展开更多
关键词 常压CVD FTO/ATO复合薄膜 遮阳系数 辐射率
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APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能 被引量:3
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作者 杨磊 刘涌 +5 位作者 王慷慨 丛炳俊 程波 陆妍 林俊君 宋晨路 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期526-529,541,共5页
透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功... 透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃~550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善. 展开更多
关键词 透明导电氧化物薄膜 常压化学气相沉积 晶体质量 光电性能
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常压化学气相沉积SiO_2涂层的制备及其性能研究 被引量:3
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作者 马良 黄志荣 +1 位作者 罗小秋 钱瑜明 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期113-116,共4页
以正硅酸乙酯(TEOS)为源物质,空气为载气和稀释气,采用常压化学气相沉积法(APCVD)在HP40钢表面制备了SiO2涂层.采用光学显微镜、扫描电子显微镜、能量色散能谱仪、D\MAX-C型X射线衍射仪、显微硬度仪等,研究了SiO2涂层的组织结构、表面... 以正硅酸乙酯(TEOS)为源物质,空气为载气和稀释气,采用常压化学气相沉积法(APCVD)在HP40钢表面制备了SiO2涂层.采用光学显微镜、扫描电子显微镜、能量色散能谱仪、D\MAX-C型X射线衍射仪、显微硬度仪等,研究了SiO2涂层的组织结构、表面形貌、物相组成和显微硬度;并用热震实验法和剥离实验法研究了涂层与HP40基体的结合强度.结果表明,所制备的SiO2涂层厚度约为1μm,由细小颗粒组成,颗粒比较均匀、大部分颗粒的粒径均在1μm以下;涂层无明显孔隙,与基体的结合强度较高;其显微硬度明显高于HP40基体. 展开更多
关键词 常压化学气相沉积法(APCVD) SiO2涂层 HP40钢 粘结强度
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石墨烯保护层对铜电化学腐蚀行为的影响研究 被引量:2
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作者 马琼 章海霞 +3 位作者 郭俊杰 黄增鑫 王永祯 许并社 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期845-849,854,共6页
以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯。采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1 mol/L NaCl溶液中的抗腐蚀性能进行了研究。结果表明,石墨烯/铜样品的自腐蚀电位比纯铜箔的高0.114 V,... 以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯。采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1 mol/L NaCl溶液中的抗腐蚀性能进行了研究。结果表明,石墨烯/铜样品的自腐蚀电位比纯铜箔的高0.114 V,腐蚀电流密度较纯铜箔的低1个数量级,极化电阻较纯铜箔的高4.4倍,阻抗模值比纯铜箔的提高了约1个数量级。因此,石墨烯可以作为铜表面的保护层,抑制铜在NaCl溶液中发生电化学反应,从而增强铜的抗腐蚀性能。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积 石墨烯 电化学测试 抗腐蚀性能
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喷涂距离对APCVD制备的TiN薄膜性能的影响(英文)
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作者 张天播 赵高凌 +4 位作者 郑鹏飞 徐刚 汪建勋 翁文剑 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期606-610,共5页
以TiCl4和NH3为原料,用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了TiN薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电阻仪、紫外-可见光谱仪等研究了喷涂距离(输入TiCl4管道末端到基板之间的距离)对沉积的TiN薄膜的结晶性能和表面形... 以TiCl4和NH3为原料,用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了TiN薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电阻仪、紫外-可见光谱仪等研究了喷涂距离(输入TiCl4管道末端到基板之间的距离)对沉积的TiN薄膜的结晶性能和表面形貌,以及薄膜的电学性能和光学性能的影响。结果表明:当喷涂距离为5cm和10cm时,玻璃基板表面形成电阻较高、反射率较低的较疏松薄膜。当喷涂距离增加到13cm和15cm时,可以得到结晶良好、低电阻、高反射、致密的TiN薄膜。当喷涂距离进一步增加到20cm以上,得到的薄膜的电阻率随之升高而反射率下降。对喷涂距离对薄膜性能的影响机理进行了分析,认为喷涂距离的变化会影响扩散到达并吸附在基板表面的反应物分子数量比例,进而影响沉积薄膜的性能。 展开更多
关键词 氮化钛 常压化学气相沉积 喷涂距离
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