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Effect of mass transfer channels on flexural strength of C/SiC composites fabricated by femtosecond laser assisted CVI method with optimized laser power 被引量:3
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作者 Jing Wang Liyang Cao +3 位作者 Yunhai Zhang Yongsheng Liu Hui Fang Jie Chen 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CAS CSCD 2021年第2期227-236,共10页
In this study,femtosecond laser assisted-chemical vapor infiltration(LA-CVI)was employed to produce C/SiC composites with 1,3,and 5 rows of mass transfer channels.The effect of laser machining power on the quality of ... In this study,femtosecond laser assisted-chemical vapor infiltration(LA-CVI)was employed to produce C/SiC composites with 1,3,and 5 rows of mass transfer channels.The effect of laser machining power on the quality of produced holes was investigated.The results showed that the increase in power yielded complete hole structures.The as-obtained C/SiC composites with different mass transfer channels displayed higher densification degrees with flexural strengths reaching 546±15 MPa for row mass transfer channel of 3.The strengthening mechanism of the composites was linked to the increase in densification and formation of"dense band"during LA-CVI process.Multiphysics finite element simulations of the dense band and density gradient of LA-CVI C/SiC composites revealed C/SiC composites with improved densification and lower porosity due to the formation of"dense band"during LA-CVI process.In sum,LA-CVI method is promising for future preparation of ceramic matrix composites with high densities. 展开更多
关键词 C/SIC laser assisted-chemical vapor infiltration(LA-CVI) mass transfer channels laser power flexural strength
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金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列 被引量:6
2
作者 吕文辉 张帅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期363-365,397,共4页
基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵... 基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。 展开更多
关键词 硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 形貌控制
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图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能 被引量:3
3
作者 吕文辉 张帅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期486-489,共4页
结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发... 结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。 展开更多
关键词 图形化的硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 场发射
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利用RELACS辅助技术制作“T”型栅 被引量:1
4
作者 付兴昌 胡玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期748-750,共3页
利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂... 利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的。此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率。RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T"型栅制作中。 展开更多
关键词 分辨率增强光刻辅助化学收缩 “T”型栅 i线光刻胶 三层胶结构
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高分子辅助化学溶液沉积法制备高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层的研究
5
作者 张欣 王文涛 +4 位作者 张敏 张勇 张酣 雷鸣 赵勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期1854-1857,共4页
采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整... 采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整致密,无裂纹存在,并具有优异的双轴织构。通过台阶仪测试该BZO缓冲层的膜厚,结果显示膜厚超过250nm。 展开更多
关键词 高分子辅助 化学溶液沉积法 涂层导体 BaZrO3缓冲层
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退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响 被引量:10
6
作者 王金忠 杜国同 +6 位作者 王新强 闫玮 马燕 姜秀英 杨树人 高鼎三 Chang R P H 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期178-180,共3页
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明 :分段退火样品在 380nm附近出现了... 生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明 :分段退火样品在 380nm附近出现了单一激子发射峰 ,而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰 ,同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。 展开更多
关键词 等离子体金属有机物化学汽相淀积 光致发光光谱 ZNO 氧化锌 薄膜 结构 发光特性 退火
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超声波辅助化学萃取对某工业场地铅污染土壤修复效果研究 被引量:10
7
作者 王鑫杰 黄锦楼 +1 位作者 刘志强 岳希 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期3704-3708,共5页
以某铅蓄电池厂污染场地5个铅污染区域(WS、A、B、C及BZ)的土壤为研究对象,对土壤中铅全量及各形态含量进行分析.在0.1 mol.L-1EDTA,30 min,25℃相同条件下,使用超声波辅助化学洗脱(ultrasonic-assisted chemical extraction,UCE)与传... 以某铅蓄电池厂污染场地5个铅污染区域(WS、A、B、C及BZ)的土壤为研究对象,对土壤中铅全量及各形态含量进行分析.在0.1 mol.L-1EDTA,30 min,25℃相同条件下,使用超声波辅助化学洗脱(ultrasonic-assisted chemical extraction,UCE)与传统化学洗脱(conventional chemical extraction,CCE)两种不同的作用方式,对铅的去除效率进行比较,并对两种不同清洗方式后铅的形态变化进行了探讨.结果表明,UCE对铅的去除效率显著优于CCE.在CCE作用下,5份污染土壤WS、A、B、C、BZ铅的去除效率依次为10.06%、48.29%、48.69%、53.28%及36.26%,而UCE作用下铅的去除效率依次为22.42%、69.31%、71.00%、74.49%及71.58%,平均效率高出22%.通过对比两种清洗方式后土壤中的铅形态发现,酸可提取态在UCE作用后持平或有所降低,但CCE后使酸溶态有增高的趋势;对于铁锰氧化态,UCE对其有着极好的去除能力,可达98%左右,同时对有机物及硫化物结合态、残渣态也具有较好的去除能力.因此,UCE在化学萃取中的应用具有一定的可行性,是一种简单、极快速去除污染场地中重金属铅的增效手段. 展开更多
关键词 超声波辅助化学洗脱 传统化学洗脱 铅污染土壤 铅形态 增效洗脱
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电解放电复合加工技术现状与展望
8
作者 赵永华 刘为东 +2 位作者 刘江文 卢家俊 邹治湘 《电加工与模具》 北大核心 2024年第1期1-18,共18页
电解放电复合加工是实现电加工技术创新和突破的重要途径,可通过耦合放电与电解能场,利用其时/空协同效应实现在可加工性、加工精度及表面质量等方面的提升,故在介绍电解放电复合加工技术概念和原理分类的基础上,着重概述该领域近十年... 电解放电复合加工是实现电加工技术创新和突破的重要途径,可通过耦合放电与电解能场,利用其时/空协同效应实现在可加工性、加工精度及表面质量等方面的提升,故在介绍电解放电复合加工技术概念和原理分类的基础上,着重概述该领域近十年来的关键性研究进展和新技术创新,对除电火花-电解组合加工和电弧复合加工之外的各类电解放电复合加工技术的未来发展方向进行了展望,指出该技术的规模化工程应用仍需在性能突破、精确建模、加工过程智能控制、复合加工装备等方面取得突破性进展。 展开更多
关键词 电解辅助电火花加工 电火花辅助电解加工 等离子体辅助电解加工 火花辅助化学雕刻 射流电化学放电加工 电解等离子体化学刻蚀
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脉冲微波辅助化学还原合成Pt/C催化剂及其电催化氧还原性能 被引量:9
9
作者 王喜照 郑俊生 +1 位作者 符蓉 马建新 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第1期85-90,共6页
采用脉冲微波辅助化学还原法制备了质子交换膜燃料电池(PEMFC)用Pt/C催化剂.通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等分析技术对催化剂的微观结构和形貌进行了表征,并利用循环伏安(CV)、线性扫描(LSV)和恒电位测量等方法评价了催化剂催化... 采用脉冲微波辅助化学还原法制备了质子交换膜燃料电池(PEMFC)用Pt/C催化剂.通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等分析技术对催化剂的微观结构和形貌进行了表征,并利用循环伏安(CV)、线性扫描(LSV)和恒电位测量等方法评价了催化剂催化氧还原性能.在此基础上制备了膜电极(MEA)并组装成单电池,考察了制备的Pt/C催化剂作为阴极催化剂材料的电催化性能.结果表明,脉冲微波辅助化学还原法是一种制备PEMFC催化剂的有效方法,溶液pH值和微波功率对Pt颗粒直径和分散有重要影响.TEM和XRD结果显示,当溶液pH值为10且微波功率为2kW时,Pt纳米粒子较均匀地分散在碳载体上,粒径分布在1.3-2.4nm之间,平均粒径为1.8nm.CV、LSV和恒电位测试结果表明,该催化剂电化学比表面积(ESA)为55.6m2·g-1,具有良好的催化氧还原反应活性和稳定性.单电池测试结果表明,在溶液pH值为10条件下,微波功率为2kW时制备的催化剂作阴极催化剂时,单电池最高功率密度为2.26W·cm-2·mg-1,高于微波功率为1kW时的最高功率密度(2.15W·cm-2·mg-1)和Johnson Matthey催化剂的最高功率密度(1.89W·cm-2·mg-1). 展开更多
关键词 脉冲微波辅助化学还原 微波功率 PH值 燃料电池 PT/C催化剂 氧还原反应
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单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺 被引量:9
10
作者 何艳 苑泽伟 +1 位作者 段振云 张幼军 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期115-121,共7页
为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳... 为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9(33)正交试验研制光催化辅助化学机械抛光抛光液,采用对碳化硅晶片表面粗糙度跟踪检测的方法确定优化加工工艺.甲基紫有机显色剂静态氧化试验结果表明:光催化剂对抛光液氧化性的影响最大,其次是电子俘获剂,再次是分散剂;较好的抛光液配方为二氧化钛0.5 g獉L-1、过氧化氢1.5 mol獉L-1、六偏磷酸钠0.1 g獉L-1.确定的优化抛光工艺为:采用5μm和2μm金刚石微粉分别研磨单晶碳化硅晶片30 min,材料去除率分别为8.72μm/h和4.56μm/h;然后采用光催化辅助化学机械抛光单晶碳化硅去除机械研磨带来的损伤,粗抛光选用0.5μm氧化铝微粉抛光60 min,精抛光选用0.05μm氧化铝微粉抛光50 min,粗抛光和精抛光的材料去除率分别为1.81μm/h和1.03μm/h.用该工艺抛光单晶碳化硅,获得的表面粗糙度约为0.47 nm,基本能满足单晶碳化硅高效、超光滑、低损伤的抛光要求. 展开更多
关键词 碳化硅 抛光液 机械研磨 光催化辅助化学机械抛光 抛光工艺
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高温超导薄膜在激光辅助化学刻蚀中的表面特性 被引量:3
11
作者 刘娟秀 羊恺 +3 位作者 补世荣 张天良 宁俊松 罗正祥 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期296-298,共3页
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论。研究发... 提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论。研究发现:在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,将极大改善刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度,且整个过程中的刻蚀速率呈现加快趋势;无掩膜时,YBCO表面刻蚀程度持续过渡,激光光斑边界两侧并非严格分界;衬底铝酸镧(LaAlO3)的晶向对YBCO薄膜的表面刻蚀特征有较大影响,沿LaAlO3晶向方向的刻蚀程度高于非晶向方向。 展开更多
关键词 激光辅助化学刻蚀 高温超导薄膜 钇钡铜氧(YBCO)
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锂离子电池多孔硅负极材料制备及工艺优化
12
作者 赵添婷 朱德伦 +1 位作者 杨林 周鑫磊 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期31-38,共8页
为了有效改善硅基负极材料的性能及降低制备成本,以微米级单质硅为原料,通过金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅负极材料,该方法步骤简单可控、成本低廉,易于大规模生产。采用场发射扫描电镜和电池测试系统,对比分析不同工艺参数下制得的硅... 为了有效改善硅基负极材料的性能及降低制备成本,以微米级单质硅为原料,通过金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅负极材料,该方法步骤简单可控、成本低廉,易于大规模生产。采用场发射扫描电镜和电池测试系统,对比分析不同工艺参数下制得的硅负极材料的形貌和性能差异,从而进行工艺优化,并得出较优的工艺参数:Ag NO_(3)浓度约为0.015 mol/L、伽伐尼反应时间选择1~4 min、刻蚀剂中C_(HF)/(C_(H_(2)O_(2))+C_(HF))为70%~90%。在合适的工艺参数下制备的多孔硅负极材料电化学性能明显优于硅负极材料,在0.5C倍率下循环50次后容量仍有1 130.7 m A·h/g,在2C、5C的倍率下仍有929、669 m A·h/g的较高比容量。该方法得到的多孔硅负极材料能够有效缓解单质硅负极材料体积膨胀严重和导电性差的问题,从而有效提高其电化学性能。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 多孔硅 金属辅助化学刻蚀
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非常规油气田开发含油岩屑环保无害化处理技术
13
作者 韩冬 毕璇 +1 位作者 万盈 陈建林 《当代化工》 CAS 2024年第5期1170-1173,共4页
非常规油气田的勘探开发通常使用大量的油基钻井液,在钻井过程中不可避免地产生较多的含油岩屑,给周边生态环境带来了较大的污染威胁。为了提高此类含油岩屑的处理效率,达到含油岩屑环保无害化处理的目的,采用超声波辅助化学清洗法对含... 非常规油气田的勘探开发通常使用大量的油基钻井液,在钻井过程中不可避免地产生较多的含油岩屑,给周边生态环境带来了较大的污染威胁。为了提高此类含油岩屑的处理效率,达到含油岩屑环保无害化处理的目的,采用超声波辅助化学清洗法对含油岩屑进行了清洗处理,并优化了处理工艺参数。结果表明:液固质量比越大、清洗剂质量分数越高、实验温度越高,经过超声-化学清洗处理后的岩屑含油率相对就越低;而随着清洗时间的延长以及超声功率的增大,处理后的岩屑含油率则呈现出“先降低后升高”的趋势。当实验液固质量比为4∶1、清洗剂质量分数为8%、清洗温度为40℃、清洗时间为30 min、超声功率为300 W时,对目标含油岩屑的清洗处理效果最好,处理后的岩屑含油率可以降低至0.22%,能够达到国家标准GB 18599—2020中的排放要求。研究结果可为非常规油气田开发含油岩屑的高效处理提供一种参考。 展开更多
关键词 非常规油气田 油基钻井液 含油岩屑 超声辅助化学清洗 环保无害化
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晶体硅太阳电池表面纳米线阵列减反射特性研究 被引量:6
14
作者 梁磊 徐琴芳 +3 位作者 忽满利 孙浩 向光华 周利斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期335-341,共7页
为增强晶体硅太阳电池的光利用率,提高光电转换效率,研究了硅纳米线阵列的光学散射性质.运用严格耦合波理论对硅纳米线阵列在310—1127nm波段的反射率进行了模拟计算,用田口方法对硅纳米线阵列的表面传输效率进行了优化.结果表明,当硅... 为增强晶体硅太阳电池的光利用率,提高光电转换效率,研究了硅纳米线阵列的光学散射性质.运用严格耦合波理论对硅纳米线阵列在310—1127nm波段的反射率进行了模拟计算,用田口方法对硅纳米线阵列的表面传输效率进行了优化.结果表明,当硅纳米线阵列的周期为50nm,占空比为0.6,高度约1000nm时减反射效果最佳;该结构在上述波段的平均反射率约为2%,且在较大入射角度范围保持不变.采用金属催化化学腐蚀法,于室温、室压条件下在单晶硅表面制备周期为60nm,占空比为0.53,高度为500nm的硅纳米线阵列结构,其反射率的实验测试结果与计算模拟值相符,在上述波段的平均反射率为4%—5%,相对于单晶硅35%左右的反射率,减反射效果明显.这种减反射微结构能够在降低太阳电池成本的同时有效减小单晶硅表面的光反射损失,提高光电转换效率. 展开更多
关键词 减反射 硅纳米线阵列 严格耦合波理论 金属催化硅化学刻蚀
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气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO_2薄膜及其性能 被引量:6
15
作者 王轩 梁波 +2 位作者 邸庆银 赵洪力 杨静凯 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期243-249,共7页
采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结... 采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结构;前驱液中F/Sn摩尔比的增加,会导致(110)面的衍射峰强度增加,薄膜表面堆积颗粒形状发生变化,薄膜样品光学透过率提升;当F/Sn摩尔比=40%时,FTO薄膜具有最大的载流子浓度1.031×10^(21) cm^(–3)以及最小的电阻率3.42×10^(–4)?·cm,这可归结为适量F的存在产生不同的缺陷影响。(200)面择优取向FTO薄膜光致发光谱可用于表征不同缺陷形式的跃迁。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积法 氟掺杂二氧化锡薄膜 氟掺杂量 电学性能 光致发光
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基于倒金字塔结构的自供电Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器
16
作者 陈佳年 沈鸿烈 +3 位作者 李玉芳 张静喆 李贺超 张文浩 《南京航空航天大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期188-196,共9页
随着光电器件的进一步发展,陷光结构得到广泛关注,但是倒金字塔结构、尺寸与其陷光性能之间的关系有待深入研究。本文采用铜银共辅助腐蚀法制备倒金字塔结构并实现倒金字塔结构的尺寸在1μm以下调控,研究发现平均尺寸为1μm倒金字塔结... 随着光电器件的进一步发展,陷光结构得到广泛关注,但是倒金字塔结构、尺寸与其陷光性能之间的关系有待深入研究。本文采用铜银共辅助腐蚀法制备倒金字塔结构并实现倒金字塔结构的尺寸在1μm以下调控,研究发现平均尺寸为1μm倒金字塔结构具有最优异的陷光性能。将具有优异陷光性能的倒金字塔结构硅衬底应用于Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器,该光电探测器在外加0 V偏压条件下对980 nm波长的光具有61mA/W的响应度和9.20×10^(12)Jones的比探测率,实现了卓越的光电响应性能。本文为高性能Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器的制备提供了一种新思路,证明了倒金字塔结构具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 单晶硅 金属辅助化学腐蚀法 倒金字塔结构 自供电 异质结光电探测器
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硅纳米线阵列光电探测器研究进展 被引量:1
17
作者 刘晓轩 孙飞扬 +2 位作者 吴颖 杨盛谊 邹炳锁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期335-349,共15页
硅(Si)作为最重要的半导体材料之一,被广泛应用于太阳电池、光电探测器等光电器件中.由于硅和空气之间的折射率差异,大量的入射光在硅基表面即被反射.为了抑制这种反射带来的损失,多种具有强陷光效应的硅纳米结构被研发出来.采用干法蚀... 硅(Si)作为最重要的半导体材料之一,被广泛应用于太阳电池、光电探测器等光电器件中.由于硅和空气之间的折射率差异,大量的入射光在硅基表面即被反射.为了抑制这种反射带来的损失,多种具有强陷光效应的硅纳米结构被研发出来.采用干法蚀刻方案多数存在成本高昂、制备复杂的问题,而湿法蚀刻方案所制备的硅纳米线阵列则存在间距等参数可控性较低、异质结有效面积较小等问题.聚苯乙烯微球掩膜法可结合干法及湿法蚀刻各自的优点,容易得到周期性硅纳米线(柱)阵列.本文首先概述了硅纳米线结构的性质和制备方法,总结了有效提升硅纳米线(柱)阵列光电探测器性能的策略,并分析了其中存在的问题.进而,讨论了基于硅纳米线(柱)阵列光电探测器的最新进展,重点关注其结构、光敏层的形貌以及提高光电探测器性能参数的方法.最后,简要介绍了其存在的主要问题及可能的解决方案. 展开更多
关键词 硅纳米线 硅纳米线阵列 干法蚀刻和湿法蚀刻 金属辅助化学蚀刻 光电探测器
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YBCO高温超导薄膜激光化学腐蚀进程的实验观测 被引量:1
18
作者 羊恺 曾华新 +2 位作者 刘娟秀 补世荣 罗正祥 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期32-34,共3页
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,并且在整个过程中,刻蚀速率呈现加快趋势,这一特性将有... 提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,并且在整个过程中,刻蚀速率呈现加快趋势,这一特性将有可能用于改善YBCO刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度。 展开更多
关键词 激光辅助化学刻蚀 高温超导薄膜 钇钡铜氧
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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展
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作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页
二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素
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籽晶辅助化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列 被引量:4
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作者 潘景伟 马向阳 +1 位作者 张辉 杨德仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1304-1308,共5页
采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液... 采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液中Zn源的初始浓度等对ZnO纳米棒阵列生长的影响,由此得到了结晶性好且几乎垂直于衬底方向的ZnO纳米棒阵列的生长条件,为制备基于ZnO纳米棒阵列的器件提供了条件。 展开更多
关键词 ZNO 纳米阵列 籽晶辅助化学水浴沉积法 扫描电子显微镜 X射线衍射
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