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0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器 被引量：6
1
作者 张欢 张昭阳 +1 位作者 张晓朋 高博 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期850-855,885,共7页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。 展开更多
关键词 驱动放大器 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 高线性 有源偏置电路 低损耗功分网络
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一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器 被引量：2
2
作者 张博 贺城峰 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期370-375,共6页
采用0.5μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片。针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有稳压功能的有源偏置电路,既能补偿放大管阈值电压随温度的变化,又不受电源电压波动影响,同时在放大管的... 采用0.5μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片。针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有稳压功能的有源偏置电路,既能补偿放大管阈值电压随温度的变化,又不受电源电压波动影响,同时在放大管的栅源两端增加反馈电容,以改善线性度与输入输出匹配度。测试结果显示,在频带内最大增益可达23 dB,噪声系数小于1.4 dB,OIP3大于35 dBm,P1dB大于23 dBm,芯片尺寸为1.00 mm×0.95 mm。 展开更多
关键词 砷化镓 高线性度 有源偏置 稳压电路 低噪声放大器
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基于绝对值电路的有源电力滤波器前端采样设计
3
作者 李永进 吴彦文 +1 位作者 张恩寿 梁寅 《云南电力技术》 2017年第5期128-130,共3页
针对微处理器只能处理单极性电信号的特点,结合有源电力滤波器前端采样电路的设计,本文提出一种绝对值采样电路设计方案,并对比基于绝对值电路采样的设计方案与基于直流偏置采样的设计方案的处理精度,在进行信号完整性分析和仿真研究后... 针对微处理器只能处理单极性电信号的特点,结合有源电力滤波器前端采样电路的设计,本文提出一种绝对值采样电路设计方案,并对比基于绝对值电路采样的设计方案与基于直流偏置采样的设计方案的处理精度,在进行信号完整性分析和仿真研究后,发现基于绝对值电路采样设计方案设计出的采样电路具有较高电流采样精度。 展开更多
关键词 谐波治理 有源电力滤波器 直流偏置电路 绝对值电路
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基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计 被引量：1
4
作者 焦凌彬 姚凤薇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1202-1208,共7页
采用2μm砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(HBT)工艺设计和实现了一种3.3~3.8 GHz的高线性度射频(RF)功率放大器(PA)。采用了一种改进的有源自适应偏置电路结构,既提高了静态偏置电流的稳定性和可控性,又对增益压缩起到了抑制作用。优化... 采用2μm砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(HBT)工艺设计和实现了一种3.3~3.8 GHz的高线性度射频(RF)功率放大器(PA)。采用了一种改进的有源自适应偏置电路结构,既提高了静态偏置电流的稳定性和可控性,又对增益压缩起到了抑制作用。优化了各级匹配网络,抑制了谐波分量的影响,在低电源电压下实现了较高的增益和良好的线性指标。仿真结果显示:测量的小信号增益大于33.4 dB;1 dB压缩点功率为31.3 dBm@3.55 GHz;功率附加效率超过30%@3.55 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-50 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-40 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄露比为-37.62 dBc。 展开更多
关键词 射频功率放大器 有源自适应偏置电路 匹配网络 高线性度
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用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计
5
作者 张东晖 张万荣 +3 位作者 谢红云 丁春宝 赵昕 刘波宇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期224-228,共5页
偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大... 偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8～2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。 展开更多
关键词 双有源偏置电路 低噪声放大器 线性度 噪声系数 输入3阶交调点
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