射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质 被引量：16

1

作者 谢婧 黎兵 +9 位作者 李愿杰 颜璞 冯良桓 蔡亚平 郑家贵 张静全 李卫 武莉莉 雷智 曾广根 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期5749-5754,共6页

实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach... 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明:衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300℃退火处理后结晶质量有所提高. 展开更多

关键词 zns薄膜 射频磁控溅射 内应力

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ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管 被引量：9

2

作者 仲飞 叶勤 +3 位作者 刘彭义 翟琳 吴敬 张靖垒 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-881,共5页

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度... 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。 展开更多

关键词 有机发光二极管 zns超薄膜 空穴缓冲层 电流效率

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真空热处理对硫化锌薄膜光学与微结构特性的影响 被引量：9

3

作者 刘华松 姜承慧 +4 位作者 李士达 杨霄 季一勤 张锋 陈德应 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期2038-2045,共8页

针对电子束蒸发离子辅助沉积的硫化锌薄膜,研究了550℃以下真空热处理对其光学与微结构特性的影响。薄膜光学和微结构特性的测试分析表明:制备后薄膜为类立方结构的ZnS,在337.5nm波长处出现临界特性转折点,随着热处理温度的增加,转折波... 针对电子束蒸发离子辅助沉积的硫化锌薄膜,研究了550℃以下真空热处理对其光学与微结构特性的影响。薄膜光学和微结构特性的测试分析表明:制备后薄膜为类立方结构的ZnS,在337.5nm波长处出现临界特性转折点,随着热处理温度的增加,转折波长两侧的消光系数变化规律相反,折射率和物理厚度呈现下降趋势,薄膜的禁带宽度逐渐增加;在红外波段的薄膜折射率与热处理温度的变化并不显著,在350℃下热处理时消光系数出现转折,主要是由晶粒变小的趋势所致;通过晶相分析,硫化锌薄膜经历了类立方结构到六方结构的转换,与禁带宽度的变化趋势基本一致。分析结果表明,光学特性变化的根本原因是薄膜的微结构特性变化。 展开更多

关键词 zns薄膜 折射率 消光系数 真空热处理 晶相结构

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化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究 被引量：5

4

作者 刘琪 冒国兵 +7 位作者 敖建平 孙云 孙国忠 刘芳芳 何青 李凤岩 周志强 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期155-159,共5页

在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有... 在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。 展开更多

关键词 化学水浴沉积(CBD) zns薄膜 CIGS太阳电池

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沉积温度对制备ZnS薄膜的影响 被引量：5

5

作者 纠智先 李强 《武汉工业学院学报》 CAS 2008年第2期90-92,共3页

采用YAG固体激光器(1064nm)和XeCl(308nm)准分子激光器,利用射频辅助脉冲激光沉积技术,研究了在不同沉积温度下对制备ZnS薄膜的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备样品的结构、形貌特性进行了表征。结果表明:沉积温... 采用YAG固体激光器(1064nm)和XeCl(308nm)准分子激光器,利用射频辅助脉冲激光沉积技术,研究了在不同沉积温度下对制备ZnS薄膜的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备样品的结构、形貌特性进行了表征。结果表明:沉积温度和射频辅助密切相关,射频辅助更有利于低温下制膜。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 zns薄膜 沉积温度 射频

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PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜 被引量：5

6

作者 张蕾 方龙 +3 位作者 刘攀克 刘越彦 黎明锴 何云斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期224-226,共3页

采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在... 采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al_2O_3(001)且ZnS(110)∥Al_2O_3(110)]。进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积ZnS薄膜前先沉积一层ZnO薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2min的ZnO缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°。本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 zns薄膜 缓冲层 外延生长 晶体结构

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掺铒硫化锌薄膜界面态及其对驰豫发光影响的研究 被引量：4

7

作者 王余姜 柳兆洪 陈振湘 《电化学》 CAS CSCD 1995年第3期348-352,共5页

应用ＸＰＳ及电容－电压测试研究硫化锌薄膜的界面态，采用电脉冲瞬态激发技术研究Ｅｒ￣（３＋）激活的ＺｎＳ薄膜特征跃迁非指数衰减过程的弛豫发光，分析了由于氧吸附形成的界面态对弛豫发光的影响。

关键词 硫化锌薄膜 氧吸附 驰豫发光 XPS 界面态

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硫化锌薄膜的制备和结构分析 被引量：3

8

作者 柳兆洪 刘瑞堂 +5 位作者 孙书农 陈振湘 胡启富 邱伟彬 纪安妮 林爱清 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期347-350,共4页

用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜，用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构，发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异，实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。

关键词 硫化锌薄膜 化合物半导体 薄膜

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化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展 被引量：2

9

作者 崔占奎 邹正光 +1 位作者 龙飞 吴一 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2008年第4期8-10,18,共4页

硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜... 硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 化学水浴沉积 硫化锌薄膜 Cu(In Ga)Se2 太阳电池

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在多孔硅衬底上制备的ZnS薄膜及其光学性能 被引量：2

10

作者 王彩凤 李清山 +2 位作者 胡波 伊厚会 梁德春 《红外》 CAS 2010年第1期17-21,共5页

用脉冲激光沉积(PLD)方法在多孔硅(PS)衬底上沉积了ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明,ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取... 用脉冲激光沉积(PLD)方法在多孔硅(PS)衬底上沉积了ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明,ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长;经过300℃真空退火30min后,ZnS薄膜的XRD衍射峰强度增大,表面变得粗糙,在可见光区的平均透射率达到80%以上,适合作太阳能电池过渡层、红外增透膜、红外窗口和头罩等。在退火后的ZnS/PS复合膜体系的光致发光谱(PL)中,除了高能端ZnS的蓝光发射和低能端PS的红光发射外,在光谱中间550nm附近出现了一个新的绿光发射,这归因于ZnS薄膜退火过程中形成的缺陷能级而产生的缺陷中心发光。根据三基色叠加的原理将ZnS的蓝、绿光与PS的红光叠加在一起后,ZnS/PS复合膜体系呈现出了较强的白光发射,这为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。 展开更多

关键词 光学性能 白光 光致发光 zns薄膜 多孔硅

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沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响 被引量：3

11

作者 夏冬林 雷盼 +1 位作者 石正忠 徐俊 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期129-133,共5页

采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围... 采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60%降低到20%,薄膜的光学带隙约为3.97eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低. 展开更多

关键词 zns薄膜 电沉积 透过率 光学带隙

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衬底温度对电子束蒸发ZnS薄膜结构和光学特性的影响 被引量：2

12

作者 付蕊 化麒麟 涂洁磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1366-1370,共5页

采用电子束蒸发法在不同衬底温度下,150℃、200℃、250℃和300℃,制备了ZnS薄膜;用X射线衍射仪、原子力显微镜、膜厚仪和紫外-可见光-近红外分光光度计分别表征ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性;并分析了不同衬底温度对薄膜的结... 采用电子束蒸发法在不同衬底温度下,150℃、200℃、250℃和300℃,制备了ZnS薄膜;用X射线衍射仪、原子力显微镜、膜厚仪和紫外-可见光-近红外分光光度计分别表征ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性;并分析了不同衬底温度对薄膜的结构和光学特性的影响。结果表明:在硅衬底上制备的ZnS都为多晶薄膜,具有闪锌矿β-ZnS结构;随衬底温度升高呈(111)晶面高度择优取向,平均晶粒尺寸有所增大,内应力、位错密度、折射率和吸收系数有所减小,禁带宽度随之增大;衬底温度为300℃时制备的薄膜表面均匀致密,呈现较优的结构和光学性能。 展开更多

关键词 电子束蒸发 zns薄膜 衬底温度 微结构 光学特性

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蒸镀法制备ZnS光学薄膜研究 被引量：3

13

作者 黄剑锋 王艳 +2 位作者 曹丽云 吴建鹏 贺海燕 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A01期490-492,共3页

采用真空蒸镀法在Si(111)基板上制备了ZnS光学薄膜,并系统研究了蒸发温度、沉积时间、基板距蒸发源的位置等因素对所制备薄膜物相及显微结构的影响。用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征。结果表明:制备薄膜的... 采用真空蒸镀法在Si(111)基板上制备了ZnS光学薄膜,并系统研究了蒸发温度、沉积时间、基板距蒸发源的位置等因素对所制备薄膜物相及显微结构的影响。用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征。结果表明:制备薄膜的物相主要以β-ZnS闪锌矿(Sphalerite)为主,并有少量的α-ZnS纤锌矿(Wurtzite),薄膜具有(111)结晶取向的生长特征。当沉积温度为1200℃时,所制备薄膜的结晶性能较好,随沉积时间延长,薄膜的结晶性能降低。 展开更多

关键词 zns薄膜 真空蒸镀法 蒸发温度

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水浴温度对化学水浴法沉积CdS和ZnS薄膜性能的影响 被引量：2

14

作者 白鹏 张弓 +1 位作者 庄大明 叶亚宽 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期481-486,共6页

分别采用硫酸镉、硫脲、氨水溶液体系及硫酸锌、硫脲、氨水、联氨溶液体系,以化学水浴法(CBD)制备CdS和ZnS薄膜,研究水浴温度对薄膜沉积过程及性能的影响,分析不同水浴温度下沉积得到的CdS和ZnS薄膜性能的差异。试验表明,随着水浴温度... 分别采用硫酸镉、硫脲、氨水溶液体系及硫酸锌、硫脲、氨水、联氨溶液体系,以化学水浴法(CBD)制备CdS和ZnS薄膜,研究水浴温度对薄膜沉积过程及性能的影响,分析不同水浴温度下沉积得到的CdS和ZnS薄膜性能的差异。试验表明,随着水浴温度的升高,薄膜的沉积速率增大,致密度变高,薄膜的禁带宽度更接近其理论值。当水浴温度大于70℃时,CdS薄膜的沉积速率远大于ZnS;随着水浴温度的升高,CdS晶粒逐渐变小而ZnS晶粒逐渐变大,CdS薄膜中S/Cd原子比逐渐下降,而ZnS薄膜中S/Zn原子比逐渐升高;ZnS薄膜能够透过更多短波高能光子且禁带宽度大于CdS,有利于提高太阳电池的效率。 展开更多

关键词 CDS薄膜 zns薄膜 化学水浴沉积(CBD) 水浴温度

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化学浴沉积法制备ZnS薄膜的结构及可见-近红外光谱特性研究 被引量：2

15

作者 刘颖 缪彦美 +2 位作者 郝瑞亭 郭杰 杨海刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期610-615,共6页

采用化学水浴法,以Zn SO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了Zn S薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、p H值等条件对Zn S薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响。... 采用化学水浴法,以Zn SO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了Zn S薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、p H值等条件对Zn S薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响。结果表明,Zn S薄膜经退火后出现明显特征衍射峰,为闪锌矿结构,可见光范围内平均透过率均大于80%。经过工艺优化,在水浴温度为80℃、沉积时间为1 h、p H=10条件下沉积的Zn S薄膜表面均匀致密,可见光范围内平均透过率为89.6%,光学带隙为3.82 e V,适合做铜铟镓硒和铜锌锡硫薄膜太阳电池的缓冲层。 展开更多

关键词 zns薄膜 缓冲层 化学浴沉积 透过率

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联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响 被引量：1

16

作者 冒国兵 刘琪 敖建平 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期671-675,共5页

在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响。结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加。两种溶液沉积的Zn... 在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响。结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加。两种溶液沉积的ZnS都为立方相结构,且含有联氨的B溶液沉积的ZnS薄膜表面附着颗粒较少。在含有联氨的B溶液中沉积的ZnS薄膜结晶度和短波区的透过率均高于A溶液沉积的ZnS薄膜。将两种溶液沉积的ZnS薄膜作为电池缓冲层制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池,加入联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率达到7.77%,比不加联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率提高了1.3%。 展开更多

关键词 联氨 zns薄膜 化学水浴沉积(CBD) CIGS太阳电池

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联氨浓度对化学水浴沉积ZnS薄膜性能的影响 被引量：2

17

作者 叶亚宽 张弓 庄大明 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期55-59,F0003,共6页

利用化学水浴法(CBD)在硫酸锌、氨水、联氨、硫脲的沉积体系下制备CIGS太阳能电池的ZnS缓冲层薄膜,研究了联氨浓度对缓冲层ZnS薄膜的生长过程、晶体结构及物理性能的影响。结果表明,联氨浓度能够显著影响ZnS薄膜的生长速度,联氨浓度越高... 利用化学水浴法(CBD)在硫酸锌、氨水、联氨、硫脲的沉积体系下制备CIGS太阳能电池的ZnS缓冲层薄膜,研究了联氨浓度对缓冲层ZnS薄膜的生长过程、晶体结构及物理性能的影响。结果表明,联氨浓度能够显著影响ZnS薄膜的生长速度,联氨浓度越高,薄膜厚度越大,薄膜的致密性也随之提高;联氨浓度对薄膜的结晶性影响较小,CBD法制备的ZnS薄膜均为非晶薄膜;制备的ZnS薄膜有较高的透过率,禁带宽度为3.85 eV左右,能够使更多短波、高能量光子透过缓冲层到达CIGS吸收层,从而提高电池性能。 展开更多

关键词 zns薄膜 联氨浓度 化学水浴沉积(CBD)

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用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文) 被引量：1

18

作者 张靖磊 仲飞 刘彭义 《电子器件》 CAS 2008年第1期40-43,共4页

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓... 用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。 展开更多

关键词 有机发光二极管 zns薄膜 空穴缓冲层 电流效率

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退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响 被引量：1

19

作者 张天红 薛书文 +3 位作者 苏海桥 袁兆林 陈猛 祖小涛 《湛江师范学院学报》 2010年第3期47-52,共6页

采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的... 采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱. 展开更多

关键词 zns薄膜 SEM 光致发光 退火

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硅基硫化锌薄膜的溅射法生长技术 被引量：2

20

作者 陈松岩 陈谋智 +1 位作者 柳兆洪 刘瑞堂 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期896-898,共3页

利用射频磁控溅射法在 Si衬底上制备 Zn S薄膜 ,用 X射线衍射技术对薄膜的结构相变进行研究 ,揭示了 Si衬底上 Zn S薄膜的微观结构和相变特征与溅射功率的关系 。

关键词 溅射法 硅基 硫化锌 薄膜

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