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非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心 被引量：58
1
作者 林碧霞 傅竹西 +1 位作者 贾云波 廖桂红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期2208-2211,共4页
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,UV)和 2 .3 8eV(绿峰 ) .样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后 ,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰... 用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,UV)和 2 .3 8eV(绿峰 ) .样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后 ,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化 ,同时比较了用FP LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置 .根据实验和能级计算的结果 ,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关 ,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷 (OZn)能级的跃迁 ,而不是通常认为的氧空位 (VO)、锌填隙 (Zni)或锌空位 (VZn)、氧填隙 (Oi) . 展开更多
关键词 zno薄膜 热处理 光致发光光谱 缺陷能级 紫外发光中心 绿色发光中心
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不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光 被引量：58
2
作者 张德恒 王卿璞 薛忠营 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1484-1487,共4页
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ... 用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ,在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜 ,其积分发光强度分别增加了 7倍和 14倍 .而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著 .紫外光发射源于电子的带间跃迁 。 展开更多
关键词 zno薄膜 紫外光致发光 射频磁控溅射法 氧化锌薄膜 半导体材料 退火 发光强度
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退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 被引量：46
3
作者 吕建国 叶志镇 +2 位作者 黄靖云 赵炳辉 汪雷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期729-736,共8页
研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,... 研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 . 展开更多
关键词 zno薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能
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退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响 被引量：47
4
作者 孙成伟 刘志文 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期430-436,共7页
采用反应射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在60... 采用反应射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在600—1000℃退火温度范围内,退火对薄膜的织构取向的影响较小,但薄膜的应力状态和成分有比较明显的变化.室温下光致发光光谱分析发现,薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系;而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变化的结果.此外,研究结果显示,薄膜的可见发光光谱对退火温度极为敏感. 展开更多
关键词 zno薄膜 退火 光致发光 射频反应磁控溅射 可见光发射
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Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究 被引量：52
5
作者 朋兴平 兰伟 +2 位作者 谭永胜 佟立国 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2705-2709,共5页
通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂... 通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂量为 2 5 %时 ,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰 ,而溅射功率为 1 0 0W ,Cu掺杂量为1 5 %时 ,出现了位于 4 37nm(2 84eV)处较强的蓝光峰 ,后者的取向性较好 .还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响 。 展开更多
关键词 铜掺杂 氧化锌薄膜 光致发光谱 射频反应共溅射法 氧化物半导体材料
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退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响 被引量：37
6
作者 方泽波 龚恒翔 +3 位作者 刘雪芹 徐大印 黄春明 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1748-1751,共4页
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致... 用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致发光测量发现 ,样品在 4 30nm附近有一光致发光峰 ,峰的强度随退火温度升高而减弱 ,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 。 展开更多
关键词 多晶zno薄膜 结构 发光特性 退火 氧化锌薄膜 射频反应溅射法 半导体材料
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射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性 被引量：23
7
作者 王卿璞 张德恒 +2 位作者 薛忠营 陈寿花 马洪磊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期69-72,共4页
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有 (0 0 2 )择优取向的氧化锌薄膜 ,用波长为 30 0nm的光激发 ,观察到在 44 6nm处有一强的光致发光峰 ,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对... 利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有 (0 0 2 )择优取向的氧化锌薄膜 ,用波长为 30 0nm的光激发 ,观察到在 44 6nm处有一强的光致发光峰 ,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响 ,且给出了解释。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 制备 发光特性 zno薄膜 光致发光 氧化锌薄膜
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射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光 被引量：19
8
作者 王卿璞 张德恒 薛忠营 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期157-161,共5页
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;... 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 . 展开更多
关键词 zno薄膜 射频磁控溅射 SI衬底 光致发光
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ZnO薄膜的光谱及能级 被引量：15
9
作者 缪世群 《南通工学院学报（自然科学版）》 2003年第4期25-28,共4页
文章归纳了大量有关ZnO薄膜光致发光的实验结果,并与理论计算的能级图相比较,通过分析得出了以下结论:红光的发射与氧空位(V_o)及锌填隙(Zni)有关;绿光及蓝光的发射除与氧空位(V_o)及锌填隙(Zni)有关外,还与锌空位(V_(Zn))有关。
关键词 zno薄膜 光谱 能级图 短波长激光器 光致发光峰
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In掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究 被引量：23
10
作者 朋兴平 杨映虎 +1 位作者 宋长安 王印月 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1459-1462,共4页
采用射频反应溅射技术在硅 (10 0 )衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明 ,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征 ... 采用射频反应溅射技术在硅 (10 0 )衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明 ,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征 ,分析了In掺杂对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响。与未掺杂ZnO薄膜相比 ,掺InZnO薄膜具有高度的C轴择优取向 ,同时样品的晶格失配较小 ,与标准ZnO粉末样品之间的晶格失配仅为 0 .16 % ;掺InZnO薄膜表面平滑 ,表面最大不平整度为 7nm。在掺In样品的光致发光谱中观察到了波长位于 4 15nm和 4 33nm处强的蓝紫光双峰 ,对掺In样品的蓝紫双峰的发光机理进行了讨论 ,并推测出该蓝紫双峰来源于In替位杂质和Zn填隙杂质缺陷。 展开更多
关键词 zno薄膜 双峰 掺杂 晶格失配 样品 光致发光谱 光致发光特性 衬底 反应溅射 发光机理
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ZnO薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量 被引量：17
11
作者 傅竹西 林碧霞 +1 位作者 何一平 廖桂红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-562,共4页
采用正入射的方法研究了生长在硅基片上的氧化锌薄膜的反射光谱,测量出氧化锌薄膜的光学吸收边在370nm,所对应的能量值为3 35eV。测量生长在石英玻璃基片上的氧化锌薄膜的透射光谱,得到相同的吸收边。表明ZnO薄膜的光学禁带宽度与体材... 采用正入射的方法研究了生长在硅基片上的氧化锌薄膜的反射光谱,测量出氧化锌薄膜的光学吸收边在370nm,所对应的能量值为3 35eV。测量生长在石英玻璃基片上的氧化锌薄膜的透射光谱,得到相同的吸收边。表明ZnO薄膜的光学禁带宽度与体材料的禁带宽度一致。反射谱中,在550～600nm之间观察到一个吸收峰,吸收峰的位置以及吸收边的陡峭程度都随薄膜的结晶状况的不同而有所不同。 展开更多
关键词 zno薄膜 反射光谱 透射光谱 能带结构 测量 禁带宽度 氧化锌薄膜
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ZnO薄膜的光致发光 被引量：16
12
作者 马勇 王万录 +2 位作者 廖克俊 吕建伟 孙晓楠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期139-141,144,共4页
　ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题。关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现。本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述。提出了关于需进一... 　ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题。关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现。本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述。提出了关于需进一步研究的问题。 展开更多
关键词 光致发光 温度 激发强度 氧化锌薄膜 化合物半导体
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射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射 被引量：14
13
作者 王卿璞 张德恒 +2 位作者 马洪磊 张兴华 张锡健 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期291-294,共4页
用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变... 用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变弱 ;在真空中 830℃高温退火后 ,绿光发射峰强度增加。 展开更多
关键词 zno薄膜 磁控溅射 绿光发射
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新型半导体激光器——ZnO紫外激光器 被引量：8
14
作者 张德恒 王卿璞 《物理》 CAS 北大核心 2001年第12期741-744,共4页
最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射 ,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器 ,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用 .
关键词 zno薄膜 紫外激光器 半导体激光器 氧化锌薄膜
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直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究 被引量：8
15
作者 吕文中 贾小龙 何笑明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期35-39,共5页
ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对... ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 直流磁控溅射工艺 zno薄膜 薄膜结构 基片温度 C轴取向 晶格结构 退火 氩氧比 结晶质量
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超声处理对ZnO薄膜光致发光特性的影响 被引量：13
16
作者 袁艳红 侯洵 高恒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期446-449,共4页
对于结晶状态好的ZnO薄膜,测量了其光致发光(PL)光谱,发射光谱中只发现了峰值波长约389nm的近紫外光.样品进行超声处理后,发射谱中不仅观察到近紫外峰,又观察到波长约508nm的绿光峰.绿光峰的强度比近紫外光的强度强得多,且近紫外峰红移... 对于结晶状态好的ZnO薄膜,测量了其光致发光(PL)光谱,发射光谱中只发现了峰值波长约389nm的近紫外光.样品进行超声处理后,发射谱中不仅观察到近紫外峰,又观察到波长约508nm的绿光峰.绿光峰的强度比近紫外光的强度强得多,且近紫外峰红移.进一步的热处理使绿光峰大大增强.超声处理改变了ZnO薄膜的质量和结晶状态,使晶格中产生氧空位.处理过程中的热效应使得薄膜晶格振动加剧.当晶格振动加剧到一定程度,晶格中的氧脱离格点形成氧空位.510nm左右的绿色发光峰是ZnO晶体中的氧空位产生的.薄膜的温度越高,氧空位的浓度越大,绿光峰的强度越强. 展开更多
关键词 zno薄膜 超声 光致发光
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ZnO薄膜光学常数测量 被引量：11
17
作者 傅竹西 林碧霞 +1 位作者 何一平 廖桂红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期159-162,共4页
利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复分电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反... 利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复分电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱。对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复分电常数和复折射率。实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3.5;在430 nm附近出现折射率最大值,而在短波长范围所对应的折射率大大降低,其值在0.5～2.5之间起伏波动。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 光学常数 反射光谱 K-K关系 单色仪 光电子材料 半导体材料
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不同衬底温度下PLD法制备的氧化锌薄膜的特性 被引量：14
18
作者 苏雪琼 王丽 +3 位作者 陈江博 孔乐 刘红梅 张新平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期296-300,共5页
利用GCR-170型脉冲激光器Nd:YAG的三次谐波(355nm),以蓝宝石Al2O3(0001)为衬底,在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了ZnO薄膜.通过原子力显微镜、Raman谱、光致发光谱、红外透射谱、霍尔效应和表面粗糙度分析仪对制备的ZnO薄膜进行了测... 利用GCR-170型脉冲激光器Nd:YAG的三次谐波(355nm),以蓝宝石Al2O3(0001)为衬底,在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了ZnO薄膜.通过原子力显微镜、Raman谱、光致发光谱、红外透射谱、霍尔效应和表面粗糙度分析仪对制备的ZnO薄膜进行了测试.分析了在不同衬底温度下薄膜的表面形貌、光学特性,同时进行了薄膜结构和厚度的测试.研究表明:衬底温度对ZnO薄膜的表面形貌、光学特性、结构特性都是重要的工艺参量,尤其在500℃时沉积的ZnO薄膜致密均匀,并表现出较强的紫外发射峰. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积法 zno薄膜 原子力显微镜 RAMAN 光致发光
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ZnO薄膜的缺陷研究进展 被引量：6
19
作者 林益梅 叶志镇 +2 位作者 陈兰兰 朱丽萍 黄靖云 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期385-391,共7页
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和... ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心,影响薄膜器件性能;层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件,必须研究ZnO薄膜的缺陷特性,文章对此进行了详细阐述. 展开更多
关键词 zno薄膜 点缺陷 位错 堆垛层错
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ZnO:Al薄膜的组织结构与性能 被引量：5
20
作者 裴志亮 谭明晖 +4 位作者 杜昊 陈猛 孙超 黄荣芳 闻立时 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期538-542,共5页
用直流磁控反应溅射合金靶制备了ＺｎＯ薄膜，研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响．衬底温度升高能改善薄膜的电学特性，其原因是薄膜晶粒尺寸的增大温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动，但对高透射区... 用直流磁控反应溅射合金靶制备了ＺｎＯ薄膜，研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响．衬底温度升高能改善薄膜的电学特性，其原因是薄膜晶粒尺寸的增大温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动，但对高透射区（４５０～８５０ｎｍ）的透射率影响不大． 展开更多
关键词 zno薄膜 透射率 合金靶Al/Zn 组织结构 性能
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