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半磁性半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(0.001≤x≤0.010)光学吸收双稳态开关特性的研究 被引量：1
1
作者 景玉梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期364-366,共3页
本文研究了半磁性半导体Zn1-xMnxSe(0 .0 0 1≤x≤ 0 .0 10 )的光学吸收双稳态开关特性与Mn2 + 浓度的关系。对于x =0 .0 0 1的样品开关时间可达 0 .3ns。用一个光学吸收褪色模型分析解释了这个光学吸收双稳态开关时间和Mn2 + 浓度之间... 本文研究了半磁性半导体Zn1-xMnxSe(0 .0 0 1≤x≤ 0 .0 10 )的光学吸收双稳态开关特性与Mn2 + 浓度的关系。对于x =0 .0 0 1的样品开关时间可达 0 .3ns。用一个光学吸收褪色模型分析解释了这个光学吸收双稳态开关时间和Mn2 + 浓度之间的关系。 展开更多
关键词 半磁性半导体 光学吸收双稳态 zn1-xmnxse
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金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
2
作者 鞠振刚 张吉英 +6 位作者 吕有明 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期805-809,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 展开更多
关键词 zn1-xmnxse 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光 磁光性质
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Zn_(1-x)Mn_xSe中Mn^(2+)电子自旋翻转能级的光致发光谱
3
作者 张颖君 郑玉祥 +7 位作者 钱栋梁 陈良尧 黄大呜 周仕明 郑卫民 张荣君 王杰 靳彩霞 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期317-320,共4页
用光致发光谱（ＰＬ）方法研究不同温度下Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ中Ｍｎ＋＋内部３ｄ壳层电子４Ｔ１（４Ｇ）→６Ａ１（６Ｓ）跃迁的发光特性．实验结果表明，随着温度的升高，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ（ｘ＝０．１１，０．１７）的发光谱的... 用光致发光谱（ＰＬ）方法研究不同温度下Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ中Ｍｎ＋＋内部３ｄ壳层电子４Ｔ１（４Ｇ）→６Ａ１（６Ｓ）跃迁的发光特性．实验结果表明，随着温度的升高，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ（ｘ＝０．１１，０．１７）的发光谱的发光峰位置产生蓝移，这一变化规律主要是由于温度升高引起晶格膨胀。 展开更多
关键词 zn1-xmnxse MN^2+ 电子自旋翻转能级 半磁半导体 光致发光谱 半导体光学性质 蓝移 晶格膨胀 配位场效应
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Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究
4
作者 靳彩霞 史向华 +5 位作者 柯炼 张保平 凌晨 余更才 王杰 候晓远 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期635-640,共6页
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，... 用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，自由激子峰位向低能方向红移２ｍｅＶ；当超晶格总厚度小于其临界厚度时，自由激子峰位向高能方向蓝移６ｍｅＶ。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动，理论和实验符合很好。 展开更多
关键词 zn1-xmnxse/znSe超晶格 X射线衍射谱 光致发光性质
原文传递
闪锌矿结构Zn_（1－x）Mn_xSe混晶光学声子行为 被引量：1
5
作者 过毅乐 劳浦东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期8-12,共5页
本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分ｘ值的改变．计算表明，Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为．在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理量，不同混晶应取不同的值．
关键词 闪锌矿结构 zn1-xmnxse混晶 光学声子
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稀磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe/GaAs外延膜光学特性研究
6
作者 史向华 刘小兵 《长沙水电师院学报（自然科学版）》 2001年第3期64-66,共3页
研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜 .通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明 ,晶体的质量取决于Mn的含量 ,随着Mn的含量的增高 ,晶体的质量下降 .
关键词 X射线衍射谱 喇曼光谱 稀磁半导体 zn1-xmnxse薄膜 镓砷衬底 光学特性
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