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Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响
被引量：
4
1
作者
李宇杰
张晓娜
介万奇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期2327-2334,共8页
采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长后的CdZnTe晶片在C...
采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火 .从Cd -Te和Cd0 .96 Zn0 .0 4Te的P T相图出发 ,详细讨论了CdZnTe晶体的气 固平衡条件 ,并以此为依据选择退火条件 ,对ACRT -B法生长的Cd0 .96 Zn0 .0 4Te晶体进行了退火实验研究 .实验结果表明 ,气氛中的Zn压在一定程度内高于平衡压力有利于晶体中多余Te向晶体表面扩散 ,即有利于消除Te沉淀 .但过高的Zn压会使晶体表面成分偏离原始的化学配比 .此时 ,晶体表面与气氛强烈的原子交换 ,将造成严重的表面损伤 ,形成一层结晶质量很差的表面层 .同时 ,Zn原子向晶内的扩散 ,抑制了退火过程中晶内杂质向晶体表面的扩散 .因此 ,在较低的Zn压下退火 (但仍处于气 固平衡范围内 ) ,能排除晶内杂质 .通过仔细研究不同条件下退火后晶片的结晶质量和断面成分分布 ,可以认为CdZnTe晶体的退火可分为去沉淀相退火、去杂质退火和均匀化退火几种 ,最佳的退火工艺应是多步骤。
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关键词
Cd1-xZnxTe
退火
气-固平衡
晶体
锌压
Zn压
质量
Ⅱ-Ⅵ红外半导体材料
镉锌碲化合物
晶体缺陷
原文传递
热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)
被引量：
3
2
作者
闵嘉华
桑文斌
+6 位作者
刘洪涛
钱永彪
滕建勇
樊建荣
李万万
张斌
金玮
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期471-474,共4页
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理...
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
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关键词
CDZNTE
热处理
Cd/Zn平衡分压
In扩散
下载PDF
职称材料
题名
Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响
被引量：
4
1
作者
李宇杰
张晓娜
介万奇
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期2327-2334,共8页
基金
国家杰出青年基金 (批准号 :5 982 5 10 9)
国家自然科学基金 (批准号 :5 9982 0 0 6)资助的课题~~
文摘
采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火 .从Cd -Te和Cd0 .96 Zn0 .0 4Te的P T相图出发 ,详细讨论了CdZnTe晶体的气 固平衡条件 ,并以此为依据选择退火条件 ,对ACRT -B法生长的Cd0 .96 Zn0 .0 4Te晶体进行了退火实验研究 .实验结果表明 ,气氛中的Zn压在一定程度内高于平衡压力有利于晶体中多余Te向晶体表面扩散 ,即有利于消除Te沉淀 .但过高的Zn压会使晶体表面成分偏离原始的化学配比 .此时 ,晶体表面与气氛强烈的原子交换 ,将造成严重的表面损伤 ,形成一层结晶质量很差的表面层 .同时 ,Zn原子向晶内的扩散 ,抑制了退火过程中晶内杂质向晶体表面的扩散 .因此 ,在较低的Zn压下退火 (但仍处于气 固平衡范围内 ) ,能排除晶内杂质 .通过仔细研究不同条件下退火后晶片的结晶质量和断面成分分布 ,可以认为CdZnTe晶体的退火可分为去沉淀相退火、去杂质退火和均匀化退火几种 ,最佳的退火工艺应是多步骤。
关键词
Cd1-xZnxTe
退火
气-固平衡
晶体
锌压
Zn压
质量
Ⅱ-Ⅵ红外半导体材料
镉锌碲化合物
晶体缺陷
Keywords
Cd1-xZnxTe
annealing
solid-vapor equilibrium
分类号
O78 [理学—晶体学]
原文传递
题名
热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)
被引量：
3
2
作者
闵嘉华
桑文斌
刘洪涛
钱永彪
滕建勇
樊建荣
李万万
张斌
金玮
机构
上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期471-474,共4页
基金
Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 10175040) (Grant No 10575069)
Foundation of Shanghai Educational Committee (Grant No 02AK30)
Shanghai Leading Academic Discipline Project T0101
文摘
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
关键词
CDZNTE
热处理
Cd/Zn平衡分压
In扩散
Keywords
Cd0.9Zn0.1Te annealing
Cd/Zn equilibrium pressures
Te pressure
In pressure
In-deposition
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响
李宇杰
张晓娜
介万奇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
原文传递
2
热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)
闵嘉华
桑文斌
刘洪涛
钱永彪
滕建勇
樊建荣
李万万
张斌
金玮
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
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