磁控溅射低温制备ZnO∶Al透明导电膜及其特性研究 被引量：21

1

作者 王涛 刁训刚 +2 位作者 丁芃 舒远杰 武哲 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期511-516,共6页

采用锌、铝(Al 2 wt.%)合金靶,真空腔温度保持在50℃,运用直流反应磁控溅射法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、半导体霍尔效应测试、红外发射率测试仪等手段对薄膜进行了表征。薄膜... 采用锌、铝(Al 2 wt.%)合金靶,真空腔温度保持在50℃,运用直流反应磁控溅射法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、半导体霍尔效应测试、红外发射率测试仪等手段对薄膜进行了表征。薄膜呈C轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在550 nm波长处透过率达93%;最低电阻率为4.99×10-4Ω.cm;8μm^14μm波段平均红外发射率在0.3~0.54之间。分析了溅射过程中氧流量百分比和功率对上述特性的影响及各特性间的关系,讨论了薄膜在8μm^14μm波段平均红外发射率与其方块电阻的关系。 展开更多

关键词 zao薄膜 低温 磁控溅射 红外发射率

下载PDF 职称材料

ZAO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究 被引量：9

2

作者 任明放 徐模辉 +1 位作者 王华 许积文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期80-82,90,共4页

以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜。用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、... 以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜。用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能的影响。当掺杂浓度为1%(原子分数)、镀膜层数为12层、在氩气气氛下经过600℃退火时,得到电阻率为1.37×10-2Ω.cm、可见光范围内平均透射率超过90%的ZAO薄膜。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 zao薄膜 光电性能 微观结构

下载PDF 职称材料

溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜的光电特性 被引量：4

3

作者 李世平 李玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期733-737,共5页

采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了ZAO薄膜。在氮气气氛下进行退火处理,X射线衍射(XRD)谱表明ZAO薄膜具有六角纤锌矿的晶体结构。对ZAO薄膜的光电特性进行测量,结果显示薄膜的光致发光峰发生蓝移,喇曼光谱随Al掺杂浓度的变化发生相应... 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了ZAO薄膜。在氮气气氛下进行退火处理,X射线衍射(XRD)谱表明ZAO薄膜具有六角纤锌矿的晶体结构。对ZAO薄膜的光电特性进行测量,结果显示薄膜的光致发光峰发生蓝移,喇曼光谱随Al掺杂浓度的变化发生相应的改变。薄膜的电导率在Al浓度为1%,700℃退火处理时达到最高值。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 掺杂铝氧化锌薄膜 光电特性

下载PDF 职称材料

磁控溅射低温制备ZnO:Al透明导电薄膜的正交设计 被引量：5

4

作者 王涛 刁训刚 +1 位作者 舒远杰 武哲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期369-372,共4页

采用锌铝(2%(质量分数))合金靶,保持真空腔在50℃低温下,结合正交试验表,运用直流反应磁控溅射法制得ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过分光光度计、半导体霍尔效应测试等手段对薄膜各项性能进行了表征。通过正交分析法对所得样品相关特征指标进... 采用锌铝(2%(质量分数))合金靶,保持真空腔在50℃低温下,结合正交试验表,运用直流反应磁控溅射法制得ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过分光光度计、半导体霍尔效应测试等手段对薄膜各项性能进行了表征。通过正交分析法对所得样品相关特征指标进行分析,在少量的9组实验下,得到溅射功率、时间、靶基距和氧流量百分比4个独立工艺参数对薄膜特性影响的同时,得出直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜的最优组合工艺为:溅射时间20min,靶基距6cm,溅射功率80W,氧流量百分比7%;对应样品的iФc值达4.1050×10-2/Ω,电阻率为3.9×10-4Ω.cm,载流子浓度达1.09×1021/cm3。 展开更多

关键词 zao薄膜 正交设计 低温 磁控溅射

下载PDF 职称材料

退火温度与ZAO透明导电薄膜晶体结构及特性关系的研究 被引量：3

5

作者 叶勤 吴奎 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期195-199,共5页

用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶的方法在石英衬底上成功制备了ZAO透明导电薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与退... 用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶的方法在石英衬底上成功制备了ZAO透明导电薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与退火温度的变化关系。结果表明,低温段300℃以下退火的薄膜c轴较ZnO体材料有拉长现象;高温度段500℃到600℃退火的薄膜的晶粒直径变化平稳,其中500℃退火时,c轴也有拉长的效应,且形成良好的c轴趋向柱状晶薄膜;250℃退火时薄膜的光学禁带宽度最大,薄膜表面均匀致密,晶粒充分团聚结晶。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 zao薄膜 结构 退火温度

下载PDF 职称材料

磁控溅射制备参数对ZnO∶Al光学性能的影响 被引量：2

6

作者 殷胜东 马勇 殷霖 《云南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第2期126-129,共4页

ZnO∶A l(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.着重分析了磁控溅射制备参数对光学性能的影响.

关键词 zao薄膜 光学性能 磁控溅射

下载PDF 职称材料

磁控溅射工艺参数对ZAO薄膜性能的影响 被引量：2

7

作者 刘沅东 张宁 +2 位作者 汤清琼 余新平 张至树 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期137-139,共3页

通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,使用四探针方阻仪测试薄膜电阻率,采用紫外可... 通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,使用四探针方阻仪测试薄膜电阻率,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:溅射电流增加可以改善ZAO薄膜的透过率与电阻率;溅射气压对薄膜的结晶性和透过率影响不大,但电阻率会随溅射气压的增大而上升;基体温度升高可以提高AZO薄膜的透过率与电导率。 展开更多

关键词 磁控溅射 zao薄膜 工艺参数 电阻率 透过率 结晶性能

下载PDF 职称材料

退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响 被引量：2

8

作者 李雪勇 崔丽玲 严钦云 《湖南工业大学学报》 2011年第5期22-25,28,共5页

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的... 采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5.cm,可见光区平均透射率为89.2%。 展开更多

关键词 zao薄膜 退火温度 电学性能 光学性能

下载PDF 职称材料

ZAO导电膜的制备与性能分析 被引量：2

9

作者 刘德雄 唐金龙 +1 位作者 温才 胡思福 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期688-690,共3页

采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六... 采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在702nm波长处透过率达90%;最低电阻率为1.7×10-3Ω.cm。 展开更多

关键词 zao薄膜 电子束蒸发 X射线衍射 透射率 电阻率

下载PDF 职称材料

不同ZAO粉体对ZAO_p/ZAO透明导电薄膜光电性能的影响

10

作者 杨觉明 徐哲 韩美康 《西安工业大学学报》 CAS 2011年第7期638-643,共6页

以乙酸锌和硝酸铝为原料,氨水为催化剂,通过改变反应温度和pH值,以及干燥工艺得到三种工艺合成的ZAO粉体,即共沉淀-超临界流体干燥法(SCFD)制备的ZAO粉、共沉淀-普通干燥法制备的ZAO粉和湿态氢氧化锌铝沉淀物粉体.通过XRD,TEM,SEM和差... 以乙酸锌和硝酸铝为原料,氨水为催化剂,通过改变反应温度和pH值,以及干燥工艺得到三种工艺合成的ZAO粉体,即共沉淀-超临界流体干燥法(SCFD)制备的ZAO粉、共沉淀-普通干燥法制备的ZAO粉和湿态氢氧化锌铝沉淀物粉体.通过XRD,TEM,SEM和差热分析对三种ZAO粉进行了物相、颗粒大小与团聚情况和加热过程的物理化学变化进行了分析.采用浸渍-提拉法制备了ZAOp/ZAO薄膜,对其可见光透射率、导电率和表面形貌进行了测试和分析.结果表明以湿态氢氧化锌铝方式制备的ZAOp/ZAO透明导电薄膜的可见光透射率最高,大于82%;方块电阻最低,电阻为83Ω. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 zao粉体 透明导电薄膜 透光率 方块电阻

下载PDF 职称材料

衬底温度和氧分压对ZAO薄膜结构及光学性能的影响 被引量：1

11

作者 杨红 李雪勇 戎茂华 《湖南工业大学学报》 2008年第4期75-78,共4页

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究了不同工艺参数对薄膜晶体结构及光学性质的影响。实验结果表明:ZAO薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长,衬底温... 采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究了不同工艺参数对薄膜晶体结构及光学性质的影响。实验结果表明:ZAO薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长,衬底温度和氧分压对薄膜的结构和光学性能有重大影响。在衬底温度为200℃、氧氩分压比为1%时,薄膜结晶性能最好,平均透射率可达86.5%。 展开更多

关键词 zao薄膜 衬底温度 氧分压 透射率

下载PDF 职称材料

薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量：1

12

作者 李雪勇 严钦云 崔丽玲 《广州化工》 CAS 2011年第16期56-58,共3页

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明:在薄... 采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明:在薄膜厚度为500 nm时,ZAO薄膜具有最优化的光电性能,电阻率为1.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90.3%。 展开更多

关键词 zao薄膜 薄膜厚度 电学性能 光学性能

下载PDF 职称材料

磁控溅射制备参数对ZnO:Al电学性能的影响

13

作者 殷胜东 马勇 籍勇亮 《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》 2006年第1期16-21,共6页

ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.本文介绍了ZAO薄膜的广泛用途和今后研究的趋势,并着重分析了磁控溅射制备参数对电学性能的影响.

关键词 zao薄膜 电学性能 磁控溅射

下载PDF 职称材料

湿法刻蚀对ZnO∶Al透明导电薄膜结构与性能的影响

14

作者 杨玲 许积文 +2 位作者 王华 江民红 袁昌来 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期58-60,共3页

室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3%(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性... 室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3%(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响;经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ.cm分别增大到8.7mΩ.cm、8.8mΩ.cm和8.6mΩ.cm;透光率略有下降,从80%分别下降到76%、77%和78%。0.5%的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶;在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留;在王水中刻蚀图案清晰且无残留。 展开更多

关键词 zao薄膜 透明导电 湿法刻蚀

下载PDF 职称材料

氧掺杂对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响

15

作者 刘沅东 张宁 +2 位作者 余新平 张至树 汤清琼 《真空》 CAS 2014年第1期41-43,共3页

通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了不同氧掺杂量对于ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪衍射分析了薄膜相结构,使用四探针方阻仪测试薄膜的方阻,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表... 通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了不同氧掺杂量对于ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪衍射分析了薄膜相结构,使用四探针方阻仪测试薄膜的方阻,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:在通入较低氧分量时对ZAO薄膜结晶性能及光电性能没有太大的影响,但随着氧分量的增加ZAO薄膜性能急剧下降。 展开更多

关键词 磁控溅射 zao薄膜 氧含量

下载PDF 职称材料

溅射功率对不锈钢衬底ZnO∶Al薄膜性能的影响

16

作者 杨恢东 张翠媛 +3 位作者 王河深 李姗 李心茹 吴浪 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期87-90,共4页

采用直流磁控溅射技术,以掺Al为2%的Zn O陶瓷靶为靶材,通用的304不锈钢为衬底,制备了一系列Zn O∶Al薄膜,研究了溅射功率对样品薄膜结构和表面形貌、光学特性的影响。结果表明:制备的薄膜都为六方纤锌矿结构,并有高度的c轴择优取向;溅... 采用直流磁控溅射技术,以掺Al为2%的Zn O陶瓷靶为靶材,通用的304不锈钢为衬底,制备了一系列Zn O∶Al薄膜,研究了溅射功率对样品薄膜结构和表面形貌、光学特性的影响。结果表明:制备的薄膜都为六方纤锌矿结构,并有高度的c轴择优取向;溅射功率对薄膜的性能有显著的影响,即随着溅射功率的增大,从35 W到80 W,晶粒尺寸先增大后减小,薄膜表面陷光结构先变好后变坏,最优值出现在溅射功率为65 W时,此时薄膜对波长小于360 nm的光吸收率约为91%。 展开更多

关键词 直流磁控溅射 zao薄膜 不锈钢衬底 溅射功率

原文传递

溅射功率和靶基距对ZAO薄膜性能影响

17

作者 陆峰 徐成海 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期586-590,共5页

采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射... 采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80%,最低电阻率为4.5×10^(-4)Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求。 展开更多

关键词 zao薄膜 直流反应溅射 溅射功率 靶基距

原文传递

氧化锌铝透明导电膜 被引量：17

18

作者 徐成海 陆峰 谢元华 《真空电子技术》 2003年第6期39-44,49,共7页

本文在对ZAO膜与ITO膜性能比较的基础上,综述了ZAO膜的应用前景、国内外研究现状和制备技术,给出了用直流反应磁控溅射法制备ZAO膜的最佳工艺参数和测得的光电性能。

关键词 zao膜 磁控溅射 光电特性

下载PDF 职称材料

ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 被引量：5

19

作者 陆峰 徐成海 +1 位作者 孙超 闻立时 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期54-57,共4页

主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3... 主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上· 展开更多

关键词 透明导电纳米薄膜 AL元素 zao薄膜 Al质量分数 EDS XRD 电阻率 透射率 氧化锌薄膜 光性能 电性能 铝元素

下载PDF 职称材料

ZAO基底水热法制备ZnO纳米阵列及其形貌特征 被引量：1

20

作者 韦新颖 祁康成 +3 位作者 林祖伦 袁红梅 王小菊 张国宏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期570-574,共5页

采用水热法,在ZAO透明导电薄膜衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米阵列。用SEM、紫外可见光分光光度计、四探针测试仪等测试手段对ZnO纳米阵列的形貌结构和物理特性进行了表征和测试。结果表明,不添加任何催化剂,0.075M的乙酸锌水溶液中,90... 采用水热法,在ZAO透明导电薄膜衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米阵列。用SEM、紫外可见光分光光度计、四探针测试仪等测试手段对ZnO纳米阵列的形貌结构和物理特性进行了表征和测试。结果表明,不添加任何催化剂,0.075M的乙酸锌水溶液中,90℃水温时可生长出形状规则的氧化锌纳米棒;相同的温度下,等摩尔浓度(0.05M)的乙酸锌和六亚甲基四胺水溶液中,可生长出氧化锌纳米片阵列。光电性能测试表明所制备的ZAO/氧化锌纳米阵列具有良好的光透过性和导电性。 展开更多

关键词 zao薄膜 氧化锌纳米阵列 水热法 过饱和度 透过率 方阻

下载PDF 职称材料