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题名磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究
被引量：5
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作者
陈文革
张剑
熊斐
邵菲
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机构
西安理工大学材料科学与工程学院
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期42-45,共4页
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基金
陕西省教育厅自然科学基金资助项目(11JK0813)
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文摘
采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8～1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想。
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关键词
w-cu薄膜
磁控溅射
单靶
双靶
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Keywords
w-cu film
magnetron sputtering
single-target
dual-target
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分类号
TG174.444
[金属学及工艺—金属表面处理]
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题名W-Cu薄膜沉积初期亚稳态固溶体形成机制
被引量：2
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作者
谢添乐
周灵平
符立才
朱家俊
杨武霖
李德意
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机构
湖南大学材料科学与工程学院
湖南省喷射沉积技术重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第24期98-102,共5页
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基金
国家自然科学基金(51401080)
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文摘
采用直流双靶磁控溅射共沉积的方法制备了W含量为75%(原子分数)的W-Cu薄膜,并通过EDS、XRD、SEM、TEM等对W-Cu薄膜沉积初期的微观形貌及组织结构进行了表征和分析。结果表明,沉积初期,随着沉积时间延长,W-Cu薄膜有逐渐晶化的趋势,并形成了W(Cu)基亚稳态固溶体,且Cu在W中的固溶度逐渐增加。沉积10s时薄膜呈长程无序、短程有序的非晶态,局部有由于靶材粒子扩散不充分而形成的小于5nm的W、Cu纳米晶;20s时局部纳米晶消失但晶化程度升高;30s时晶化显著。沉积初期W-Cu薄膜随沉积时间延长逐渐晶化的原因是沉积过程中高能量的原子或原子团与已沉积的原子碰撞,传递能量,促进原子进一步扩散,克服了薄膜的晶化形成能,从而形成了亚稳态的W(Cu)固溶体。
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关键词
w-cu薄膜
沉积初期
微观结构
晶化
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Keywords
w-cu thin film
initial stage of deposition process
microstructure
crystallization
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分类号
TB303
[一般工业技术—材料科学与工程]
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