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W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性 被引量：1
1
作者 陈敏 刘祖黎 +3 位作者 王传聪 王豫 羊新胜 姚凯伦 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期46-49,共4页
采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷.在低场(E<100 V/mm)T,随温度的升高,样品的电学性质先呈现金属行为,100℃后变为无规的电涨落,300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为.这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解... 采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷.在低场(E<100 V/mm)T,随温度的升高,样品的电学性质先呈现金属行为,100℃后变为无规的电涨落,300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为.这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释.XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti13O12次晶相.考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果. 展开更多
关键词 w-bi-ti-o系陶瓷 电学性能 温度特性 铁电材料 显微结构
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Dy掺杂对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响 被引量：4
2
作者 羌锋 朱骏 +1 位作者 毛翔宇 陈小兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5422-5427,共6页
用传统固相烧结法制备了Sr2Bi4-xDyxTi5O18(SBDT-x,x=0—0.20)陶瓷样品.x射线衍射分析表明,微量的Dy掺杂没有影响Sr2Bi4Ti5O18(SBTi)原有的层状钙钛矿结构.通过研究样品的介电特性,发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子,降低了样品铁电-顺电... 用传统固相烧结法制备了Sr2Bi4-xDyxTi5O18(SBDT-x,x=0—0.20)陶瓷样品.x射线衍射分析表明,微量的Dy掺杂没有影响Sr2Bi4Ti5O18(SBTi)原有的层状钙钛矿结构.通过研究样品的介电特性,发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子,降低了样品铁电-顺电相转变的居里温度.铁电性能测量结果表明,随Dy含量的增加,SBDT-x系列样品的剩余极化先增大,后减小.当Dy掺杂量为0.01时,剩余极化达到最大值,约为20.1μC·cm-2.掺杂引起剩余极化的变化,与材料中缺陷浓度、内应力以及晶格畸变程度等因素有关,是多种作用机理相互竞争的结果.(Bi2O2)2+层通常被看作是绝缘层和空间电荷库,对材料的铁电性能起关键作用.掺杂离子进入(Bi2O2)2+层会导致铁电性能变差. 展开更多
关键词 Sr2bi4ti5o18陶瓷 Dy掺杂 铁电性能 居里温度 Sr2bi4ti5o18 铁电性能 y掺杂 陶瓷性能 X射线衍射分析 层状钙钛矿结构 陶瓷样品 剩余极化 固相烧结法
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Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究 被引量：3
3
作者 姚阳阳 宋春花 +2 位作者 包志豪 朱劲松 王业宁 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期22-23,26,共3页
测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电... 测量了Bi_4Ti_3O_12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响. 展开更多
关键词 bi4ti3o12陶瓷 介电损耗 B位掺杂 弛豫峰 A位掺杂 铁电性 铁电体 钛酸铋
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高浓度Sm_2O_3掺杂的BIT陶瓷微结构与电性能研究 被引量：3
4
作者 庄永勇 蒲永平 +1 位作者 王瑾菲 杨公安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期108-110,共3页
采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电... 采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电常数为114,室温介质损耗(tanδ)为0.002;当Sm2O3浓度为6.0mol%时,陶瓷材料的室温介电常数为119,室温介质损耗(tanδ)为0.0027。 展开更多
关键词 bi4ti3o12陶瓷 Sm2o3掺杂 高浓度 微观结构 电性能
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Nd掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷样品的铁电、介电性能
5
作者 陆文峰 毛翔宇 陈小兵 《扬州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2005年第4期24-27,共4页
层状钙钛矿铁电体材料Bi4-xNdxTi3O12 (x=0.0～0.9)陶瓷样品适量Nd掺杂可提高Bi4Ti3O12 (BIT)的铁电性能. 当掺杂量为0.6时,样品的剩余极化达到最大值. 样品的相变温度(tc)随掺杂量的增加而降低,当掺杂量大于0.6时, tc下降速率增大. 随... 层状钙钛矿铁电体材料Bi4-xNdxTi3O12 (x=0.0～0.9)陶瓷样品适量Nd掺杂可提高Bi4Ti3O12 (BIT)的铁电性能. 当掺杂量为0.6时,样品的剩余极化达到最大值. 样品的相变温度(tc)随掺杂量的增加而降低,当掺杂量大于0.6时, tc下降速率增大. 随着Nd含量的增加(x>0.6), 样品的弛豫程度明显提高. Nd掺杂降低了样品的氧空位浓度,提高了BIT样品的铁电性能. 展开更多
关键词 bi4ti3o12陶瓷 ND掺杂 剩余极化 介电性能
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