脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成 被引量：6

1

作者 胡云志 孙会元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5256-5260,共5页

实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态... 实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用. 展开更多

关键词 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线

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磁性材料展望 被引量：1

2

作者 刘大均 华瑛 《上海金属》 CAS 1996年第4期41-44,共4页

根据现代营销学理论，阐述了磁性材料的未来发展。重点探讨了三个方面的内容：垂直布洛赫线，有可能研制出超高密度存贮器；磁性宏观量子隧道效应，有可能将现在的电子计算机发展成尺寸最小的量子计算机及近室温磁制冷技术，有可能取代... 根据现代营销学理论，阐述了磁性材料的未来发展。重点探讨了三个方面的内容：垂直布洛赫线，有可能研制出超高密度存贮器；磁性宏观量子隧道效应，有可能将现在的电子计算机发展成尺寸最小的量子计算机及近室温磁制冷技术，有可能取代破坏大气臭氧层的氟利昂。 展开更多

关键词 营销学 磁性材料 布洛赫线 磁制冷 发展

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面内场对三类硬磁畴的影响 被引量：4

3

作者 胡云志 孙会元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期1242-1245,共4页

采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的... 采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案. 展开更多

关键词 硬磁畴 整形 垂直布洛赫线

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脉冲偏场对形成正、负VBL的影响 被引量：1

4

作者 孙会元 聂向富 刘子军 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第3期39-41,共3页

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。

关键词 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴壁 硬化偏场 硬磁畴

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面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性 被引量：1

5

作者 唐贵德 孙会元 +2 位作者 聂向富 王洪信 赵白 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期50-54,共5页

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．

关键词 稳定性 硬磁畴 第Ⅱ类 哑铃畴 面内磁场

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直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

6

作者 唐贵德 赵白 +4 位作者 李燕 张民 潘成福 孙会元 聂向富 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期67-69,共3页

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下，测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明，三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．

关键词 磁泡膜 硬磁畴 直流偏磁场 畴壁长度

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3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性 被引量：2

7

作者 郭革新 马丽梅 +2 位作者 唐贵德 孙会元 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期357-359,共3页

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界... 研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。 展开更多

关键词 硬磁畴 普通硬磁泡 哑铃畴 畴壁 垂直布洛赫线 温度稳定性 临界温度

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布洛赫线存储器稳定性的研究

8

作者 蔡丽景 顾建军 孙会元 《东莞理工学院学报》 2011年第3期58-61,共4页

实验研究了直流偏场和温度交替作用对布洛赫线存储器中垂直布洛赫线(VBL)链的影响。发现三类硬磁畴中VBL链是在临界温度范围[Tl,T2]内解体的,对于三类硬磁畴有着相同的T1,从而进一步证明了温度作用下硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的,同... 实验研究了直流偏场和温度交替作用对布洛赫线存储器中垂直布洛赫线(VBL)链的影响。发现三类硬磁畴中VBL链是在临界温度范围[Tl,T2]内解体的,对于三类硬磁畴有着相同的T1,从而进一步证明了温度作用下硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的,同时也证实了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的。畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度与畴壁中VBL的数目无关,而与VBL间的平衡间距有关。 展开更多

关键词 布洛赫线存储器 垂直布洛赫线 热稳定性

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硬磁畴动态特性的进一步研究 被引量：1

9

作者 贾莲芝 顾建军 +1 位作者 封顺珍 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第6期586-589,共4页

实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.

关键词 硬磁畴 直流偏场 转动 上升 证明 VBL 状态 首次 实验研究 固定

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直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响

10

作者 孙会元 倪振成 聂向富 《河北轻化工学院学报》 1997年第4期27-29,共3页

实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ，Ｈ（２）ｉｐ］，证明了面内场作用下普通硬磁泡... 实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ，Ｈ（２）ｉｐ］，证明了面内场作用下普通硬磁泡畴壁中ＶＢＬ的消失与其畴壁中所含ＶＢＬ数目的多少无关。 展开更多

关键词 普通硬磁泡 整形 磁泡 直流偏场 面内场

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硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究 被引量：1

11

作者 赵国良 顾建军 孙会元 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期352-354,共3页

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀... 实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性. 展开更多

关键词 硬磁泡 垂直布洛赫线 直流偏场

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温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响

12

作者 李海涛 尹世忠 +3 位作者 顾建军 胡云志 赵淑梅 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第6期744-748,共5页

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度... 实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多. 展开更多

关键词 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线

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旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性

13

作者 岂云开 顾建军 +1 位作者 贾莲芝 孙会元 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期61-63,共3页

实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的V... 实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的VBL.实验首次验证了正、负布洛赫线模型是合理的. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴长 缩灭场

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三类硬磁畴畴壁结构分析

14

作者 孙会元 李志青 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第2期31-33,60,共4页

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。

关键词 垂直布洛赫线 硬磁泡 哑铃畴 磁畴 畴壁结构

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直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

15

作者 郭革新 马丽梅 +1 位作者 孙会元 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第6期577-580,共4页

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 。

关键词 ID畴壁 VBL链 直流偏场 面内场 第I类哑铃畴 垂直布络赫线链 石榴石磁泡膜

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面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响

16

作者 王洪信 唐贵德 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第2期137-139,共3页

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ... 实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ、（Ｈｉｐ）ＯＨＢ、（Ｈｉｐ）ＳＢ以及使ＶＢＬ全部解体的临界面内场Ｈ′ｉｐ与Ｈｂ无关．当Ｈｂ＞（Ｈｂ）ｔｈ时。 展开更多

关键词 面内场 哑铃畴 布洛赫线链 畴壁 石榴石磁泡膜

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直流偏磁场作用下VBL消失机制探讨

17

作者 唐贵德 刘英 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第S1期150-152,共3页

以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题，从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场，并首次解释了... 以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题，从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场，并首次解释了第二类哑铃畴以条畴形态缩灭的现象。从而系统地解释了这些多年来未能解释的实验现象。 展开更多

关键词 磁泡 垂直布洛赫线 硬泡畴 哑铃畴

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磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

18

作者 赵淑梅 蔡丽景 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期147-150,共4页

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软... 利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足. 展开更多

关键词 磁畴 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁泡 硬磁畴

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硬磁泡临界面内场的重新测定 被引量：3

19

作者 顾建军 杨素娟 +1 位作者 封顺珍 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期650-651,664,共3页

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场Hi(p1)时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.

关键词 临界面内场 硬磁泡 垂直布洛赫线

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温度和面内场联合作用下软畴段的行为 被引量：2

20

作者 顾建军 李春光 +2 位作者 岂云开 郑文礼 孙会元 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期786-789,共4页

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度... 实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度下的软畴段对应着不同的(Hip)d,而且(Hip)d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(Hip)d是饱和磁化强度4πMs的2倍. 展开更多

关键词 软畴段 分界面内场 垂直布洛赫线

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