VO_2薄膜对TEACO_2激光响应特性的实验研究 被引量：20

1

作者 查子忠 王骐 +1 位作者 李学春 王军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期1173-1176,共4页

报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究。结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２°Ｃ条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ２时，可使ＶＯ２薄膜发生相变。响应时间＜... 报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究。结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２°Ｃ条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ２时，可使ＶＯ２薄膜发生相变。响应时间＜５０ｎｓ，恢复时间≈２００μｓ。 展开更多

关键词 薄膜 相变 二氧化钒 红外探测材料

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二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析 被引量：24

2

作者 陈长琦 朱武 +2 位作者 干蜀毅 方应翠 王先路 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期452-456,共5页

VO2 是一种固态热致变色材料 ,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态 ,而且相变可逆。由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化 ,这使得它成为一种有前景的电 /光转换、光存储、激光保护和智能窗材料。本文综述VO2 膜的... VO2 是一种固态热致变色材料 ,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态 ,而且相变可逆。由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化 ,这使得它成为一种有前景的电 /光转换、光存储、激光保护和智能窗材料。本文综述VO2 膜的制取方法及相变机理的研究进展。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 热致变色 相变 热滞回线 制备 固态热致变色材料

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二氧化钒薄膜在智能窗方面应用研究 被引量：18

3

作者 方应翠 陈长琦 +2 位作者 朱武 王先路 干蜀毅 《真空》 CAS 北大核心 2003年第2期16-18,共3页

二氧化钒是一种热致变色材料,相变温度为68℃。相变前后二氧化钒光学性能有较大的变化,如二氧化钒对红外线透过率低温态时大,高温态时小。利用这一特点,在玻璃基体上沉积二氧化钒薄膜,可实现对汽车、建筑物、航天器等室内温度的自动调节... 二氧化钒是一种热致变色材料,相变温度为68℃。相变前后二氧化钒光学性能有较大的变化,如二氧化钒对红外线透过率低温态时大,高温态时小。利用这一特点,在玻璃基体上沉积二氧化钒薄膜,可实现对汽车、建筑物、航天器等室内温度的自动调节,从而达到对太阳光能的智能化利用,节省地球能源。本文分析应用原理并且探讨相关问题。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 相变 智能窗

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价态和结构对VO_2薄膜热致相变光电性能的影响 被引量：10

4

作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 邹萍 何捷 王鹏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期185-191,共7页

本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度 ,利用真空还原V2 O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2 薄膜 ;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2 薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响 ,得到最佳真空还原参数 ;制备... 本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度 ,利用真空还原V2 O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2 薄膜 ;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2 薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响 ,得到最佳真空还原参数 ;制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达 3个数量级 ,90 0nm波长光透过率在相变前后改变了 4 0 %左右 ,光学特性相变响应参数较大 ,热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究 ,结果表明较低温度退火有利于V5+ 离子的还原 ,而升高退火温度可改善结晶状态 ,退火时间对VO2 中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2 薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。 展开更多

关键词 vo2薄膜 热致相变 光电性能 价态 结构

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二氧化钒薄膜的光学特性及应用前景 被引量：9

5

作者 单凡 黄祥成 《应用光学》 CAS CSCD 1996年第2期39-42,共4页

本文着重介绍二氧化钒（ＶＯ２）薄膜的性质、相变原理、若干制备工艺对ＶＯ２薄膜相交特性的影响并给出ＶＯ２薄膜的应用方向。

关键词 二氧化钒 光学 薄膜 相变变换 制备

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连续激光辐照下二氧化钒薄膜热致相变实验研究 被引量：13

6

作者 骆永全 王伟平 罗飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期713-716,共4页

介绍了VO2薄膜的相变原理,用磁控离子溅射法制备了VO2薄膜,并进行了X射线衍射和不同温度下的光谱透过率测量。在1.319μm连续波激光辐照下,实时测量了VO2薄膜的温度变化,以及由于温度变化引起相变后对激光透过率的变化。结果表明,入射... 介绍了VO2薄膜的相变原理,用磁控离子溅射法制备了VO2薄膜,并进行了X射线衍射和不同温度下的光谱透过率测量。在1.319μm连续波激光辐照下,实时测量了VO2薄膜的温度变化,以及由于温度变化引起相变后对激光透过率的变化。结果表明,入射到薄膜表面的平均功率为8.9 W、光斑直径2 mm时,激光出光480 ms后,VO2的温度从室温上升到约100℃,薄膜发生了相变,其对1.319μm激光的透过率从相变前的48%降为相变后的28%。 展开更多

关键词 vo2薄膜 热致相变 光限幅 激光防护

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基于VO_2薄膜相变原理的温控太赫兹超材料调制器 被引量：13

7

作者 刘志强 常胜江 +2 位作者 王晓雷 范飞 李伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期158-163,共6页

利用二氧化钒薄膜绝缘相—金属相的相变特性,提出了一种基于超材料的温控太赫兹调制器,研究了相变超材料在太赫兹波段的传输特性和温控可调谐特性.当入射太赫兹波为水平偏振或垂直偏振状态时,器件的透过率谱线在1THz附近呈现出两个独立... 利用二氧化钒薄膜绝缘相—金属相的相变特性,提出了一种基于超材料的温控太赫兹调制器,研究了相变超材料在太赫兹波段的传输特性和温控可调谐特性.当入射太赫兹波为水平偏振或垂直偏振状态时,器件的透过率谱线在1THz附近呈现出两个独立的、中心频率分别为1.3THz和1.7THz、带宽分别为0.2THz和0.35THz的透射宽带.当温度从40C至80C变化时,两宽带的透过率发生明显的降低,在二氧化钒的相变温度(68C)时尤其灵敏,对入射光的二种偏振状态,调制深度均达到60%以上,实现了良好的调制效果. 展开更多

关键词 太赫兹超材料 vo2薄膜 调制器 相变

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用于智能激光防护武器的二氧化钒薄膜研究进展 被引量：10

8

作者 赵佳明 边继明 +3 位作者 骆英民 吕盛 李寿波 李欣 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第2期102-106,共5页

随着激光武器的迅猛发展,寻找一种适用于激光防护领域的新型材料,有效对抗激光致盲,已成为摆在各国面前非常现实的问题。二氧化钒(VO2)作为一种性能优异的功能材料,在68℃附近发生从低温半导体相到高温金属相的可逆突变。但由于钒氧体... 随着激光武器的迅猛发展,寻找一种适用于激光防护领域的新型材料,有效对抗激光致盲,已成为摆在各国面前非常现实的问题。二氧化钒(VO2)作为一种性能优异的功能材料,在68℃附近发生从低温半导体相到高温金属相的可逆突变。但由于钒氧体系的复杂性和纯VO2薄膜相变温度较高等关键问题尚没有完全解决,严重阻碍了其在热电开关、激光防护和温控装置等方面的实际应用。综述了VO2薄膜多种制备方法的原理和优缺点,并重点介绍了VO2薄膜在智能激光防护武器上的应用。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 智能激光防护 相变 掺杂

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由工业V_2O_5制取VO_2薄膜 被引量：7

9

作者 杨绍利 徐楚韶 +1 位作者 陈厚生 胡再勇 《钢铁钒钛》 CAS 北大核心 2002年第2期7-10,共4页

以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5～ 2 .0个数量级 ,相变温度约... 以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5～ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。 展开更多

关键词 V2O5 vo2 薄膜 热分解 M-S相变

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1.7MeV电子束在VO_2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化 被引量：5

10

作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 邹萍 卢铁城 何捷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期525-528,共4页

利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ～ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在V... 利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ～ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在VO2 薄膜中出现变价效应 ,产生新的X射线衍射峰 ,带来薄膜化学成分的变化。电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2 展开更多

关键词 结构 相变性能 电子辐照 热致相变 二氧化钡薄膜

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纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究 被引量：7

11

作者 梁继然 胡明 +4 位作者 阚强 王晓东 李贵柯 李昌青 陈弘达 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期323-327,共5页

采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结... 采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结果表明,经400℃N2热处理后,获得了由纳米颗粒组成的VO2薄膜;在所测试的红外波段,纳米VO2薄膜内颗粒发生相变的初始温度随波长的增加而升高,薄膜的相变温度点随波长增加也逐渐升高。 展开更多

关键词 vo2 光学相变 红外透射

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掺钨VO_2薄膜的电致相变特性 被引量：7

12

作者 张娇 李毅 +6 位作者 刘志敏 李政鹏 黄雅琴 裴江恒 方宝英 王晓华 肖寒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第23期277-285,共9页

采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,... 采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高,相变的阈值电压降低,且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时,分别在不同温度下测试了掺钨VO_2薄膜的透过率.温度为20和50℃时,掺钨VO_2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO_2薄膜相比,掺钨VO_2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点,在高速光电器件中有广阔的应用前景. 展开更多

关键词 掺钨vo2薄膜 电致相变 阈值电压 光透过率

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磁控溅射法在玻璃基片制备VO_2薄膜的结构与性能 被引量：7

13

作者 黄维刚 王燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期797-799,共3页

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以... 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳。薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加。 展开更多

关键词 vo2薄膜 射频磁控溅射法 相变特性

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工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性 被引量：3

14

作者 杨绍利 徐楚韶 +1 位作者 陈厚生 胡再勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期925-930,共6页

以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温... 以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。 展开更多

关键词 V2O5 vo2 薄膜 M-S相变 电阻突变 稳定性 热分解法 还原法 二氧化钒 金属—半导体相变

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利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数 被引量：6

15

作者 卢勇 林理彬 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期181-183,共3页

利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得... 利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得薄膜的结构和价态有显著影响 ,从而对VO2 的电阻温度系数产生较大调整。 展开更多

关键词 热致相变 电阻温度系数 二氧化钒薄膜

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VO_(2-x)N_y薄膜的主要制备工艺参数与相变温度系数 被引量：5

16

作者 陈金民 黄志良 +1 位作者 刘羽 王升高 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期512-515,共4页

选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。通过正交试验设计对制备VO2薄膜过程中的主要影响因素(反应时间、反... 选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。通过正交试验设计对制备VO2薄膜过程中的主要影响因素(反应时间、反应压力、反应功率和N2/H2流量比)进行了分析研究。试验结果表明,VO2薄膜的最终的相变温度明显受到反应时间、反应压力、反应功率和N2/H2流量比的影响。其中以反应时间影响作用最为显著。经分析得到使VO2薄膜具有最低相变温度的优化工艺为:反应时间为7 min,反应压力为1.5 kPa,反应功率为100 W,N2/H2流量比为5/20(mL/min)。文中对试验结果进行了简单讨论。 展开更多

关键词 vo2薄膜 热致相变特性 电阻温度系数 vo2-xNy薄膜 微波等离子

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VO_2薄膜的制备及其热致相变特性研究 被引量：5

17

作者 宋林伟 黄婉霞 +4 位作者 张玉波 徐元杰 张阳 李娜 李丹霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1110-1112,共3页

以双氧水和V2O5粉末为前驱体制备出V2O5溶胶,然后在云母基底上成膜,通过后续热处理退火得到优异相变性能的VO2薄膜。采用SEM、XRD分析薄膜形貌和微观结构,利用FT-IR等检测薄膜的光学性质。实验表明,VO2薄膜在云母基底上沿(011)晶面择优... 以双氧水和V2O5粉末为前驱体制备出V2O5溶胶,然后在云母基底上成膜,通过后续热处理退火得到优异相变性能的VO2薄膜。采用SEM、XRD分析薄膜形貌和微观结构,利用FT-IR等检测薄膜的光学性质。实验表明,VO2薄膜在云母基底上沿(011)晶面择优取向生长,颗粒生长致密且大小分布均匀。薄膜具有优异的相变陡然性,相变温度及滞后温宽都较低。在红外波段,相变前后透过率及反射率变化都较大,对红外光调节性能较好;在可见光波段,薄膜在相变前后都具有较高可见光透过率。 展开更多

关键词 vo2薄膜 相变特性 溶胶-凝胶 双氧水 光学性质

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VO_2薄膜智能玻璃的研究进展 被引量：3

18

作者 李锦 魏红莉 何峰 《玻璃》 2006年第1期45-48,共4页

从建筑节能的角度,概述了几种节能玻璃的特点,提出了新型VO2镀膜玻璃的智能化特性,并阐述了近年来对VO2薄膜的主要研究工作以及今后的努力方向。

关键词 vo2薄膜 智能玻璃 相变转换

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VO_2薄膜相变特性以及制备与应用的研究进展 被引量：5

19

作者 李建国 安忠维 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期862-868,共7页

二氧化钒(VO_2)薄膜是一种新型功能材料,其在68℃附近可发生低温半导体相与高温金属相(S-M)之间的可逆相变。伴随晶体结构的转变,VO_2薄膜的电学、光学等物理性能发生突变,其性能的突变使得在热、电开关以及光存储方面有着广泛的应用而... 二氧化钒(VO_2)薄膜是一种新型功能材料,其在68℃附近可发生低温半导体相与高温金属相(S-M)之间的可逆相变。伴随晶体结构的转变,VO_2薄膜的电学、光学等物理性能发生突变,其性能的突变使得在热、电开关以及光存储方面有着广泛的应用而受到国内外越来越多的学者进行研究。但是,氧化钒存在相态复杂,VO_2稳定存在相态范围狭窄,制备高纯度的VO_2薄膜是现阶段国内外学者的研究重点。就近几年国内外相关研究,阐述了VO_2薄膜的基本相变特性,介绍了常规的VO_2薄膜制备方法和新型的以原子层沉积(ALD)技术制备VO_2薄膜的方法,总结了通过改变薄膜制备工艺以及掺杂工艺降低VO_2薄膜相变温度,进一步对VO_2薄膜的应用方向、未来发展趋势进行展望。 展开更多

关键词 vo2薄膜 相变温度 制备方法 原子层沉积(ALD) 掺杂

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Laser Protection with VO_2 Film 被引量：2

20

作者 查子忠 张蕴东 王琪 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 1997年第4期86-89,共4页

This paper presents the principle,properties,advantage and disadvantage,associated problems and trend of laser protection with VO 2 film for infrared detectors in the range of 3～5μm and 8～12μm regions and suggest... This paper presents the principle,properties,advantage and disadvantage,associated problems and trend of laser protection with VO 2 film for infrared detectors in the range of 3～5μm and 8～12μm regions and suggests VO 2 film is a potential protection material for infrared detectors. 展开更多

关键词 LASER PROTECTION phase transition vo 2 film

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