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p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响 被引量:9
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作者 周梅 赵德刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4570-4574,共5页
研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-... 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度. 展开更多
关键词 GAN 紫外探测器 量子效率 暗电流
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一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器 被引量:8
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作者 周梅 左淑华 赵德刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5513-5517,共5页
提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究... 提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究结果还表明:采取较薄、载流子浓度较高的AlGaN层更有利于提高这种新结构器件的量子效率. 展开更多
关键词 GAN 肖特基结构 紫外探测器 ALGAN
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多层PtSe2/TiO2纳米棒肖特基结紫外光电探测器 被引量:9
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作者 陈红云 鲁玉 +4 位作者 李辰 赵兴远 张秀星 张致翔 罗林保 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第20期156-163,共8页
提出一种基于多层PtSe2/TiO2纳米棒(NR)阵列的肖特基结紫外光电探测器。多层PtSe2薄膜和TiO2 NRs分别由化学气相沉积法和水热法制备,通过湿转移法,即可获得具有上下结构的多层PtSe2/TiO2 NRs肖特基结器件。光电测试结果表明,所设计的器... 提出一种基于多层PtSe2/TiO2纳米棒(NR)阵列的肖特基结紫外光电探测器。多层PtSe2薄膜和TiO2 NRs分别由化学气相沉积法和水热法制备,通过湿转移法,即可获得具有上下结构的多层PtSe2/TiO2 NRs肖特基结器件。光电测试结果表明,所设计的器件对波长为365 nm的紫外光具有较明显的响应,开关比高达5.5×104,响应度和比探测率分别可达57 mA/W和8.36×1011 Jones。此外,器件在空气环境中非常稳定,在空气中放置5周后,光电流基本没有下降。最后,对单个器件的图像传感特性进行研究,结果表明,PtSe2/TiO2探测器可用作图像传感器,能对简单的紫外图形进行成像。 展开更多
关键词 光电子学 紫外光电探测器 TiO2纳米棒阵列 PtSe2薄膜 图像传感器
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283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器 被引量:8
4
作者 王晓勇 种明 +1 位作者 赵德刚 苏艳梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第4期1011-1014,共4页
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。... 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。探测器为直径500μm的圆形,光谱响应起止波长为260~310 nm,峰值响应波长283 nm。零偏压下,暗电流密度为2.7×10-10Acm-2,对应的R0A参数为3.8×108Ωcm2,峰值响应率为13 mA/W,对应的峰值探测率为1.97×1012cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下,峰值响应率达到148 mA/W,对应的外量子效率达到63%。 展开更多
关键词 紫外探测器 ALGAN 日盲 量子效率
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4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析 被引量:4
5
作者 张军琴 杨银堂 +2 位作者 卢艳 娄利飞 赵妍 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期509-514,共6页
用MEDICI软件对金属一半导体一金属(MSM)结构4H—SiC紫外(UV)探测器的FV特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密... 用MEDICI软件对金属一半导体一金属(MSM)结构4H—SiC紫外(UV)探测器的FV特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10^-13A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级;探测器的光谱响应范围为200-400nm,在347nm处响应度达到极大值;增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度;当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大。 展开更多
关键词 探测器 4H—SiC 紫外探测器 模拟 金属-半导体-金属结构 光谱响应
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包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响 被引量:7
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作者 裴佳楠 蒋大勇 +8 位作者 田春光 郭泽萱 刘如胜 孙龙 秦杰明 侯建华 赵建勋 梁庆成 高尚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期368-372,共5页
利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt... 利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高.在60 V偏压下,包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1,包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍.结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试,得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 紫外光电探测器 表面等离子体 PT纳米粒子
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246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制 被引量:5
7
作者 颜廷静 种明 +2 位作者 赵德刚 张爽 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期32-35,共4页
设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225~255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压... 设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225~255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7 nA,峰值响应度为23 mA/W。并在此基础上制备出大面阵太阳盲紫外探测器芯片,其像元数为128×128,光敏元直径为44μm,像元间距为50μm。 展开更多
关键词 ALGAN 太阳盲 紫外探测器 面阵
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基于宽禁带半导体氧化物微纳材料的紫外探测器研究进展 被引量:5
8
作者 陈星 周畅 +1 位作者 刘可为 申德振 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期912-928,共17页
紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术,有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器,但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰,需要在高压下工作;而Si基光电二极管需... 紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术,有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器,但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰,需要在高压下工作;而Si基光电二极管需要昂贵的滤光片。宽禁带半导体紫外探测器克服了上述两种器件面临的一些问题,成为紫外探测器研究的热点。其中宽禁带氧化物材料,具有易于制备高响应高增益器件、有丰富的微纳结构、易于制备微纳器件的特点,引起了人们的广泛关注。本文对宽禁带半导体氧化物材料的微纳结构器件进行梳理,对近年来的一些相关研究进行了综述。其中涉及的氧化物材料包括ZnO,Ga_(2)O_(3),SnO_(2),TiO_(2)等,涉及的器件结构包括金属-半导体-金属型器件,肖特基结型器件,异质结型器件等。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 氧化物半导体 微纳结构 紫外探测器
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基于Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料的自供能紫外探测器的制备及性能研究
9
作者 方向明 周起成 +3 位作者 郭庄鹏 朱恩科 郝瑜睿 高世勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期107-115,共9页
为了获得高性能的自供能紫外探测器,结合热聚法和溶液法成功制备了Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料,并对其微观形貌、晶体结构、元素组成及价态进行了表征。结果表明,Bi_(2)O_(3)呈蜂窝状结构的块体,其附着在具有层状结构的g-C_(3)N_... 为了获得高性能的自供能紫外探测器,结合热聚法和溶液法成功制备了Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料,并对其微观形貌、晶体结构、元素组成及价态进行了表征。结果表明,Bi_(2)O_(3)呈蜂窝状结构的块体,其附着在具有层状结构的g-C_(3)N_(4)纳米片上。基于该异质结制备了无需外加偏压即能工作的紫外探测器。在紫外光照射下,Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)光电探测器能够立即产生光电流并达到最大稳定值约0.43μA,相比于Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器,其光电流提升了约1.05倍。值得注意的是,Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)紫外探测器还展现出了快的响应速度(约181.7 ms),并且其光电流与入射光强也具有良好的线性关系,表明该器件对不同强度的紫外光均能实现快速且稳定的探测。 展开更多
关键词 紫外探测器 自供能 Bi_(2)O_(3)纳米块 g-C_(3)N_(4)纳米片 异质结
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Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器特性
10
作者 袁兆林 许庆鹏 +3 位作者 谢志文 何剑锋 游胜玉 汪雪元 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期116-124,共9页
采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向... 采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向生长,形成良好取向阵列。并且用这些Al掺杂ZnO纳米线阵列作为光敏层,制备了五种紫外光探测器,系统研究了器件性能。经分析,所有器件对365 nm紫外光表现出良好响应。1%Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器具有最佳性能,在365 nm波长处,该探测器响应度、比探测率、灵敏度、外量子效率、响应时间和衰减时间分别为6180 mA/W、1.51×10^(12)Jones、83.2、6090%、4.12 s和14.45 s。该研究证实在ZnO纳米线阵列中进行适量Al掺杂,可有效提高其紫外光探测器性能。 展开更多
关键词 紫外光探测器 氧化锌 AL掺杂 掺杂浓度 水热法 光响应
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Ga掺杂ZnO微米棒紫外光探测器的制备与特性
11
作者 袁兆林 吴永炜 +4 位作者 余璐瑶 何剑锋 徐能昌 汪雪元 路鹏飞 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期643-652,共10页
为了获得高性能和低成本的氧化锌(ZnO)基紫外光探测器,使用Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)作为光敏层,采用水热法合成了不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒,Ga与Zn的原子比分别为0%(未掺杂),0.5%,1%,2%和4%。使用X射线衍射仪(XRD)测试所有样品的晶体结构... 为了获得高性能和低成本的氧化锌(ZnO)基紫外光探测器,使用Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)作为光敏层,采用水热法合成了不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒,Ga与Zn的原子比分别为0%(未掺杂),0.5%,1%,2%和4%。使用X射线衍射仪(XRD)测试所有样品的晶体结构,发现它们都为六方纤锌矿结构的ZnO。采用扫描电子显微镜(SEM)观察它们的形貌,都呈现棒状结构。进一步,制备叉指图案氟掺杂的氧化锡(FTO)导电玻璃基底,将不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒分别涂覆在FTO上,得到5种简单结构的紫外光探测器,系统研究了它们的性能。结果表明:所有ZnO∶Ga微米棒紫外光探测器对365 nm紫外光表现出良好的响应。其中,1%Ga掺杂ZnO∶Ga微米棒紫外光探测器性能最佳,经计算,在365 nm波长处,它的响应度、增益和比探测率分别为13.13 A/W(5 V),44.63(5 V),3.31×1012Jones,响应时间和衰减时间分别为12.3 s和36.4 s。说明在ZnO微米棒中进行合适Ga掺杂能有效提高紫外光探测器的性能。该研究有助于基于ZnO∶Ga材料的紫外光探测器及相关器件发展。 展开更多
关键词 紫外光探测器 镓掺杂氧化锌 微米棒 水热法 响应度
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Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块自供能紫外探测器的制备及性能
12
作者 方向明 周起成 +3 位作者 孙宇 乔志铭 耿秋丹 高世勇 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期653-660,共8页
为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测,基于Ag修饰的Bi_(2)O_(3)纳米块(Ag/Bi_(2)O_(3))纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi_(2)O_(3)纳米块,随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子,进而成功制备了Ag/Bi_(2)O_(3... 为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测,基于Ag修饰的Bi_(2)O_(3)纳米块(Ag/Bi_(2)O_(3))纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi_(2)O_(3)纳米块,随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子,进而成功制备了Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块,且对所制备样品的晶体结构和微观形貌等进行了表征。结果表明,Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块的平均尺寸约为1μm,且Ag纳米粒子随机分布在Bi_(2)O_(3)纳米块表面。将涂覆Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块的FTO作为工作电极,并进一步构建了自供能紫外探测器。在365 nm的紫外光照射下,Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器能在零偏压下实现对紫外光的快速检测,这证实其具有自供能特性。相比于Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器,Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器的光电流得到明显提升,上升和下降时间分别缩短至29.1 ms和40.2 ms,并具有良好的循环稳定性。 展开更多
关键词 紫外探测器 Bi_(2)O_(3)纳米块 AG纳米粒子 自供能探测
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高增益ZnO肖特基紫外光电探测器光响应特性 被引量:2
13
作者 段雨晗 蒋大勇 赵曼 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1816-1823,共8页
ZnO宽禁带半导体紫外光电探测器具有稳定性高、成本低等诸多优势,在国防、医疗、环境监测等领域具有重要的应用前景。本文采用射频磁控技术在SiO_(2)衬底上制备了ZnO薄膜,在此基础上获得了具有高增益的金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO... ZnO宽禁带半导体紫外光电探测器具有稳定性高、成本低等诸多优势,在国防、医疗、环境监测等领域具有重要的应用前景。本文采用射频磁控技术在SiO_(2)衬底上制备了ZnO薄膜,在此基础上获得了具有高增益的金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO紫外光电探测器。10 V偏压下,探测器的响应度和外量子效率分别为4.90 A/W和1668%。这是由于光照情况下,半导体与金属界面处的空穴俘获产生高增益所导致的。此外,进一步研究了增益效应、外加偏压和耗尽层宽度对ZnO紫外光电探测器响应度的调控规律与影响机制,为高性能紫外光电探测器的研制与性能调控提供了重要的参考依据。 展开更多
关键词 ZNO 紫外光电探测器 响应度 增益效应 耗尽层
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多孔GaN/CuZnS异质结窄带近紫外光电探测器 被引量:5
14
作者 郭越 孙一鸣 宋伟东 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期350-358,共9页
窄带光电探测系统在荧光检测、人工视觉等领域具有广泛应用.为了实现对特殊波段的窄带光谱探测,传统上需要将宽带探测器和光学滤波片集成.但是,随着检测技术的发展,人们对探测系统的功耗、尺寸、成本等方面也提出了更高要求,结构复杂、... 窄带光电探测系统在荧光检测、人工视觉等领域具有广泛应用.为了实现对特殊波段的窄带光谱探测,传统上需要将宽带探测器和光学滤波片集成.但是,随着检测技术的发展,人们对探测系统的功耗、尺寸、成本等方面也提出了更高要求,结构复杂、成本高的传统窄带光电探测器应用受到限制.于是,本文展示了一种基于多孔GaN/CuZnS异质结的无滤波、窄带近紫外光电探测器.通过光电化学刻蚀和水浴生长方法,分别制备了具有低缺陷密度的多孔GaN薄膜和高空穴电导率的CuZnS薄膜,并构建了多孔GaN/CuZnS异质结近紫外光电探测器.得益于GaN的多孔结构和CuZnS的光学滤波作用,器件在–2 V偏压、370 nm紫外光照下,光暗电流比超过4个数量级;更重要的是,器件具有超窄带近紫外光响应(半峰宽<8 nm,峰值为370 nm).此外,该探测器的峰值响应度、外量子效率和比探测率分别达到了0.41 A/W,138.6%和9.8×10^(12)Jones.这些优异的器件性能显示了基于多孔GaN/CuZnS异质结的近紫外探测器在窄光谱紫外检测领域具有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 紫外光电探测器 异质结 多孔GaN 窄带响应
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界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究(特邀)
15
作者 高芳亮 陈坤 +8 位作者 刘青 王幸福 杨纪锐 徐明俊 贺宇浩 石宇豪 许腾文 阳志超 李述体 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2024年第3期1-6,共6页
界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而... 界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下,载流子将发生碰撞,造成光电流倍增,使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此,器件在-2 V偏压条件和5μW/cm^(2)紫外光照射下,展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×10^(15)Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用,为制备高性能紫外探测器提供了可能。 展开更多
关键词 氮化镓 二维/三维 金属有机化学气相沉积 紫外探测器
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背照式AlGaN/GaN基PIN日盲型紫外探测器的研制 被引量:6
16
作者 邵会民 张世林 +4 位作者 谢生 李献杰 尹顺正 蔡道民 毛陆虹 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期984-986,共3页
利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上生长PIN型AlGaN/GaN外延材料,研制出背照式AlGaN基PIN日盲型紫外探测器,用紫外光谱测试系统和半导体参数测试仪分别测得了器件的光谱响应和I-V特性曲线。测试结果表明,器件的响应范围为260~280 nm,... 利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上生长PIN型AlGaN/GaN外延材料,研制出背照式AlGaN基PIN日盲型紫外探测器,用紫外光谱测试系统和半导体参数测试仪分别测得了器件的光谱响应和I-V特性曲线。测试结果表明,器件的响应范围为260~280 nm,峰值响应出现在270 nm处,在2.5 V偏压下的最大响应度为0.055 A/W,对应的探测率为4.6×1011cm.Hz1/2.W-1;正向开启电压为1.6 V,反向击穿电压约为16 V,在-0.3 V偏压下的暗电流约为25 pA。 展开更多
关键词 ALGAN 日盲 光谱响应率 紫外探测器
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ZnO纳米线阵列/PVK异质结紫外光探测器特性 被引量:5
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作者 袁兆林 胡宇杰 +4 位作者 吕季辉 何文骞 何剑锋 徐能昌 游胜玉 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第22期7-12,共6页
高性能、低成本的紫外光探测器在许多重要领域具有广泛的应用前景。首先采用简便的化学浴沉积法,在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上低温生长出良好取向的氧化锌纳米线阵列(ZNWAs)。ZnO纳米线的直径为30~60 nm,长度为600~900 nm。在ZNWAs上沉积... 高性能、低成本的紫外光探测器在许多重要领域具有广泛的应用前景。首先采用简便的化学浴沉积法,在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上低温生长出良好取向的氧化锌纳米线阵列(ZNWAs)。ZnO纳米线的直径为30~60 nm,长度为600~900 nm。在ZNWAs上沉积聚(9-乙烯咔唑)(PVK)薄膜,形成异质结紫外光探测器。结果表明:该器件对365 nm的紫外光显示出良好的响应。经计算可得,在365 nm波长处,该器件的灵敏度、响应度、探测率、响应时间和衰减时间分别为15.33(电压为0.05 V)、37.72 A/W(电压为2 V)、1.29×10^(12) Jones、12.6 s和34.2 s。 展开更多
关键词 材料 纳米材料 氧化锌纳米线阵列 异质结 紫外光探测器
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基于蒽和三苯胺基D-π-A结构的蓝色荧光材料在有机发光和紫外探测集成器件中的应用
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作者 董文健 白雲水 +6 位作者 王雅婷 赵松 许慧侠 苗艳勤 罗巧 王华 于军胜 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期197-204,共8页
有机集成化光电子器件兼具了小型化和多功能性的优势,如集成了有机发光和紫外探测的有机发光紫外探测器件(OLED-UVOPDs).这种器件中的有机光电材料的设计仍然面临重大的挑战.在本文中,以蒽为π桥,腈基苯为受体,三苯胺(TPA)和二甲基三苯... 有机集成化光电子器件兼具了小型化和多功能性的优势,如集成了有机发光和紫外探测的有机发光紫外探测器件(OLED-UVOPDs).这种器件中的有机光电材料的设计仍然面临重大的挑战.在本文中,以蒽为π桥,腈基苯为受体,三苯胺(TPA)和二甲基三苯胺(2mTPA)分别为给体,设计并合成了两种可用于OLED-UVOPD器件的蓝色发光分子,TPA-AN和2mTPA-AN.它们的发光峰分别位于474和488 nm处,荧光量子产率为51.1%和46.6%.通过单载流子器件计算得到其电子迁移率分别为3.96×10^(-5)和6.63×10^(-7)cm^(2)V^(-1)s^(-1).基于TPA-AN的OLED器件表现出强的蓝光发射,最大亮度为43,110 cd m^(-2),最大外量子效率(EQE)为8.1%.它们在OLED-UVOPD集成器件中表现出优异的性能,紫外探测率分别为7.18×10^(11)和2.85×10^(12)Jones,最大EQE分别为8.7%和5.9%. 展开更多
关键词 紫外探测 集成器件 有机光电材料 电子迁移率 光电子器件 最大亮度 蓝色发光 OLED
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A Self-Powered Fast-Response Ultraviolet Detector of p–n Homojunction Assembled from Two ZnO-Based Nanowires 被引量:4
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作者 Yumei Wang Ying Chen +8 位作者 Wanqiu Zhao Longwei Ding Li Wen Haixia Li Fan Jiang Jun Su Luying Li Nishuang Liu Yihua Gao 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第1期130-136,共7页
Nowadays, fabrication of micro/nano-scale electronic devices with bottom-up approach is paid much research attention. Here, we provide a novel micro/nano-assembling method, which is accurate and efficient, especially ... Nowadays, fabrication of micro/nano-scale electronic devices with bottom-up approach is paid much research attention. Here, we provide a novel micro/nano-assembling method, which is accurate and efficient, especially suitable for the fabrication of micro/nano-scale electronic devices. Using this method, a self-powered ZnO/Sb-doped ZnO nanowire p–n homojunction ultraviolet detector(UVD) was fabricated, and the detailed photoelectric properties were tested. At a reverse bias of -0.1 V under UV light illumination, the photoresponse sensitivity of the UVD was 26.5 and the rise/decay time of the UVD was as short as 30 ms. The micro/nano-assembling method has wide potential applications in the fabrication of specific micro/nano-scale electronic devices. 展开更多
关键词 Zinc oxide Micro/nano-assembling p–n homojunction ultraviolet photodetector
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表面修饰ZnO纳米线紫外光响应的增强效应 被引量:5
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作者 黄金华 张琨 +2 位作者 潘楠 高志伟 王晓平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7855-7859,共5页
制备了基于单根ZnO纳米线的紫外光探测原型器件,并研究了聚苯乙烯硫酸钠表面修饰对器件紫外响应特性的影响.研究发现,在相同的紫外光照射条件下,表面修饰后的器件对紫外光的探测灵敏度比修饰前提高了3个数量级.I-V特性研究表明,修饰前... 制备了基于单根ZnO纳米线的紫外光探测原型器件,并研究了聚苯乙烯硫酸钠表面修饰对器件紫外响应特性的影响.研究发现,在相同的紫外光照射条件下,表面修饰后的器件对紫外光的探测灵敏度比修饰前提高了3个数量级.I-V特性研究表明,修饰前后器件在光照时的电导没有明显变化,但修饰后器件的暗电导却下降了3个数量级.这说明通过表面修饰降低探测器的暗电导是提高紫外光探测器灵敏度的一条重要途径. 展开更多
关键词 紫外光探测器 纳米结构 ZNO 表面修饰
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