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中间退火氩气稀释HCI氧化制备超薄SiO_2介质
1
作者
湾福祥
章定康
黄敞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1991年第8期44-46,共3页
本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击穿强度达12MV/cm.
关键词
超薄二氧化硅介质
中间退火氩气稀释氯化氢氧化法
半导体器件
掺杂
全文增补中
题名
中间退火氩气稀释HCI氧化制备超薄SiO_2介质
1
作者
湾福祥
章定康
黄敞
机构
航空航天部骊山微电子学研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1991年第8期44-46,共3页
文摘
本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击穿强度达12MV/cm.
关键词
超薄二氧化硅介质
中间退火氩气稀释氯化氢氧化法
半导体器件
掺杂
Keywords
ultrathin
sio
_
2
dielectrics
Oxidation
Annealling
Breakdown
field
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中间退火氩气稀释HCI氧化制备超薄SiO_2介质
湾福祥
章定康
黄敞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1991
0
全文增补中
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