In、Ta共掺对BaCeO_3烧结性能及稳定性的影响 被引量：5

1

作者 杨春利 严敏 李伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期955-960,共6页

采用改进的柠檬酸盐法制备了不同In、Ta掺杂量的BaCeO_3基质子导体粉体,干压成型后分别在1150℃、1250℃和1350℃下进行烧结。采用X射线衍射仪、扫描电镜分别对质子导体的物相结构和微观形貌进行了表征,并采用电化学工作站测定了样品不... 采用改进的柠檬酸盐法制备了不同In、Ta掺杂量的BaCeO_3基质子导体粉体,干压成型后分别在1150℃、1250℃和1350℃下进行烧结。采用X射线衍射仪、扫描电镜分别对质子导体的物相结构和微观形貌进行了表征,并采用电化学工作站测定了样品不同温度下的电导率。结果表明,1350℃烧结样品气孔率均小于10%,并且In掺杂量越高越容易烧结。样品在CO_2和H_2O中的化学稳定性测试结果表明,只掺杂In可以提高样品在水中的化学稳定性,但是对粉末样品高浓度CO_2气氛下的稳定性影响不大。In、Ta共掺杂可以大幅度提高样品在CO_2中的稳定性,且稳定性随着Ta掺杂量的增加而提高。但是样品在10%湿润氢气气氛下的电导率随着Ta含量的增加而降低,其中,BaCe_(0.7)In_(0.25)Ta_(0.05)O_(3–δ)在800℃时湿氢气下的电导率为1.16×10^(-3) S/cm。 展开更多

关键词 BACEO3 In掺杂 ta掺杂 烧结活性 化学稳定性

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钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响 被引量：5

2

作者 付学成 李金华 +1 位作者 谢建生 袁宁一 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第3期173-176,共4页

将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存... 将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在。温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃。Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 ta掺杂 离子束增强沉积

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乙丙醇辅助水热合成K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3基陶瓷粉体 被引量：1

3

作者 周媛 刘礼才 +2 位作者 雷西萍 李辉 罗永勤 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第20期81-83,87,共4页

以Nb2O5、Na OH、KOH和异丙醇(C3H8O)为原料,采用水热法合成K0.5Na0.5Nb O3粉体,研究了C3H8O、Ta、Sb及Sb-Ta共掺杂掺杂对K0.5Na0.5Nb O3粉体的物相、形貌及粒径大小的影响。结果表明:Sb、Ta掺杂使粉体物相由正交相转变到四方相结构;加... 以Nb2O5、Na OH、KOH和异丙醇(C3H8O)为原料,采用水热法合成K0.5Na0.5Nb O3粉体,研究了C3H8O、Ta、Sb及Sb-Ta共掺杂掺杂对K0.5Na0.5Nb O3粉体的物相、形貌及粒径大小的影响。结果表明:Sb、Ta掺杂使粉体物相由正交相转变到四方相结构;加入C3H8O及Ta掺杂粉体呈立方形貌趋势,Sb及Sb-Ta掺杂粉体具有连生态八面体形貌;C3H8O的加入使得粉体粒径减小,掺杂后粉体粒径大小的关系为:K0.5Na0.5Nb(1-y)SbyO3>K0.5Na0.5Nb1-x-yTaxSbyO3>K0.5Na0.5Nb(1-x)TaxO3。 展开更多

关键词 水热合成 ta掺杂 Sb掺杂 粒径尺寸

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Ta掺杂提高TiO_2光催化效率及对微观结构的调制 被引量：1

4

作者 付诚新 张宁 +2 位作者 吴义涛 刘佳琪 宫银燕 《中国粉体技术》 CSCD 北大核心 2017年第2期44-48,共5页

采用Ta元素掺杂TiO_2光催化剂,研究掺杂引起的光催化效率变化、微观结构改变和催化剂改性的机制。采用溶胶凝胶法制备不同浓度的Ta元素掺杂纳米TiO_2光催化剂,并通过降解罗丹明B表征其光催化性能。通过X射线衍射、拉曼光谱和X射线光电... 采用Ta元素掺杂TiO_2光催化剂,研究掺杂引起的光催化效率变化、微观结构改变和催化剂改性的机制。采用溶胶凝胶法制备不同浓度的Ta元素掺杂纳米TiO_2光催化剂,并通过降解罗丹明B表征其光催化性能。通过X射线衍射、拉曼光谱和X射线光电子能谱分析Ta掺杂纳米TiO_2催化剂晶相、微观结构、元素组成和化合价等。结果表明:Ta掺入纳米TiO_2催化剂后,Ta原子将取代Ti的位置,以Ta^(5+)形式存在于TiO_2晶格中,促进掺杂样品中形成氧空位,可以有效提高电子密度,并抑制光生载流子复合,从而提高催化效率。当掺杂比例n_(Ta)/n_(Ti)为3%时,光催化效率最高,光照2 h对罗丹明B降解率高达83.8%,是未掺杂样品的2倍以上。 展开更多

关键词 TIO2纳米颗粒 ta掺杂 光催化

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Ta掺杂对无铅0.96[Bi0.5(Na0.84K0.16)0.5TiO3]-0.04SrTiO3陶瓷微观结构和电性能的影响

5

作者 洪雅萍 黎清宁 +3 位作者 周昌荣 黄仕刚 童凯 王军 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2018年第14期111-116,共6页

采用传统的陶瓷制备方法,制备了一种钙钛矿型无铅压电陶瓷0.96[Bi0.5（Na0.84K0.16）0.5（Ti1-xTax）O3]-0.04SrTiO3（简写为BNKT-ST-Tax）。研究了Ta对该体系陶瓷微观结构和压电介电性能的影响。结果表明：陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固... 采用传统的陶瓷制备方法,制备了一种钙钛矿型无铅压电陶瓷0.96[Bi0.5（Na0.84K0.16）0.5（Ti1-xTax）O3]-0.04SrTiO3（简写为BNKT-ST-Tax）。研究了Ta对该体系陶瓷微观结构和压电介电性能的影响。结果表明：陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体,微量Ta不影响该体系陶瓷的晶体结构,但促进晶粒生长。随着Ta含量的增加,压电常数先增加后降低。在x=1.5%时,d33=144pC/N,kp=0.31为该体系陶瓷压电性能的最优值。当x=2.5%时电滞回线变得纤细,陶瓷向弛豫铁电体转变。随着Ta含量的增加,所得陶瓷的εr逐渐增大;tanδ先减小后增加,Td随Ta含量的增加向低温方向移动。 展开更多

关键词 ta掺杂 介电性能 压电性能 微观结构

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多组元掺杂对NiCoCrAlY氩气雾化粉末1200℃高温氧化行为的影响

6

作者 任智强 尹轶川 +3 位作者 王晓明 王文宇 朱胜 韩国峰 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期59-67,共9页

通过Nb,Hf和Ta元素复合添加改性,利用氩气雾化法制备NiCoCrAlYNbHfTa粉末,并与商用NiCoCrAlY粉末进行1200℃下24,48 h和72 h的氧化性能对比。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对粉末物相、微观结构和元素... 通过Nb,Hf和Ta元素复合添加改性,利用氩气雾化法制备NiCoCrAlYNbHfTa粉末,并与商用NiCoCrAlY粉末进行1200℃下24,48 h和72 h的氧化性能对比。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对粉末物相、微观结构和元素分布进行分析,通过等温氧化实验对比研究两种粉末的高温氧化性能。结果表明:所制备的粉末具有较好的球形度,球体中元素分布均匀。NiCoCrAlYNbHfTa粉末主要由β相和γ/γ′相组成,商用NiCoCrAlY粉末由γ/γ′相组成。NiCoCrAlYNbHfTa粉末能够快速形成致密的氧化铝膜,并且有效延缓Al的扩散与消耗,而商用NiCoCrAlY粉末在等温氧化后,Al消耗较快。两种粉末氧化增重曲线总体变化趋势较为接近,但商用NiCoCrAlY粉末经历的氧化初期时间较长,Al元素快速消耗殆尽。NiCoCrAlYNbHfTa粉末比商用粉末表现出更优的高温抗氧化性和抗高温烧结性能。 展开更多

关键词 NiCoCrAlY粉末 Nb Hf和ta掺杂改性 1200℃高温氧化 氧化行为

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钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究 被引量：2

7

作者 薛将 潘风明 裴煜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期453-458,共6页

采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机... 采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理.在150K到210K温度范围内,热激发导电机理是主要的导电机理;而在10K到150K范围内;电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型(VRH);在210K到300K范围内,电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系. 展开更多

关键词 ta掺杂TiO2 脉冲激光沉积法 薄膜 导电机理

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Ta:SnO_2薄膜的制备与性能研究 被引量：1

8

作者 秦国强 封雅宏 +3 位作者 张光磊 杨亮亮 张娟娟 马岳峰 《石家庄铁道大学学报（自然科学版）》 2013年第2期92-95,共4页

SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜... SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.%左右。Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂。Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4+离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化。 展开更多

关键词 溶胶凝胶法 ta掺杂SnO2 光学和电子性质

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ITTO薄膜的耐腐蚀稳定性和表面能研究 被引量：1

9

作者 张波 邵汉良 赵培 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期29-33,61,共6页

为了提高透明导电薄膜的综合性能,采用磁控溅射法制备了Ta掺杂ITO(ITTO)薄膜,对薄膜在不同模拟环境介质溶液中的电学稳定性及电化学行为进行了测试,分析了处于特定介质环境中薄膜的相对电阻变化和表面形貌;基于薄膜表面接触角的测量,计... 为了提高透明导电薄膜的综合性能,采用磁控溅射法制备了Ta掺杂ITO(ITTO)薄膜,对薄膜在不同模拟环境介质溶液中的电学稳定性及电化学行为进行了测试,分析了处于特定介质环境中薄膜的相对电阻变化和表面形貌;基于薄膜表面接触角的测量,计算了薄膜的表面能和极性度。结果表明:薄膜在各环境介质中都发生了自钝化现象,ITTO薄膜显示了较好的化学稳定性和热稳定性,除了晶体结构的影响之外,稳定性较好的氧化钽也提高了薄膜的化学稳定性和热稳定性;掺杂使得薄膜的接触角减小,表面能增大,表面极性度增加,薄膜的表面状态和靠近费米能级处引入d轨道的活性高价原子的存在是促进表面能提高的主要原因。 展开更多

关键词 ta掺杂ITO薄膜 磁控溅射 化学稳定性 电化学行为 接触角 表面能

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水热法制备Sb和Ta共掺杂的铌酸钾钠压电陶瓷粉体 被引量：8

10

作者 代斐斐 张帆 肖倩 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2015年第2期143-146,共4页

以Nb2O5、Na OH和KOH为原料和矿化剂,Sb2O3和Ta2O5分别作为Sb和Ta的来源,采用水热法合成了Sb和Ta共掺杂的铌酸钾钠,(K,Na)Nb O3(KNN)无铅压电陶瓷粉体。借助XRD和SEM研究了掺杂对产物形貌和晶体结构的影响。结果表明,当Sb掺杂量在2-8 m... 以Nb2O5、Na OH和KOH为原料和矿化剂,Sb2O3和Ta2O5分别作为Sb和Ta的来源,采用水热法合成了Sb和Ta共掺杂的铌酸钾钠,(K,Na)Nb O3(KNN)无铅压电陶瓷粉体。借助XRD和SEM研究了掺杂对产物形貌和晶体结构的影响。结果表明,当Sb掺杂量在2-8 mol%时,Sb扩散进KNN晶格中生成新的固溶体,产物为钙钛矿结构。Sb掺杂量固定在2 mol%,Ta掺杂量在2-4 mol%时,KNN由正交相转变为四方相。随着Ta掺杂量的增加,粉体由3-4μm的球形逐渐变为1-2μm的立方体状。 展开更多

关键词 水热法 铌酸钾钠 Sb和ta共掺杂 无铅压电陶瓷

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Co-Ta共掺杂改善LiNiO_(2)正极材料性能研究

11

作者 李文升 马帅 +1 位作者 许国峰 杨明 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第2期218-223,共6页

采用高温固相烧结对LiNiO_(2)正极材料进行了Co与Ta掺杂改性,并对其进行元素含量、晶体结构、形貌、比容量、倍率性能、循环性能、差示扫描量热法(DSC)等测试。结果表明,Co可以改善材料倍率性能,Ta可以细化材料颗粒、提升循环性能。Co... 采用高温固相烧结对LiNiO_(2)正极材料进行了Co与Ta掺杂改性,并对其进行元素含量、晶体结构、形貌、比容量、倍率性能、循环性能、差示扫描量热法(DSC)等测试。结果表明,Co可以改善材料倍率性能,Ta可以细化材料颗粒、提升循环性能。Co与Ta同时掺杂0.01%(摩尔分数)时,LNCTO-1放电(3 C/0.2 C)容量保持率为82.8%,循环(1 C/1 C)50次后,循环容量保持率为95.3%,热分解温度从189.3℃提升到了199.8℃,显示出了优良的综合性能。 展开更多

关键词 锂离子电池 Co-ta共掺杂 正极材料

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Hf／Ta／W单掺锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质的第一性原理研究

12

作者 方志平 夏桐 +2 位作者 雷博程 张丽丽 黄以能 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2406-2411,共6页

运用第一性原理赝势方法计算过渡金属X(Hf、Ta、W)单掺锐钛矿相TiO_2后的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,X掺锐钛矿相TiO_2,使得掺杂后体系的体积增大,并随着X掺杂浓度的增加而增大;掺杂体系的禁带宽度都比纯TiO_2的要小... 运用第一性原理赝势方法计算过渡金属X(Hf、Ta、W)单掺锐钛矿相TiO_2后的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,X掺锐钛矿相TiO_2,使得掺杂后体系的体积增大,并随着X掺杂浓度的增加而增大;掺杂体系的禁带宽度都比纯TiO_2的要小;由能带图可知,Ta、W单掺后,费米能级进入导带,说明这两种单掺体系属于N型半导体;随着不同浓度Hf、Ta、W的掺入,发现吸收光谱都发生了不同程度的红移,其中Ta、W掺杂体系的光响应范围覆盖了整个可见光区域,对比所有掺杂体系发现Ti_(0. 9375)W_(0. 0833)O_2在可见光区域的光响应能力最强,这些现象说明X的掺入大大提升了TiO_2光催化能力。 展开更多

关键词 锐钛矿TIO2 Hf/ta/W掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理

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Ir-Ta-Sn掺杂电极对垃圾渗滤液降解的实验研究

13

作者 范荣桂 张世强 +1 位作者 姜清风 许倩 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期78-81,共4页

电催化氧化技术是水处理领域的一门新兴技术，具有环境兼容性好的优势。采用Ir－Ta－Sn掺杂电极作阳极、不锈钢电极作阴极处理垃圾渗滤液，并考察极板间距、电催化氧化电压、起始pH和电催化氧化时间对电解效果的影响。实验结果表明，酸... 电催化氧化技术是水处理领域的一门新兴技术，具有环境兼容性好的优势。采用Ir－Ta－Sn掺杂电极作阳极、不锈钢电极作阴极处理垃圾渗滤液，并考察极板间距、电催化氧化电压、起始pH和电催化氧化时间对电解效果的影响。实验结果表明，酸性条件下进行降解较有利；极板电压和极板间距对降解效果均有不同程度的影响：电解时间超过4h时，对COD的降解没有显著影响。当pH为3、极板电压为24～36V、极板间距为1．5～2．0cm及反应时间为4h时，对垃圾渗滤液的COD去除率可达50％左右。 展开更多

关键词 Ir-ta-Sn掺杂电极 电催化氧化 垃圾渗滤液

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