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MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择 被引量：2
1
作者 顾星 叶志镇 赵炳辉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期109-113,共5页
MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一。镓源的选择是该技术中重要的一环。详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响 。
关键词 MOCVD 镓源 Ⅲ族氮化物 GAN tmga TEGa
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使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究
2
作者 莫春兰 彭学新 +6 位作者 熊传兵 王立 李鹏 姚冬敏 辛勇 江凤益 南昌大学 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期75-79,共5页
采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试。实验结果表明 ,缓冲层的Ga源不同对GaN单晶膜质量影响很大 ;以TEG... 采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试。实验结果表明 ,缓冲层的Ga源不同对GaN单晶膜质量影响很大 ;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层 ,外延层不连续 ;以TMGa为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源 ,在此得到室温载流子浓度为 4 5× 1 0 17cm-3 ,迁移率为 1 98cm2 /V·s的电学性能较好的GaN单晶膜。研究结果表明 :使用TEGa为外延层Ga源生长GaN ,能有效地抑制不期望的蓝带的出现。 展开更多
关键词 GAN MOCVD 三乙基镓 三甲基镓 半导体材料 单晶膜 光致发光光谱
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1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
3
作者 祝进田 李玉东 +3 位作者 胡礼中 陈松岩 胡朝辉 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期273-277,共5页
本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９... 本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。 展开更多
关键词 应变 量子阱 激光器 化学汽相沉积
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TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响 被引量：5
4
作者 陈伟绩 秦福文 +5 位作者 吴爱民 刘胜芳 杨智慧 姜辛 李帅 董武军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期445-449,共5页
采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和... 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。 展开更多
关键词 GAN tmga流量 化学气相沉积 玻璃衬底 低温
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三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文) 被引量：1
5
作者 陈振 袁海荣 +5 位作者 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期17-20,共4页
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流... 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。 展开更多
关键词 GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE
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三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
6
作者 陈振 袁海荣 +5 位作者 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期17-20,共4页
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流... 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。 展开更多
关键词 GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE
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