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手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计 被引量：11
1
作者 岳帮辉 魏廷存 樊晓桠 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期566-570,共5页
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单... 内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。 展开更多
关键词 tft—lcd驱动芯片 单端口SRAM 存储单元 预充电路
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中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路 被引量：8
2
作者 魏廷存 丁行波 高德远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2214-2219,共6页
在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比... 在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0·25μmCMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8^+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0·4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求. 展开更多
关键词 tft-lcd驱动芯片 输出缓冲电路 电压负反馈 拉电流和灌电流
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手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试电路结构设计 被引量：8
3
作者 李博 魏廷存 樊晓桠 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第12期125-128,共4页
文章从分析手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试需求和芯片结构出发,提出了一种针对该芯片的测试电路结构设计方案。该方案采用多条扫描链对芯片内的多个异构的模块进行隔离,保证了各个模块有较高的测试独立性。考虑到内置SRAM的特殊性,采... 文章从分析手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试需求和芯片结构出发,提出了一种针对该芯片的测试电路结构设计方案。该方案采用多条扫描链对芯片内的多个异构的模块进行隔离,保证了各个模块有较高的测试独立性。考虑到内置SRAM的特殊性,采用边界扫描方式进行测试,提高了测试的灵活性,减少了测试电路的面积。电平敏化扫描链的引入,大大提高了SourceDriver测试的可控制性。该方案支持手机用TFT-LCD驱动控制芯片的常规以及特殊项目的测试。 展开更多
关键词 测试电路 tft—lcd驱动芯片 混合信号电路测试
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手机用TFT-LCD驱动芯片接口电路的研究与设计 被引量：2
4
作者 崔福胜 魏廷存 +1 位作者 魏晓敏 李博 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期492-497,共6页
接口电路是手机用单片集成TFT-LCD驱动芯片的重要组成部分,用于MPU与驱动芯片之间的数据通信。文章详细分析了目前占市场主导的176RGB×220分辨率、26万色的手机液晶显示驱动芯片中接口电路的功能,包括系统接口和外部高速接口的工... 接口电路是手机用单片集成TFT-LCD驱动芯片的重要组成部分,用于MPU与驱动芯片之间的数据通信。文章详细分析了目前占市场主导的176RGB×220分辨率、26万色的手机液晶显示驱动芯片中接口电路的功能,包括系统接口和外部高速接口的工作原理和动作时序,同时介绍了接口模式之间的转换。在此基础上提出了一种接口电路的设计方案,并且在0.18μm工艺下实现了该电路。仿真结果表明,此电路完全实现了芯片规格中要求的接口功能,可以完成18/16/9/8-bit并行接口、串行接口以及18/16/6-bit外部高速接口的可选择使用。DC综合结果显示,接口电路的面积约为4600多门,可以工作的频率达到12.5MHz。 展开更多
关键词 tft-lcd驱动芯片 异步电路 同步电路 系统接口 RGB接口
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TFT-LCD驱动芯片内置电荷泵频率及开关网络优化 被引量：1
5
作者 郑然 魏廷存 +1 位作者 王佳 高德远 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期221-227,共7页
引入了一种应用于TFT-LCD驱动芯片的内置正负倍压电荷泵结构。在对其动作原理进行分析的基础上,对该电荷泵进行了时钟频率及开关网络中开关尺寸的优化并得到了最优的升压效率及功率效率。基于0.18μm高/中/低混合电压CMOS工艺的仿真结... 引入了一种应用于TFT-LCD驱动芯片的内置正负倍压电荷泵结构。在对其动作原理进行分析的基础上,对该电荷泵进行了时钟频率及开关网络中开关尺寸的优化并得到了最优的升压效率及功率效率。基于0.18μm高/中/低混合电压CMOS工艺的仿真结果表明,该优化方案是行之有效的:电路工作在最优时钟频率f=15kHz时,可以使升压效率达到最大值(2mA负载,升压效率最高达到86.7%);而开关网络采用最优的开关尺寸设置,可以使电荷泵的功率效率达到最高(2mA负载,f=15kHz,功率效率经优化后达到83.6%)。该电荷泵电路已被成功应用于一款TFT-LCD驱动芯片中。 展开更多
关键词 正负倍压电荷泵 tft-lcd驱动芯片 升压效率 功率效率
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TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的低功耗设计 被引量：1
6
作者 程艳 魏廷存 李峰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第9期172-175,180,共5页
内置SRAM是单片集成TFT-LCD驱动控制芯片中的图像数据存储模块.针对内置SRAM的低功耗设计要求,采用HWD结构和动态逻辑的字线译码电路,实现了1.8MbSRAM的低功耗设计.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,Hspice和Ultrasim仿真结果表明,与静态... 内置SRAM是单片集成TFT-LCD驱动控制芯片中的图像数据存储模块.针对内置SRAM的低功耗设计要求,采用HWD结构和动态逻辑的字线译码电路,实现了1.8MbSRAM的低功耗设计.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,Hspice和Ultrasim仿真结果表明,与静态字线译码电路相比,功耗减小了20%;与DWL结构相比,功耗减小了16%;当访存时钟频率为31MHz时,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,电源峰值功耗小于123mW,静态功耗为0.81mW. 展开更多
关键词 tft-lcd驱动芯片 HWD 动态逻辑 字线译码电路
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TFT_LCD驱动芯片输入输出引脚静电放电保护电路设计 被引量：1
7
作者 唐建东 《深圳职业技术学院学报》 CAS 2009年第5期22-25,共4页
描述了TFT_LCD驱动芯片静电放电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片输入和输出引脚的ESD保护电路.ESD保护电路布局上,采用2排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通.在输入引脚保护电路中,采用2级... 描述了TFT_LCD驱动芯片静电放电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片输入和输出引脚的ESD保护电路.ESD保护电路布局上,采用2排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通.在输入引脚保护电路中,采用2级保护结构,主电路吸收ESD大电流,次级电路吸收剩余的ESD电荷,栅极耦合技术进一步保证电路各Fingers均匀触发.输出引脚ESD保护电路基本电路采用CMOS结构,采用NP点分离驱动技术解决PMOS和NMOS可能同时出现瞬间导通的问题.双向输入输出引脚的ESD保护电路包含了输入和输出引脚ESD保护电路的结构. 展开更多
关键词 tft_lcd驱动芯片 ESD保护 输入输出引脚 击穿电压
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TFT_LCD驱动芯片GATE/SOURCE静电保护电路设计与实现
8
作者 唐建东 《电子质量》 2009年第6期74-76,共3页
文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。ESD保护电路布局上,采用两排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通。在GATE保护电路中,采用... 文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。ESD保护电路布局上,采用两排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通。在GATE保护电路中,采用二极管接法代替通用PMOS,防止电路产生Latch-up效应。SOURCE的保护电路中,NMOS的Drain设计了RPO(Resist Protection Oxide),使流经Drain的电流均匀分散,使二次击穿电压升高。 展开更多
关键词 tft_lcd驱动芯片 ESD保护 击穿电压
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TFT-LCD驱动芯片内置电源电路IP核设计 被引量：1
9
作者 刘岩 《信息通信》 2015年第6期85-85,共1页
为了进一步提高TFT-LCD驱动芯片内置电源电路设计的合理性,为薄膜晶体管液晶显示器提供更加优质的电路服务,文章通过对TFT-LCD电源电路模块的功能和结构进行分析,在结合其驱动电压要求的基础上,对其内置电源电路IP核展开了详细的设计和... 为了进一步提高TFT-LCD驱动芯片内置电源电路设计的合理性,为薄膜晶体管液晶显示器提供更加优质的电路服务,文章通过对TFT-LCD电源电路模块的功能和结构进行分析,在结合其驱动电压要求的基础上,对其内置电源电路IP核展开了详细的设计和分析。研究结果表明,文章所设计的TFT-LCD驱动芯片内置电源电路的IP核,具有显示时间快和工作稳定等特点,能够较好地对内置电源电路进行驱动。 展开更多
关键词 tft-lcd驱动芯片 内置电源电路 驱动电压
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