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InAs自组织量子点(线)的制备和表征
被引量：
2
1
作者
武光明
李月法
贾锐
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期490-494,共5页
在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转...
在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.
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关键词
INAS
自组织量子点
制备
表征
分子束外延生长
stranski
-
krastanow
模式
砷化铟
半导体
量子体
下载PDF
职称材料
AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究
被引量：
2
2
作者
付润定
庄德津
+4 位作者
修向前
谢自力
陈鹏
张荣
郑有炓
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2018年第6期690-695,共6页
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的Al...
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合StranskiKrastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。
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关键词
AlN单晶
化学机械抛光
ALGAN
stranski
-
krastanow
生长
模式
应变梯度模型
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职称材料
题名
InAs自组织量子点(线)的制备和表征
被引量：
2
1
作者
武光明
李月法
贾锐
机构
北京石油化工学院
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期490-494,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目69876037
文摘
在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.
关键词
INAS
自组织量子点
制备
表征
分子束外延生长
stranski
-
krastanow
模式
砷化铟
半导体
量子体
Keywords
Molecular beam epitaxy
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.054
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职称材料
题名
AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究
被引量：
2
2
作者
付润定
庄德津
修向前
谢自力
陈鹏
张荣
郑有炓
机构
南京大学电子科学与工程学院
青岛铝镓光电半导体有限公司
出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2018年第6期690-695,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)
固态照明与节能电子学协同创新中心
+1 种基金
江苏高校优势学科建设工程资助项目
国网山东电力公司技术开发基金
文摘
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合StranskiKrastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。
关键词
AlN单晶
化学机械抛光
ALGAN
stranski
-
krastanow
生长
模式
应变梯度模型
Keywords
single-crystal AlN
CMP
AlGaN
strain gradients model
分类号
TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InAs自组织量子点(线)的制备和表征
武光明
李月法
贾锐
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
2
AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究
付润定
庄德津
修向前
谢自力
陈鹏
张荣
郑有炓
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2018
2
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职称材料
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