期刊文献+
共找到109篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
中子单粒子效应研究现状及进展 被引量:14
1
作者 杨善潮 齐超 +8 位作者 刘岩 郭晓强 金晓明 陈伟 白小燕 林东生 王桂珍 王晨辉 李斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期4-10,共7页
回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感... 回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。 展开更多
关键词 中子辐照效应 中子单粒子效应 随机静态存储器 低能中子
下载PDF
亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究 被引量:12
2
作者 郭红霞 罗尹虹 +4 位作者 姚志斌 张凤祁 张科营 何宝平 王园明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1498-1504,共7页
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺... 利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析。MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战。 展开更多
关键词 静态随机存储器 多位翻转 重离子加速器
下载PDF
用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力 被引量:10
3
作者 赵凯 高见头 +5 位作者 杨波 李宁 于芳 刘忠立 肖志强 洪根深 《信息与电子工程》 2010年第1期91-95,共5页
提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基... 提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力,突破了SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8MeV/(mg/cm2),优于未做加固设计的体硅CMOS SRAM。结论表明,基于SOI技术,仅需进行器件结构和存储单元的适当考虑,即可达到较好的抗单粒子翻转能力。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 静态随机存储器 抗单粒子翻转 设计加固
下载PDF
随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应 被引量:10
4
作者 郭晓强 郭红霞 +5 位作者 王桂珍 林东生 陈伟 白小燕 杨善潮 刘岩 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1547-1550,共4页
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。... 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。 展开更多
关键词 随机静态存储器 低能中子 单粒子效应 反应堆 特征尺寸 临界电荷
下载PDF
静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研制 被引量:8
5
作者 姚志斌 何宝平 +4 位作者 张凤祁 郭红霞 罗尹虹 王圆明 张科营 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期749-754,共6页
在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置... 在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数,其长线传输距离达到50 m以上,最大可测门数达到了100万门,为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 辐照效应 测试系统 静态随机访问存储器
下载PDF
可兼容四种March系列算法的PMBIST电路设计
6
作者 杨鹏 曹贝 +1 位作者 付方发 王海新 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2024年第2期242-252,共11页
存储器是系统级芯片(System on chip,SoC)中最重要的组成部分之一,也是最容易出现故障的部件。存储器故障可能会导致整个SoC失效,对存储器进行充分的测试和验证是至关重要的。目前,主流的存储器测试方法是采用存储器内建自测试(Memory b... 存储器是系统级芯片(System on chip,SoC)中最重要的组成部分之一,也是最容易出现故障的部件。存储器故障可能会导致整个SoC失效,对存储器进行充分的测试和验证是至关重要的。目前,主流的存储器测试方法是采用存储器内建自测试(Memory build-in-self test,MBIST)技术,传统的可测性技术采用单一的测试算法进行测试,为了满足不同类型存储器的测试需求以及不同工艺制造阶段的测试强度,需要使用不同类型的测试算法进行测试。结合存储器常见的故障模型以及多种测试算法,设计了具有较高灵活性和可扩展性的可编程存储器内建自测试(Programmable memory built-in-self test,PMBIST)电路,可兼容四种不同的March系列算法进行存储器内建自测试,采用寄存器传输语言(Reigster transfer language,RTL)级代码的编写方式,针对静态随机存储器(Static random-access memory,SRAM)采用不同March系列测试算法进行仿真,并以常用的March C+算法为例进行说明。仿真结果表明,所设计的PMBIST电路可对四种不同的March算法进行测试,满足不同类型存储器的内建自测试需求。 展开更多
关键词 静态随机存储器 故障模型 March系列+算法 存储器内建自测试
下载PDF
130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究
7
作者 肖舒颜 郭刚 +7 位作者 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期506-512,共7页
为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律... 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。 展开更多
关键词 总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器
下载PDF
NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
8
作者 高珊 李洋 +4 位作者 郝礼才 赵强 彭春雨 蔺智挺 吴秀龙 《中国集成电路》 2024年第6期48-55,共8页
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P... 基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P+深阱掺杂浓度、P阱接触距离)对线性能量传输翻转恢复阈值(LETrec)以及单粒子翻转脉冲宽度(PWrec)的影响。研究发现:PWrec随着电源电压的增大而增大;PWrec和LETrec随着P阱偏置电压的增大而减小;LETrec随着P+深阱掺杂浓度的增大而增大;PWrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离的增大而增大,而LETrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离增大而减小。本文研究结论有助于优化SRAM单元抗单粒子效应设计,尤其是基于SEUR效应的SRAM单元的抗辐照加固设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享 工艺参数
下载PDF
存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法
9
作者 刘必慰 熊琪 +1 位作者 杨茗 宋雨露 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期198-203,共6页
为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷... 为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷举组合进行存储体编译,根据时序余量选择最优的静态随机存取存储器存储体编译配置。将该方法与现有的物理设计步骤集成为一个完整的设计流程。实验结果表明,该方法能够降低约9.9%的功耗,同时缩短7.5%的关键路径延时。 展开更多
关键词 片上缓存 静态随机存取存储器 协同设计 低功耗
下载PDF
不同特征尺寸SRAM质子单粒子效应实验研究 被引量:5
10
作者 殷倩 郭刚 +3 位作者 张凤祁 郭红霞 覃英参 孙波波 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1118-1124,共7页
利用中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线.分析了入射质子能量及角度对不同... 利用中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线.分析了入射质子能量及角度对不同特征尺寸SRAM的SEU饱和截面的影响和效应规律,并利用蒙特卡罗方法对65nm SRAM SEU特性进行了模拟.研究结果表明:随特征尺寸的减小,SEU饱和截面会出现不同程度的降低,但降低程度会由于多单元翻转(MCU)的增多而变缓;随入射角度的增加,MCU规模及数量的增加导致器件截面增大;3款SRAM所采用的位交错技术并不能有效抑制多位翻转(MBU)的发生. 展开更多
关键词 质子 静态随机存储器 能量 入射角度 多位翻转
下载PDF
单粒子翻转二维成像技术 被引量:5
11
作者 史淑廷 郭刚 +6 位作者 王鼎 刘建成 惠宁 沈东军 高丽娟 苏秀娣 陆虹 《信息与电子工程》 2012年第5期608-612,共5页
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的... 为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。 展开更多
关键词 单粒子翻转成像 重离子微束 随机静态存储器
下载PDF
Recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide semiconductor static random access memory cells 被引量:4
12
作者 Qin Jun-Rui Chen Shu-Ming +1 位作者 Liang Bin Liu Bi-Wei 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期624-628,共5页
Using computer-aided design three-dimensional (3D) simulation technology, the recovery mechanism of single event upset and the effects of spacing and hit angle on the recovery are studied. It is found that the multi... Using computer-aided design three-dimensional (3D) simulation technology, the recovery mechanism of single event upset and the effects of spacing and hit angle on the recovery are studied. It is found that the multi-node charge collection plays a key role in recovery and shielding the charge sharing by adding guard rings. It cannot exhibit the recovery effect. It is also indicated that the upset linear energy transfer (LET) threshold is kept constant while the recovery LET threshold increases as the spacing increases. Additionally, the effect of incident angle on recovery is analysed and it is shown that a larger angle can bring about a stronger charge sharing effect, thus strengthening the recovery ability. 展开更多
关键词 single event upset multi-node charge collection static random access memory angulardependence
下载PDF
累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究 被引量:4
13
作者 丁李利 郭红霞 +3 位作者 陈伟 闫逸华 肖尧 范如玉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期478-485,共8页
基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势.同时借助仿真模拟计算了0.18μm工艺对应的六管SRAM单元在对应不同累积剂量... 基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势.同时借助仿真模拟计算了0.18μm工艺对应的六管SRAM单元在对应不同累积剂量情况下,离子分别入射不同中心单管时的电学响应变化,计算结果与解析分析所得推论相一致,即只有当累积辐照阶段与单粒子作用阶段存储相反数值时,SRAM单元的单粒子翻转敏感性才会增强. 展开更多
关键词 累积辐照 单粒子翻转 静态随机存储器 器件仿真
原文传递
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 被引量:4
14
作者 郑齐文 崔江维 +4 位作者 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期250-255,共6页
对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损... 对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤,并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤.虽然NMOSFET低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤,但室温退火后,高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤.研究结果表明0.18μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应.利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型. 展开更多
关键词 总剂量辐射效应 超深亚微米 金属氧化物半导体场效应晶体管 静态随机存储器
下载PDF
中子单粒子效应TCAD仿真 被引量:4
15
作者 解磊 代刚 +1 位作者 李顺 梁堃 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期193-198,共6页
分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避... 分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。 展开更多
关键词 中子 单粒子效应 随机静态存储器 双互锁存储单元
下载PDF
不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响
16
作者 张付强 陈启明 +7 位作者 龚艺豪 肖舒颜 张铮 马旭 赵树勇 郑宏超 张健鹏 郭刚 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2023年第6期108-113,共6页
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂... 基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。 展开更多
关键词 静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 特征尺寸
下载PDF
电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 被引量:3
17
作者 姬庆刚 刘杰 +6 位作者 李东青 刘天奇 叶兵 赵培雄 孙友梅 陆妩 郑齐文 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期367-372,共6页
电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件... 电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。 展开更多
关键词 单粒子翻转 总剂量效应 协同效应 静态随机存储器
原文传递
利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究 被引量:3
18
作者 张正选 李国政 +4 位作者 罗晋生 陈晓华 姬琳 王燕萍 巩玲华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期125-128,共4页
报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。
关键词 吕列静电加速器 单粒子效应 重离子 SRAM
下载PDF
SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟 被引量:3
19
作者 李振涛 于芳 +4 位作者 刘忠立 赵凯 高见头 杨波 李宁 《信息与电子工程》 2011年第6期774-777,共4页
为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路... 为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性。 展开更多
关键词 单粒子翻转 双指数模型 器件模拟 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器
下载PDF
σ-LET curve obtained with heavy ions accelerated by HIRFL 被引量:2
20
作者 Qingxiang Zhang Mingdong Hou +1 位作者 Jie Liu Honglou Zhen 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2002年第17期1431-1433,共3页
σ-LET curve is one of the important factors for orbital SEU rate prediction. SEU cross sections of static random access memory (SRAM) IDT71256 were obtained with 35 MeV/u 36Ar ions and 15.14 MeV/u 136Xe ions, acceler... σ-LET curve is one of the important factors for orbital SEU rate prediction. SEU cross sections of static random access memory (SRAM) IDT71256 were obtained with 35 MeV/u 36Ar ions and 15.14 MeV/u 136Xe ions, accelerated by Heavy Ion Research Facility in Lanzhou (HIRFL), fitted with Weibull and Lognormal function to obtain the whole σ-LET curve. The SEU rates of IDT71256 in geosynchronous and two sunsynchronous orbits were predicted with fitting parameters. 展开更多
关键词 static random access memory single event upset σ-LET CURVE Weibull DISTRIBUTION LOGNORMAL distribution.
原文传递
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部