向65nm工艺提升中的半导体清洗技术 被引量：2

1

作者 童志义 《电子工业专用设备》 2005年第7期15-17,55,共4页

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和... 由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。 展开更多

关键词 污染控制 圆片清洗 单圆片清洗 低足材料 高深宽比结构 CH P后清洗 干 法清洗

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单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化 被引量：4

2

作者 刘永进 杜建科 冯小强 《电子工业专用设备》 2011年第1期15-17,共3页

基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多种方案的优缺点,提出了适合单晶圆兆声清洗的优化方案。

关键词 单晶圆 兆声 清洗

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日益增多的工艺需求关注新的晶圆清洗方法(英文) 被引量：1

3

作者 Aaron Hand 《电子工业专用设备》 2009年第2期28-32,共5页

随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失,低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及... 随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失,低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及以下节点,所有这些,将会更加严峻。因而,需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式。 展开更多

关键词 除胶 金属栅清洗 单晶圆清洗 兆声清洗

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单片晶圆兆声清洗的仿真模型研究 被引量：1

4

作者 朱亚安 段瑜 +5 位作者 宋立媛 孙琪艳 殷艳娥 杨炜平 万锐敏 季华夏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第1期48-53,共6页

通过研究单片晶圆兆声清洗过程中兆声头在晶圆表面的运动轨迹和能量积累过程,构建了单晶圆清洗的兆声能量分布和颗粒去除过程的数学模型。通过Mathematica 9.0对模型进行了运算和简化,经过离散化处理后,运用MATLAB对几种硅片转速和兆声... 通过研究单片晶圆兆声清洗过程中兆声头在晶圆表面的运动轨迹和能量积累过程,构建了单晶圆清洗的兆声能量分布和颗粒去除过程的数学模型。通过Mathematica 9.0对模型进行了运算和简化,经过离散化处理后,运用MATLAB对几种硅片转速和兆声臂转速的组合在硅片上的能量分布和颗粒分布进行了模拟仿真。发现简单组合比例下清洗效果与转速比例和清洗轨迹复杂程度密切相关,而固定半径扫描可以使能量分布更均匀,减少局部能量集中对晶圆IC的破坏,并且可以缩短清洗时间。 展开更多

关键词 单片晶圆 兆声清洗 仿真模型

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单晶圆清洗技术的研究 被引量：1

5

作者 任耀华 康冬妮 《科技情报开发与经济》 2009年第29期215-217,共3页

分析以往批处理清洗技术面临的问题及现代清洗技术的关键要求,介绍了采用臭氧的单晶圆清洗工艺,提出了臭氧清洗需要解决的问题。

关键词 单晶圆清洗 批处理 交叉污染 成品率 臭氧

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适用于小型生产线运行的单晶圆清洗技术的实现(英文)

6

作者 Takeshi Hattori 《电子工业专用设备》 2007年第6期16-23,共8页

利用臭氧消毒水和淡氟氢酸清洗技术,使设备生产厂家的单晶圆旋转清洗工艺适应向小型生产线转入的应用,从而使生产周期的缩短成为可能。

关键词 单晶圆清洗 小型生产线 湿法清洗 金属去除 表面污染控制

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适合于改善金属接触孔清洗的单晶圆工艺(英文)

7

作者 Leo Archer Han-Mil Kim +3 位作者 Jong-Kook Song Eun-Su Rho Jae Yong Park Won Ho Cho 《电子工业专用设备》 2007年第6期12-15,30,共5页

在半导体制造流程中,晶圆清洗正在成为一种更加关键的工序模块。因为集成度的提高,需制定适合于清洗机及更高器件结构均匀性的要求。清洗的有效性最终会影响器件的性能和成品率[1-4]。无论在生产线前端或后端清洗工艺中,正在受到越来越... 在半导体制造流程中,晶圆清洗正在成为一种更加关键的工序模块。因为集成度的提高,需制定适合于清洗机及更高器件结构均匀性的要求。清洗的有效性最终会影响器件的性能和成品率[1-4]。无论在生产线前端或后端清洗工艺中,正在受到越来越仔细检查。在金属化工艺之前,一个有意义的方面是刻蚀和灰化后期金属接触孔侧壁和底部残留物的清除。因其会导致器件失效,一种不完全接触孔清洗技术成为一种主要的业务。 展开更多

关键词 单晶圆清洗 抗蚀剂除胶 刻蚀后清洗 金属接触孔 成品率

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半导体IC清洗技术 被引量：29

8

作者 李仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期44-47,共4页

介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。

关键词 半导体 IC 清洗技术 湿法清洗 RCA清洗 稀释化学法 IMEC清洗法 单晶片清洗 干法清洗

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缩短批次式清洗周期的策略 被引量：1

9

作者 Jeffery W.Butterbaugh 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期50-53,61,共5页

在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%。性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因。但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发。在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了... 在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%。性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因。但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发。在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了一种保持性能和处理量,同时又能实现清洗工艺生产力增长的可选方法。 展开更多

关键词 半导体器件 单晶圆系统 批次式浸没系统 清洗工艺

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气动增压泵在单片晶圆清洗过程中的应用 被引量：1

10

作者 杜建科 刘永进 冯小强 《电子工业专用设备》 2011年第1期18-20,共3页

主要分析了气动增压泵的组成和工作原理,描述了气动增压泵在单片晶圆清洗过程中的应用特点和优势。介绍了气动增压泵在应用过程中的控制方法和选用注意事项。

关键词 气动增压泵 单片晶圆清洗 液泵流量 无级控制

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300mm圆片后抛光清洗——满足纳米微粒去除的挑战(英文)

11

作者 Ping-chung Chen Stcven He Wang +1 位作者 Yi Wu Quan Zhang 《电子工业专用设备》 2004年第1期51-56,共6页

随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm^2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战... 随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm^2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战。单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒。介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果。湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80mm磨料微粒。 展开更多

关键词 300mm圆片 湿式批量清洗 兆声单片清洗 纳米微粒去除

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空间太阳能电池用超薄锗单晶片的清洗技术

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作者 林健 赵权 +1 位作者 刘春香 杨洪星 《电子工业专用设备》 2011年第3期31-34,共4页

由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3]。在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛... 由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3]。在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术,利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。 展开更多

关键词 锗单晶抛光片 清洗 空间太阳能电池

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