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题名磁控溅射制备硅铝阻隔膜的研究
被引量：6
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作者
霍纯青
陈强
孙运金
岳蕾
张跃飞
刘福平
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机构
北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室
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出处
《包装工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期40-42,共3页
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文摘
采用磁控溅射技术以10%Si～90%Al合金为靶材,通入O_2将Si氧化成SiO_2,Al氧化成Al_2O_3,在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔性无机阻隔薄膜层,以增加其阻隔性。传统的磁控溅射法制备SiO_2膜工艺,大多采用射频溅射法,但其成本较高,效率较低,无法充分满足大面积工业化镀膜生产的需要。而采用10%Si～90%Al合金不仅可以实现直流溅射工艺,而且测量结果表明,薄膜的阻隔性得到大幅度提高。
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关键词
直流反应磁控溅射
sio2-al2o3薄膜
阻隔性
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Keywords
the DC magnetron sputtering
sio2-al2o3 film
barrier properties
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分类号
TQ316.31
[化学工程—高聚物工业]
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