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衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响 被引量：17
1
作者 孙科沸 李子全 李鑫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期516-519,共4页
采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及... 采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响。结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 衬底温度
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晶体硅太阳电池减反射膜的研究 被引量：5
2
作者 赵萍 麻晓园 邹美玲 《现代电子技术》 2011年第12期145-147,151,共4页
在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过... 在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过程中反应压强、反应温度、硅烷氨气流量比和微波功率对薄膜性质的影响。通过大量实验,分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数,并得出制作减反射膜的优化工艺。 展开更多
关键词 太阳电池 PECVD 减反射 氮化硅薄膜
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PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展 被引量：1
3
作者 冯炜光 刘翔 +1 位作者 储清梅 张鹏翔 《云南冶金》 2009年第3期36-39,共4页
由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点，越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜，对其制备工艺研究更深入。在总结最近的研究状况的基础上，提出了PECVD（Plasma enhanced chemistry vapor deposition）制备SiN薄膜的最佳工... 由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点，越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜，对其制备工艺研究更深入。在总结最近的研究状况的基础上，提出了PECVD（Plasma enhanced chemistry vapor deposition）制备SiN薄膜的最佳工艺条件：衬衣温度在360℃左右，射频频率为13．56MHz，射频功率最好在30～20W的范罔，[Sill4：N2]／[NH11]的最佳流速比在4～7之间，退火温度350～400℃最合适，退火时间10s到10min。此外，在总结前人研究的基础上认为SiN薄膜中嵌入Si-ncs将会是提高太阳电池效率的一个方向，还有待于进一步研究。 展开更多
关键词 太阳电池 PECVD sin薄膜
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SiN_x薄膜热物性参数实验测量与分析研究 被引量：3
4
作者 余雷 余建祖 王永坤 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期401-405,共5页
采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx 薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数 ,并对实验结果进行了不确定度分析 ,为微电子电路设计和掩... 采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx 薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数 ,并对实验结果进行了不确定度分析 ,为微电子电路设计和掩模成型工艺等提供了可靠的热物性数据 .实验结果表明 ,薄膜的导热系数、发射率、热扩散系数远比相应体材质低 ,而且还与温度、厚度有关 ,尺寸效应显著 。 展开更多
关键词 薄膜物理 氮硅薄膜 微尺度传热 热物性参数 导热系数 发射率 比热容 热扩散系数 不确定度分析 光电子技术
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基于LiCl盐浓度梯度的固态纳米孔DNA分子检测 被引量：2
5
作者 张庞 唐鹏 +6 位作者 闫汉 周硕 殷博华 尹雅洁 梁丽媛 王德强 翁婷 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第1期72-79,共8页
针对生物分子通过固态纳米孔的速度过快所引起的低时间分辨率问题,采用氯化锂(LiCl)盐溶液和盐浓度梯度相结合的方法来提高检测过程中信号的时间分辨率。通过在氮化硅薄膜上制备固态纳米孔,并在纳米孔两端施加LiCl盐浓度梯度进行DNA分... 针对生物分子通过固态纳米孔的速度过快所引起的低时间分辨率问题,采用氯化锂(LiCl)盐溶液和盐浓度梯度相结合的方法来提高检测过程中信号的时间分辨率。通过在氮化硅薄膜上制备固态纳米孔,并在纳米孔两端施加LiCl盐浓度梯度进行DNA分子检测,发现DNA分子信号频率随LiCl盐浓度梯度的增加呈指数递增趋势,10倍浓度梯度下的信号频率约为平衡浓度下的107倍,极大地增加了单位时间内纳米孔对DNA分子的捕获效率。在10倍浓度梯度下对样品进行检测,发现DNA分子易位时间达到了(10.22±0.41)ms,对比平衡浓度下的检测结果((0.93±0.07)ms),实现了易位时间1个量级的延缓,极大地提高了DNA分子的检测灵敏度。该研究结果表明在固态纳米孔两端施加不同LiCl盐浓度梯度可明显提高纳米孔检测DNA分子的时间分辨率,从而有效提高纳米孔检测DNA分子的灵敏度。 展开更多
关键词 纳米孔 生物分子 分子检测 DNA 氮化硅(sin)薄膜
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双离子束溅射制备SiN_x薄膜的光致发光性质
6
作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《微细加工技术》 2004年第2期51-54,共4页
采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性。发现在225nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470nm、520nm和620nm,用能隙态模型讨论... 采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性。发现在225nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470nm、520nm和620nm,用能隙态模型讨论了可能的发光机理。 展开更多
关键词 sinX 薄膜 双离子束溅射 光致发光(PL)
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