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电弧离子镀制备TiSiN纳米复合涂层
被引量：
13
1
作者
田灿鑫
周小东
+2 位作者
周思华
杨兵
付德君
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期15-19,37,共6页
目的在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构...
目的在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构、硬度和耐磨性能的影响。结果 SiH4流量对TiSiN纳米复合涂层的微观结构、硬度及摩擦系数的影响明显。随着SiH4流量的增加,TiSiN涂层由柱状晶生长的晶体结构逐渐转变为纳米晶镶嵌于非晶基体的复合结构。Si在涂层中以Si3N4非晶相存在,随着涂层中Si含量逐渐增加,TiN晶粒尺寸逐渐减小,Si3N4起到细化晶粒的作用。在42 m L/min的SiH4流量下,涂层硬度高达4100HV0.025。在对磨材料为硬质合金的条件下,TiSiN涂层摩擦系数小于0.6。结论 SiH4气氛下可以制备出Ti N纳米晶镶嵌于Si3N4非晶相结构的TiSiN纳米复合涂层,涂层的显微硬度较高。SiH4可以作为Si源用于TiSiN纳米复合涂层的工业化生产。
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关键词
电弧离子镀
TiSiN纳米复合涂层
sih
4
流量
力学性能
硬度
摩擦系数
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职称材料
传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配
被引量：
1
2
作者
颜一凡
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期453-459,共7页
等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H...
等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1<n<2 )的一个解析表示式 ,它是 Si H4气压 / Si H4流速率比 (Pr/ fr)、电极间距 (D)、Pd和 n的函数 ,而且还受到衬底温度 (Ts)的限制。这表示 ,在 CPECVD工艺中不存在独立的 Pd/
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关键词
氢化非晶硅
等离子增强化学气相淀积
匹配
工艺
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职称材料
SiH_(4)流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响
3
作者
屈涛
张八合
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期68-71,98,共5页
采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH_(4)所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH_(4)流量引起C:Si膜性...
采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH_(4)所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH_(4)流量引起C:Si膜性能变化的机制。结果表明:C:Si膜与基底结合度很好。逐渐增大SiH_(4)流量后,膜层厚度表现出增大趋势,C:Si膜的杂化比值由0.58增大至1.11,G峰的半峰宽由168 cm^(-1)减小为103 cm^(-1),判断SiH_(4)流量升高可诱导C:Si膜发生石墨化转变。通入6 mL/min SiH_(4)制得的C:Si膜具有优异的耐蚀性,极化后在表面形成晶体盐颗粒,并未观察到起皮及微孔缺陷。膜的界面电阻与钛基底相比显著降低,且C:Si膜的疏水性比基底更强,在SiH_(4)流量为6 mL/min下C:Si膜获得了最低界面电阻和最优疏水性。
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关键词
含硅非晶碳膜
钛合金板
sih
_(
4
)流量
组织
耐腐蚀性能
电化学性能
燃料电池
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职称材料
题名
电弧离子镀制备TiSiN纳米复合涂层
被引量：
13
1
作者
田灿鑫
周小东
周思华
杨兵
付德君
机构
武汉大学物理科学与技术学院
周口师范学院物理与机电工程学院
武汉大学动力与机械学院
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期15-19,37,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11405117
11405280)
+1 种基金
河南省教育厅科学技术研究重点项目(14B140021)
周口师范学院博士科研启动经费资助项目(zksybscx201210)~~
文摘
目的在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构、硬度和耐磨性能的影响。结果 SiH4流量对TiSiN纳米复合涂层的微观结构、硬度及摩擦系数的影响明显。随着SiH4流量的增加,TiSiN涂层由柱状晶生长的晶体结构逐渐转变为纳米晶镶嵌于非晶基体的复合结构。Si在涂层中以Si3N4非晶相存在,随着涂层中Si含量逐渐增加,TiN晶粒尺寸逐渐减小,Si3N4起到细化晶粒的作用。在42 m L/min的SiH4流量下,涂层硬度高达4100HV0.025。在对磨材料为硬质合金的条件下,TiSiN涂层摩擦系数小于0.6。结论 SiH4气氛下可以制备出Ti N纳米晶镶嵌于Si3N4非晶相结构的TiSiN纳米复合涂层,涂层的显微硬度较高。SiH4可以作为Si源用于TiSiN纳米复合涂层的工业化生产。
关键词
电弧离子镀
TiSiN纳米复合涂层
sih
4
流量
力学性能
硬度
摩擦系数
Keywords
arc
ion-plating
TiSiN
nanocomposite
coatings
sih
4
flow rate
mechanical
performance
microhardness
friction
coefficient
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配
被引量：
1
2
作者
颜一凡
机构
湖南大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期453-459,共7页
文摘
等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1<n<2 )的一个解析表示式 ,它是 Si H4气压 / Si H4流速率比 (Pr/ fr)、电极间距 (D)、Pd和 n的函数 ,而且还受到衬底温度 (Ts)的限制。这表示 ,在 CPECVD工艺中不存在独立的 Pd/
关键词
氢化非晶硅
等离子增强化学气相淀积
匹配
工艺
Keywords
amorphous
silicon
conventional
PECVD
rf
power
density/
sih
4
flow rate
matching
(P
d/f
r)
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiH_(4)流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响
3
作者
屈涛
张八合
机构
陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
陕西师范大学化工学院
出处
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期68-71,98,共5页
基金
陕煤联合基金项目(2019JLZ-12)。
文摘
采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH_(4)所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH_(4)流量引起C:Si膜性能变化的机制。结果表明:C:Si膜与基底结合度很好。逐渐增大SiH_(4)流量后,膜层厚度表现出增大趋势,C:Si膜的杂化比值由0.58增大至1.11,G峰的半峰宽由168 cm^(-1)减小为103 cm^(-1),判断SiH_(4)流量升高可诱导C:Si膜发生石墨化转变。通入6 mL/min SiH_(4)制得的C:Si膜具有优异的耐蚀性,极化后在表面形成晶体盐颗粒,并未观察到起皮及微孔缺陷。膜的界面电阻与钛基底相比显著降低,且C:Si膜的疏水性比基底更强,在SiH_(4)流量为6 mL/min下C:Si膜获得了最低界面电阻和最优疏水性。
关键词
含硅非晶碳膜
钛合金板
sih
_(
4
)流量
组织
耐腐蚀性能
电化学性能
燃料电池
Keywords
silicon-containing
amorphous
carbon
film
titanium
alloy
plate
sih
_(
4
)
flow rate
microstructure
corrosion
resistance
electrochemical
performance
fuel
cell
分类号
TG178 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电弧离子镀制备TiSiN纳米复合涂层
田灿鑫
周小东
周思华
杨兵
付德君
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
13
下载PDF
职称材料
2
传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配
颜一凡
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
3
SiH_(4)流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响
屈涛
张八合
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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