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SiC材料及器件的应用发展前景 被引量:32
1
作者 王守国 张岩 《自然杂志》 北大核心 2011年第1期42-45,53,共5页
SiC材料是第三代半导体材料,由于可用于军事领域,国外限制该产品的出口。作者首先阐述了SiC材料的基本特性,介绍了SiC晶体的生长技术及晶体供应商,尤其是国内SiC晶体材料的研制现状,最后评述SiC器件的应用领域和市场前景,并指出中国应建... SiC材料是第三代半导体材料,由于可用于军事领域,国外限制该产品的出口。作者首先阐述了SiC材料的基本特性,介绍了SiC晶体的生长技术及晶体供应商,尤其是国内SiC晶体材料的研制现状,最后评述SiC器件的应用领域和市场前景,并指出中国应建立SiC材料及器件研制和应用的产业链。 展开更多
关键词 SIC 半导体器件 材料 晶片 工艺
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Finite difference method and analysis for three-dimensional semiconductor device of heat conduction 被引量:19
2
作者 袁益让 《Science China Mathematics》 SCIE 1996年第11期1140-1151,共12页
The mathematical model of the three-dimensional semiconductor devices of heat conduction is described by a system of four quasilinear partial differential equations for initial boundary value problem. One equation in ... The mathematical model of the three-dimensional semiconductor devices of heat conduction is described by a system of four quasilinear partial differential equations for initial boundary value problem. One equation in elliptic form is for the electric potential; two equations of convection-dominated diffusion type are for the electron and hole concentration; and one heat conduction equation is for temperature. Characteristic finite difference schemes for two kinds of boundary value problems are put forward. By using the thick and thin grids to form a complete set and treating the product threefold-quadratic interpolation, variable time step method with the boundary condition, calculus of variations and the theory of prior estimates and techniques, the optimal error estimates in L2 norm are derived in the approximate solutions. 展开更多
关键词 semiconductor device 3-dimensionaI heat conduction BOUNDED region characteristic FINITE DIFFERENCE L2 error estimate.
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不断发展中的IGBT技术概述 被引量:20
3
作者 周文定 亢宝位 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第9期115-118,共4页
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Tren... 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。 展开更多
关键词 半导体元器件 晶闸管 芯片/沟槽栅 绝缘栅双极晶体管
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SiC单晶的性质、生长及应用 被引量:11
4
作者 王世忠 徐良瑛 +3 位作者 束碧云 肖兵 庄击勇 施尔畏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期527-534,共8页
本文综述了 Si C 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Si C 单晶的 P V T 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 P V T 法制备的 Si
关键词 碳化硅 单晶 半导体器件 晶体生长 PVT法
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半导体器件芯片焊接方法及控制 被引量:12
5
作者 潘茹 李明娟 +1 位作者 吴坚 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期272-275,279,共5页
随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求。本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较。并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效... 随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求。本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较。并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效模式及其解决办法进行了讨论。 展开更多
关键词 半导体器件 金-硅合金 焊接
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半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展 被引量:16
6
作者 蔡涛 段善旭 康勇 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2008年第6期51-58,共8页
热失效是影响半导体器件的性能和可靠性的主要原因,热特性和温度测量是整个电子系统热设计过程中的关键环节。光学测量方法具有非接触、无损伤的优势,在半导体及电子系统研究领域应用日益广泛。评述了各种半导体器件热特性光学测量技术... 热失效是影响半导体器件的性能和可靠性的主要原因,热特性和温度测量是整个电子系统热设计过程中的关键环节。光学测量方法具有非接触、无损伤的优势,在半导体及电子系统研究领域应用日益广泛。评述了各种半导体器件热特性光学测量技术的工作原理、实验装置、技术指标、应用现状,总结了现有方法中的关键问题和发展方向。 展开更多
关键词 半导体器件 热特性 光学测量技术 图像处理
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预充电荷对RSD开通特性的影响 被引量:12
7
作者 杜如峰 余岳辉 +1 位作者 胡乾 彭昭廉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2003年第5期84-86,89,共4页
RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出... RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出了几种改善RSD开通特性的方法。 展开更多
关键词 半导体器件 预充电荷 开通特性
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原子层沉积技术及应用 被引量:12
8
作者 苗虎 李刘合 +1 位作者 韩明月 谷佳宾 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期163-175,共13页
简单阐述了原子层沉积技术的发展背景,然后概括了原子层沉积技术原理、技术特征和优势,并对化学吸附和顺次反应两种自限制机制进行了描述和比较。着重介绍了原子层沉积技术在工艺等方面的最新成果,以及在纳米催化剂、电池、半导体器件... 简单阐述了原子层沉积技术的发展背景,然后概括了原子层沉积技术原理、技术特征和优势,并对化学吸附和顺次反应两种自限制机制进行了描述和比较。着重介绍了原子层沉积技术在工艺等方面的最新成果,以及在纳米催化剂、电池、半导体器件、光学、生物医学和航空航天领域中的相关应用。其中将原子层沉积在电池、半导体器件和生物医学方面的应用进行了分类介绍。电池方面包括锂离子电池和太阳能电池,半导体器件方面分为高k电介质、电容器、电阻随机存取存储器(RRAM)和光、电二极管。生物医学领域分别介绍了其在生物相容性、抑菌抗菌涂层和微观组分方向的研究进展。最后对原子层沉积技术进行了归纳总结,并展望了其未来的发展方向和应用前景。 展开更多
关键词 原子层沉积 自限制 前驱体 纳米催化剂 电池 半导体 光学 生物医学 航空航天
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半导体器件发展历程及其展望 被引量:6
9
作者 肖德元 陈国庆 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期510-515,521,共7页
简述了半导体器件发展历程,及其对人类社会发展所产生的深刻影响。探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。
关键词 半导体器件 微电子技术 产业重心 半导体技术蓝图
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不断发展中的IGBT技术概述 被引量:6
10
作者 周文定 亢宝位 《中国集成电路》 2009年第1期23-28,共6页
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Tren... 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。 展开更多
关键词 半导体元器件 晶闸管 芯片/沟槽栅 绝缘栅双极晶体管
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基于表面响应法的半导体器件热阻网络技术研究 被引量:9
11
作者 曾理 丁晓鸿 +4 位作者 杨邦朝 蒋明 陈文媛 谢诗文 滕林 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期155-159,共5页
热阻网络是在扩展传统内热阻定义的基础上,将计算机模拟的全模型采用优化方法简化而得到的。该方法继承了全模型可预测在各种工作环境下的芯片结温的优点。在分析半导体器件内热阻的基础上,提出了一种新的独立于边界条件的热阻网络模型... 热阻网络是在扩展传统内热阻定义的基础上,将计算机模拟的全模型采用优化方法简化而得到的。该方法继承了全模型可预测在各种工作环境下的芯片结温的优点。在分析半导体器件内热阻的基础上,提出了一种新的独立于边界条件的热阻网络模型,并运用表面响应法,建立VCM(Valid Chip Model)的热阻网络模型。通过验证,该模型具有很高的精确度,适用于复杂的系统级热设计。 展开更多
关键词 半导体器件 热阻网络 表面响应法 独立边界条件
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SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题 被引量:6
12
作者 李效白 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期1-6,共6页
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等。
关键词 宽禁带 SIC GAN 半导体材料 多形体 电流塌陷效应 陷阱效应 冻析效应 离子注入
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基于Matlab GUI的《半导体器件物理》教学仿真平台开发 被引量:9
13
作者 向兵 程秀英 《实验科学与技术》 2014年第3期47-48,206,共3页
针对《半导体器件物理》课程物理概念多且难以理解、实验设备昂贵等问题,利用Matlab GUI开发了教学仿真系统软件。该系统包含了半导体物理和半导体器件中基本概念的典型物理模型,具有交互性强、界面友好、操作简单、图像动态性强等特点... 针对《半导体器件物理》课程物理概念多且难以理解、实验设备昂贵等问题,利用Matlab GUI开发了教学仿真系统软件。该系统包含了半导体物理和半导体器件中基本概念的典型物理模型,具有交互性强、界面友好、操作简单、图像动态性强等特点。该系统用于《半导体器件物理》的辅助教学,有助于加深学生对该课程内容的理解和掌握,激发学生的学习兴趣和提高课堂教学效果。 展开更多
关键词 半导体器件 半导体物理 MATLAB图形用户界面 仿真
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半导体器件模拟技术的研究 被引量:5
14
作者 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期206-208,233,共4页
主要介绍了半导体器件模拟中常用的 HD模型与 DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例 ,简要说明了如何在三角网格上离散化方程。同时 。
关键词 模拟技术 半导体器件 集成电路
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有机电致发光器件制备与表征综合型实验设计及教学示范 被引量:9
15
作者 张小文 陈国华 马传国 《实验科学与技术》 2018年第4期52-55,59,共5页
基于近年来在有机电致发光器件(OLED)方面的研究成果,该文设计了OLED的制备与表征综合型实验。实验从器件结构设计和制备工艺出发,涵盖了基片清洗、真空获取、气相沉积、掩膜技术、膜厚原位监控、电学性能测试、光学性能测试、电光转换... 基于近年来在有机电致发光器件(OLED)方面的研究成果,该文设计了OLED的制备与表征综合型实验。实验从器件结构设计和制备工艺出发,涵盖了基片清洗、真空获取、气相沉积、掩膜技术、膜厚原位监控、电学性能测试、光学性能测试、电光转换效率计算与分析等内容,全面拓展了学生对材料物理、半导体器件、光电子技术等领域的前沿认知,充分体现了多学科交叉的特点和科教协同的示范作用。教学实践表明,该综合型实验取得了良好的效果。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 实验教学 材料物理 半导体器件 光电性能 电光转换效率
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ESD应力下的NMOSFET模型 被引量:8
16
作者 路香香 姚若河 罗宏伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期842-847,共6页
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区... 随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。 展开更多
关键词 静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型
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工艺参数对TVS器件电性能的影响 被引量:8
17
作者 肖敏 曾祥斌 +1 位作者 袁德成 孙树梅 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第6期93-95,共3页
采用液态源扩散法制备了双向型瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS)器件。研究了扩散温度、扩散时间、电阻率、钝化保护等工艺参数对TVS器件电性能的影响。扩散温度、扩散时间的增加将使扩散结的结深增加;... 采用液态源扩散法制备了双向型瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS)器件。研究了扩散温度、扩散时间、电阻率、钝化保护等工艺参数对TVS器件电性能的影响。扩散温度、扩散时间的增加将使扩散结的结深增加;电阻率的提高及结深的增加,将使TVS器件的雪崩击穿电压增大;合适的钝化保护方法将有助于减小器件的反向漏电流。给出了电压和扩散时间之间的经验估算公式,该公式可用来指导得到希望的TVS目标电压档。据验算,该公式的误差在10%以内。 展开更多
关键词 半导体元器件 工艺参数/瞬变电压抑制二极管
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面向红外气体检测的半导体器件温控系统及应用 被引量:8
18
作者 闫万红 周言文 +4 位作者 余迪 刘志伟 宋芳 郑传涛 王一丁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期113-122,共10页
研制了一种针对半导体器件的温度控制系统,不仅可用于对内置热电制冷器的半导体器件的温度控制,同时实现了在宽环境温度范围内对无热电制冷器及热敏电阻的半导体器件的温度控制.系统硬件主要由两部分组成,第一部分包括主控制器模块、温... 研制了一种针对半导体器件的温度控制系统,不仅可用于对内置热电制冷器的半导体器件的温度控制,同时实现了在宽环境温度范围内对无热电制冷器及热敏电阻的半导体器件的温度控制.系统硬件主要由两部分组成,第一部分包括主控制器模块、温度采集模块和热电制冷器电流控制模块,实现对内置热电制冷器的半导体器件的温度控制;第二部分包括辅控制器模块、温度采集模块、金属氧化物场效应管开关电路模块及附加四级热电制冷器,实现对无热电制冷器的半导体器件的温度控制.软件部分,主辅控制器分别实时采集半导体器件的工作温度,采用积分限幅式数字比例-积分-微分算法,调整热电制冷器驱动器的电流实现恒定的温度控制.利用本文研制的温度控制系统对内置热电制冷器的半导体激光器的温度控制准确度为±0.01℃,温度稳定性为0.004 8℃;在无热电制冷器的半导体光源的温度控制实验中,-18℃、室温、40℃环境下的温控准确度分别为±0.05℃、±0.01℃、±0.02℃.利用研制的温控系统连续5h测试了1.563μm激光器的输出光谱,峰值输出波长稳定;采用1.653μm激光器,分别利用研制的温控系统和商用系统开展了甲烷气体检测实验,与商用控制器相比,本文研制的温控仪获得的系统检测下限更低.该系统具有体积小、成本低、便于集成、工作稳定可靠的优点,在气体检测中有良好的应用前景. 展开更多
关键词 光电子学 半导体器件 温度控制 近红外 气体检测
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SiGe/Si异质结双极晶体管研究 被引量:6
19
作者 李开成 刘道广 +1 位作者 张静 易强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期144-146,共3页
介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效率 f T 为 5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的单片成品率在 90 %以上。
关键词 分子束外延 异质结双极晶体管 锗-硅合金
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发射率对半导体器件显微红外测温结果的影响 被引量:8
20
作者 韩伟 刘岩 +3 位作者 杜蕾 郑世棋 翟玉卫 梁法国 《计量学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期35-40,共6页
为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响。研制了带有铂电阻结构的Ga As材料靶标和Au材料靶标,用显微红外热... 为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响。研制了带有铂电阻结构的Ga As材料靶标和Au材料靶标,用显微红外热像仪对黑体和研制的2种靶标进行了不同温度下的测试,在110℃条件下,黑体、Ga As、Au 3种材料的温度偏差为1.9,3.7,7.9℃。测试结果表明,材料发射率越低,测温误差越大,且误差会随着温度的升高而增大。利用显微红外热像仪进行半导体器件温度测量时,需要考虑发射率的影响。 展开更多
关键词 计量学 发射率 半导体器件 显微红外热像仪 靶标
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