摘要
本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ
This article reviewed on the physical properties, the crystal structure, the growth methods, and the applications of the SiC single crystal The preparation of the SiC single crystal by sublimation method was introduced in detail The defects of SiC single crystal caused in the PVT process were discussed
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期527-534,共8页
Journal of Inorganic Materials
基金
中国博士后科学基金
"863" 高技术计划
关键词
碳化硅
单晶
半导体器件
晶体生长
PVT法
silicon carbide, crystal, growth, physical property, semiconductor device
