通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(trans-mission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infrared reflec-tion,IR...通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(trans-mission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infrared reflec-tion,IR)等手段对绝缘衬底上硅(silicon-on-insulator,SOI)微结构的分析研究,提出并建立了一种基于SOI有效介质近似理论的多层薄膜结构模型。基于该模型,利用总反射系数对红外光谱进行模拟能很好地揭示此材料的光学表征,验证了红外反射光谱法作为一种高灵敏度的分析技术,无论是受SOI材料中所注硅岛的体积分数比,或是其几何分布等的影响,都能准确地反馈材料的光学表征信息。展开更多
基金supported by National Natural Science Foundation of China(60676044,61006057)Electronics Engineering of College of Heilongjiang Province(DZZD20100013)
文摘通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(trans-mission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infrared reflec-tion,IR)等手段对绝缘衬底上硅(silicon-on-insulator,SOI)微结构的分析研究,提出并建立了一种基于SOI有效介质近似理论的多层薄膜结构模型。基于该模型,利用总反射系数对红外光谱进行模拟能很好地揭示此材料的光学表征,验证了红外反射光谱法作为一种高灵敏度的分析技术,无论是受SOI材料中所注硅岛的体积分数比,或是其几何分布等的影响,都能准确地反馈材料的光学表征信息。
