NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性 被引量：2

1

作者 竺士炀 李金华 +3 位作者 林成鲁 高剑侠 严荣良 任迪远 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期368-373,共6页

对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ和ＮＭＯＳＩ体硅的辐照效应作... 对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ和ＮＭＯＳＩ体硅的辐照效应作了比较，结果表明前者抗总剂量辐照性能不如后者。对引起阈值电压漂移的两个因素（氧化层电荷和界面态电荷）和提高ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ抗辐照性能的几点措施进行了讨论． 展开更多

关键词 simox材料 NMOS器件 总剂量辐照

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SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为 被引量：1

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作者 李映雪 张兴 +2 位作者 黄如 王阳元 罗晏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1007-1010,共4页

利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 .实验结果显示 ,SIMOX顶层硅膜的 PL 谱有三个峰 :它们是能量为 1.10 e V的 a峰、能量为 0 .77e V的 b峰和能量为0 .75 e V的 c峰 .与 RBS谱... 利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 .实验结果显示 ,SIMOX顶层硅膜的 PL 谱有三个峰 :它们是能量为 1.10 e V的 a峰、能量为 0 .77e V的 b峰和能量为0 .75 e V的 c峰 .与 RBS谱相比 ,发现 a峰峰高及 b/ a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度 .谱峰 b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧 ,起施主作用 .SIMS测试结果显示 ,谱峰 c来源于 SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮 . 展开更多

关键词 光致发光谱 残余氧 simox材料 顶层硅膜

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退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响 被引量：3

3

作者 李映雪 奚雪梅 +3 位作者 王兆江 张兴 王阳元 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期11-15,共5页

利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛... 利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因． 展开更多

关键词 simox材料 硅 二氧化硅 退火 界面

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SIMOX材料薄膜厚度的测量和分析

4

作者 李艳 卢殿通 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期54-57,共4页

讨论了由国产 LC- 1 4型强流氧离子注入机制备的 SIMOX(separation by implantedoxygen)材料薄膜厚度的测量和分析 .采用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层的厚度 ,这是一种快速非破坏性测量方法 .根据离子注入原理估算表面硅层的厚度 ,... 讨论了由国产 LC- 1 4型强流氧离子注入机制备的 SIMOX(separation by implantedoxygen)材料薄膜厚度的测量和分析 .采用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层的厚度 ,这是一种快速非破坏性测量方法 .根据离子注入原理估算表面硅层的厚度 ,并分析了影响估算精度的各种因素 . 展开更多

关键词 simox材料 红外吸收光谱 厚度测量和分析

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SIMOX材料结构、电特性及杂质分析 被引量：1

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作者 罗晏 李映雪 +3 位作者 姬成周 李国辉 王阳元 张兴 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期68-72,共5页

用扩展电阻（SRP）、二次离子质谱（SIMS）等方法，测量了SIMOX样品的各层结构、电特性和杂质分布．讨论了不同方法的测量，说明了SIMOX材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用．要制作适合器件需要的SOI材料，必须控制工艺过程中顶部... 用扩展电阻（SRP）、二次离子质谱（SIMS）等方法，测量了SIMOX样品的各层结构、电特性和杂质分布．讨论了不同方法的测量，说明了SIMOX材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用．要制作适合器件需要的SOI材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤． 展开更多

关键词 集成电路 simox材料 结构 电特性 杂质

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SIMOX材料注F^+后的SIMS分析 被引量：1

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作者 曾健 高剑侠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期34-35,共2页

实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ （注氧隔离硅） 材料中， 注入剂量分别为５×１０１２Ｆ＋ ／ｃｍ ２，５×１０１３Ｆ＋ ／ｃｍ ２， １×１０１５Ｆ＋ ／ｃｍ ２， 用ＳＩＭＳ技术分析了Ｆ在材料中的浓度分布， 结果... 实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ （注氧隔离硅） 材料中， 注入剂量分别为５×１０１２Ｆ＋ ／ｃｍ ２，５×１０１３Ｆ＋ ／ｃｍ ２， １×１０１５Ｆ＋ ／ｃｍ ２， 用ＳＩＭＳ技术分析了Ｆ在材料中的浓度分布， 结果表明， 随着注Ｆ＋能量和剂量的改变， Ｆ＋ 展开更多

关键词 F离子注入 simox材料 SIMS分析 抗辐射

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SIMOX材料的TEM研究 被引量：1

7

作者 李映雪 奚雪梅 +3 位作者 王兆江 张兴 王阳元 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期93-97,共5页

在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的Ｓｉ... 在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生；注入剂量为１．５×１０１８／ｃｍ２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０１８／ｃｍ２时，三重注入可以获得质量好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层穿通位错稍多． 展开更多

关键词 simox材料 TEM 半导体材料

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全耗尽CMOS／SIMOX器件研制

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作者 李金华 姜美芬 +1 位作者 蒋美萍 林成鲁 《微细加工技术》 1996年第3期31-35,共5页

在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ... 在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。 展开更多

关键词 simox材料 CMOS器件 抗漏电工艺

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薄膜SIMOX顶层单晶硅位错的研究

9

作者 竺士炀 林成鲁 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第2期119-122,共4页

通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究了不同制备参数形成的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。

关键词 位错 密度 simox材料 薄膜 单晶硅

原文传递

SIMOX材料铁杂质沾污的紫外光致荧光分析

10

作者 竺士扬等 曾庆城 《上海微电子技术和应用》 1996年第2期1-3,8,共4页

本文用紫外光致荧光法无损检测孙同工艺参数制备ＳＩＭＯＸ材料正面和背面的铁杂质沾污程度，得出了这些样品铁杂质浓度的相对大小。

关键词 紫外光致荧光 simox材料 铁杂质 离子注入

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SIMOX材料隐埋氧化层中针孔密度的表征和形成机理定性分析

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作者 竺士炀 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期300-304,共5页

ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料中隐埋氧化层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的针孔漏电可使器件完全失效．本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ... ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料中隐埋氧化层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的针孔漏电可使器件完全失效．本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ材料ＢＯＸ中的针孔密度，并用改进的二维ＩＲＩＳ程序定性分析了引起针孔的杂质临界颗粒尺寸． 展开更多

关键词 simox材料 氧化层 针孔密度

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