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题名CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性
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作者
竺士炀
林成鲁
李金华
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机构
中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期37-39,43,共4页
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文摘
对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。
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关键词
CMOS
simox
倒相器
总剂量辐照
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Keywords
simox material,CMOS inverter,Total dose irradiation
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名N沟MOSFET／SIMOX的γ射线辐照特性
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作者
竺士炀
林成鲁
李金华
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机构
中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期40-43,共4页
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文摘
对用多次注入与退火技术制成的ＳＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｓｅｎ）材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，并同通常的体硅ＮＭＯＳ的辐照效应作了比较，分析了引起阈值电压漂移的两个因素：氧化层电荷和界面态电荷，提出了提高ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ抗辐照性能的几点措施。
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关键词
场效应晶体管
simox
Γ射线辐照
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Keywords
simox material,NMOSFET,Total dose irradiation
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名全耗尽CMOS／SIMOX器件研制
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作者
李金华
姜美芬
蒋美萍
林成鲁
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机构
江苏石油化工学院物理教研室
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出处
《微细加工技术》
1996年第3期31-35,共5页
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文摘
在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。
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关键词
simox材料
CMOS器件
抗漏电工艺
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Keywords
simox material
CMOS device
fully-depleted structure
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性
被引量：2
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作者
竺士炀
李金华
林成鲁
高剑侠
严荣良
任迪远
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机构
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
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出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第6期368-373,共6页
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文摘
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ和ＮＭＯＳＩ体硅的辐照效应作了比较，结果表明前者抗总剂量辐照性能不如后者。对引起阈值电压漂移的两个因素（氧化层电荷和界面态电荷）和提高ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ抗辐照性能的几点措施进行了讨论．
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关键词
simox材料
NMOS器件
总剂量辐照
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Keywords
simox materials,NMOS devices,Total dose irradiation
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名薄膜SIMOX顶层单晶硅位错的研究
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作者
竺士炀
林成鲁
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机构
中国科学院上海冶金研究所
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
1996年第2期119-122,共4页
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文摘
通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究了不同制备参数形成的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。
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关键词
位错
密度
simox材料
薄膜
单晶硅
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Keywords
Enhanced chemical etch,dislocation density,simox materials
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分类号
O772
[理学—晶体学]
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题名重金属杂质对SIMOX片的沾污研究
被引量：1
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作者
李金华
林成鲁
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机构
江苏石油化工学院功能材料实验室
中科院上海冶金研究所
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出处
《微细加工技术》
2001年第3期35-40,共6页
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文摘
对国内外几种SIMOX硅薄膜样品进行位错密度测量 ,再用紫外光致荧光法(UVF)对其在集成电路工艺流片前后的Fe、Cu、Ni、Mo等重离子沾污作对比测定 ,结合SIMOX/MOS管的漏电特性 ,作了简要的机理分析。结果表明 ,重离子沾污不但在形成SIMOX结构时产生 ,在集成电路工艺流片过程中也会发生 ,并明显影响MOSFET的性能。重金属杂质的沾污程度与SIMOX材料的位错密度密切相关 ,位错密度可能是沾污重金属原子的吸收中心。要降低重金属杂质的沾污首先必须降低SIMOX材料的位错密度。
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关键词
simox
杂质沾污
重金属杂质
集成电路
薄膜
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Keywords
simox/SOI material
Contamination of heavy metal impurity,Dislocation density
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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