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用于多层PCB板的毫米波功分器设计
1
作者 贺莹 胡云 《无线通信技术》 2023年第2期58-60,共3页
根据毫米波射频集成电路的应用需求,设计了一种可用于多层PCB(Printed Circuit Board,印刷电路板)板内层电路的毫米波功分器,功分器采用基片集成同轴线结构。当功分器位于不同金属层时,采用不同方式与隔离电阻相连接以获取较好的性能。... 根据毫米波射频集成电路的应用需求,设计了一种可用于多层PCB(Printed Circuit Board,印刷电路板)板内层电路的毫米波功分器,功分器采用基片集成同轴线结构。当功分器位于不同金属层时,采用不同方式与隔离电阻相连接以获取较好的性能。根据设计结果,功分器位于第二金属层时,在24 GHz-30 GHz范围内,其输入端口驻波小于1.3,输出端口驻波小于1.15,输出端口隔离度大于20 dB;当功分器位于第四金属层时,在24 GHz-27.5 GHz范围内,输入和输出端口驻波均小于1.4,输出端口隔离度大于20 dB。 展开更多
关键词 功分器 毫米波 基片集成同轴线 多层PCB
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一种基于SICL的混合环设计与实现
2
作者 王茜 周文君 +1 位作者 杨沛卓 宋立众 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2022年第7期115-119,共5页
该文设计了一种基于介质集成同轴线(the substrate integated coaxial line,SICL)的L波段混合环,可用于单脉冲雷达系统。SICL具有高效率、无色散、单一工作模式的特点,是一种有重要应用的传输线形式。以SICL为传输线,设计了采用两层介... 该文设计了一种基于介质集成同轴线(the substrate integated coaxial line,SICL)的L波段混合环,可用于单脉冲雷达系统。SICL具有高效率、无色散、单一工作模式的特点,是一种有重要应用的传输线形式。以SICL为传输线,设计了采用两层介质基板的混合环结构,采用导电通孔实现上下金属平面的互联;在输出端,为了便于同轴线馈电,设计了一种微带线到SICL的转接结构,采用导电通孔实现微带线和SICL内导体的垂直连接,实现了较好的阻抗匹配。基于上述工作原理,设计了一种工作于1~1.2 GHz的混合环,仿真结果表明,每个端口的电压驻波比(VSWR)约小于2,端口隔离度约大于20 dB,实现了和差功能,加工和测试结果表明了该文设计的方案的有效性。基于SICL的混合环结构具有设计简单、易于加工和良好的电磁兼容性,可在工程上应用。 展开更多
关键词 sicl 混合环 垂直互联 和差器
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基于虚拟仪器技术的EFPI光纤微位移传感器数据处理系统
3
作者 江绍基 潘洪昌 曾斌 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期228-231,共4页
设计了一套EFPI光纤微位移传感器数据处理系统。该系统以虚拟仪器技术为设计思想,采用SICL(标准仪器控制库)函数,用面向对象软件设计技术编写系统程序,实现了对光纤传感器光谱测试和腔距实时监测。实验结果表明该系统基本达到自动化和... 设计了一套EFPI光纤微位移传感器数据处理系统。该系统以虚拟仪器技术为设计思想,采用SICL(标准仪器控制库)函数,用面向对象软件设计技术编写系统程序,实现了对光纤传感器光谱测试和腔距实时监测。实验结果表明该系统基本达到自动化和实时化操作,为将来传感器实际应用时的数据处理提供了参考方案。 展开更多
关键词 光纤传感器 虚拟仪器 sicl 面向对象软件设计
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氯化亚铜催化四氯化硅和硅耦合加氢的机理研究 被引量：2
4
作者 王志博 丁伟杰 +1 位作者 阎建民 肖文德 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2015年第7期66-70,共5页
以氯化亚铜为催化剂、使用固定床反应器,对四氯化硅和硅耦合加氢反应进行反应历程中固体催化物种活性变化的机理研究。利用程序升温策略使Cu3Si在反应前完全生成,开启反应后观察到包含诱导期、稳定期、失活期的反应活性曲线,对诱导期的... 以氯化亚铜为催化剂、使用固定床反应器,对四氯化硅和硅耦合加氢反应进行反应历程中固体催化物种活性变化的机理研究。利用程序升温策略使Cu3Si在反应前完全生成,开启反应后观察到包含诱导期、稳定期、失活期的反应活性曲线,对诱导期的成因进行了讨论,认为Cu3Si在反应气氛下的氯化是形成活性中心的必要条件。使用惰性气体吹扫降温法制备了不同反应阶段的颗粒样品。利用SEM-EDS、XRD、XRF等研究了反应历程中表面形貌、晶型及体相组成的演化规律,提出了反应失活模型,认为颗粒表面形貌组成的变化导致扩散速率下降是失活的原因。 展开更多
关键词 冷氢化 活性 扩散 四氯化硅 氯化亚铜
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同步感应线圈发射器电磁场研究 被引量：1
5
作者 曲东森 王成学 +1 位作者 王慧锦 刘海洋 《海军航空工程学院学报》 2016年第5期567-572,共6页
同步感应线圈发射器(Synchronous Induction Coil launcher,SICL)具有驱动线圈与发射载荷无机械接触、推力大,适合发射大质量物体等特点,具有良好的军事应用前景。在电磁发射过程中,SICL的驱动线圈将产生脉冲强电磁场,当磁场强度超过某... 同步感应线圈发射器(Synchronous Induction Coil launcher,SICL)具有驱动线圈与发射载荷无机械接触、推力大,适合发射大质量物体等特点,具有良好的军事应用前景。在电磁发射过程中,SICL的驱动线圈将产生脉冲强电磁场,当磁场强度超过某一阈值时,会干扰发射载荷及周围的电子设备的正常工作,甚至使其损坏。文章分析了SICL的工作原理,建立了其电磁场的数学模型;编制仿真程序分析了SICL的电磁发射过程,得到了放电回路的电流波形、SICL电磁场的强度及分布规律;利用搭建的电磁发射系统,进行了电磁发射实验,测量了SICL的磁场分布,对比仿真结果与实验数据,结果表明:仿真结果正确可信,研究结论对SICL的结构设计和工程发展具有一定的理论指导意义和参考使用价值。 展开更多
关键词 同步感应线圈发射器 电磁场 驱动线圈 发射载荷 脉冲电流
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VXI系统中的SICL和SCPI
6
作者 程南 《现代仪器使用与维修》 1997年第6期6-7,共2页
1.前言 SICL是“Standard Instruments Control Li-brary”的缩写,其译文是:标准的仪器控制文库。 SCPI是“Standard Commands for Pro-grammable Instruments”的缩写,译文是:用于可编程仪器的标准指令。两者全然不同。
关键词 VXI系统 sicl SCPI
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同步感应线圈发射器极性反转的影响
7
作者 张宗超 姜吉顺 +1 位作者 徐义涛 焦提操 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2019年第12期11-15,共5页
采用逐级调试方式及自适应设计方式搭建了6级同步感应线圈炮的路模型,基于有限元软件的瞬态场路耦合模型验证了路模型的有效性。对于6级发射器,保持触发时序不变而将后3级线圈的极性反转时电枢将承受较大的制动力且电枢温升陡增,并最终... 采用逐级调试方式及自适应设计方式搭建了6级同步感应线圈炮的路模型,基于有限元软件的瞬态场路耦合模型验证了路模型的有效性。对于6级发射器,保持触发时序不变而将后3级线圈的极性反转时电枢将承受较大的制动力且电枢温升陡增,并最终导致速度下降明显,通过分析驱动线圈及电流丝电流的变化规律,探讨了产生显著制动力的原因并据此提出了延迟触发极性反转线圈的方法。仿真结果表明,采用极性反转并延迟触发能够有效提升能量转换效率。 展开更多
关键词 同步感应线圈发射器 极性反转 自适应 能量转换效率
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用C++开发雷达目标特征信号测量系统软件
8
作者 常华俊 肖怀铁 +1 位作者 付强 郭雷 《现代计算机》 2004年第1期90-93,共4页
本文介绍了采用VC++6.0开发雷达目标特征信号测量系统所采用的一些软件技术,包括多线程技术、利用SICL库实现PC机与矢量网络分析仪间的通信、测量数据的存储、特征信号数据库的建立等。
关键词 C++ 软件开发 雷达目标 特征信号测量系统 系统软件
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硅钛改性ZSM-5分子筛抑制“反向效应”的探讨
9
作者 冯宏 詹必增 曾昭槐 《工业催化》 CAS 1993年第1期11-15,共5页
本文采用 SiCl_4和 TiCl_4对 ZSM-5分子筛进行改性,考察硅和钛的氯化物改性对分子筛的调变作用,关联甲苯乙醇乙基化反应与表面酸性及孔结构的变化。阐明了能够兼顾调整酸强度和保持孔结构畅通性的改性方法,有助于克服 ZSM-5分子筛改性... 本文采用 SiCl_4和 TiCl_4对 ZSM-5分子筛进行改性,考察硅和钛的氯化物改性对分子筛的调变作用,关联甲苯乙醇乙基化反应与表面酸性及孔结构的变化。阐明了能够兼顾调整酸强度和保持孔结构畅通性的改性方法,有助于克服 ZSM-5分子筛改性过程中“反向效应”的现象.从实验结果看,ZSM-5分子筛经水蒸汽老化处理后,以 TiCl_4进行改性,能制出对甲苯乙基化具有较高初活性和对位选择性的催化剂. 展开更多
关键词 分子筛 甲苯 乙基化 改性
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新型TiCl_4/Ni(acac)_2复合催化剂乙烯聚合反应 被引量：13
10
作者 萧翼之 杨海滨 +1 位作者 张启兴 王海华 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第7期528-531,共4页
制备了 Ti Cl4/ Ni(acac) 2 / Mg Cl2 -Si O2 -Zn Cl2 / Al R3复合催化剂 .研究了促进剂四氯化硅 (Si Cl4)和各种聚合条件对乙烯聚合的影响及其表观聚合动力学 .用 DSC、IR、1 3C NMR对聚合产物进行了结构性能的分析和表征 .结果表明 ,... 制备了 Ti Cl4/ Ni(acac) 2 / Mg Cl2 -Si O2 -Zn Cl2 / Al R3复合催化剂 .研究了促进剂四氯化硅 (Si Cl4)和各种聚合条件对乙烯聚合的影响及其表观聚合动力学 .用 DSC、IR、1 3C NMR对聚合产物进行了结构性能的分析和表征 .结果表明 ,促进剂 Si Cl4有很好的提高催化效率的作用 ;Ti Cl4/ Ni(acac) 2 复合催化剂有催化乙烯齐聚和原位共聚功能 ,获得了熔点和结晶度较低的、有一定支化度的中、低密度聚乙烯 . 展开更多
关键词 乙酰丙酮镍 四氯化钛 复合催化剂 四氯化硅 乙烯 聚合 支化聚乙烯
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SiCl_4氢化转化为SiHCl_3过程的热力学 被引量：9
11
作者 侯彦青 谢刚 +3 位作者 陶东平 俞小花 李荣兴 宋东明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期3202-3210,共9页
应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的"Si-Cl-H"三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔG mΘ—T图;并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的... 应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的"Si-Cl-H"三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔG mΘ—T图;并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的K pΘ—T图;高温时主反应(1)的K pΘ增长较慢,而反应(2)和(5)的K pΘ快速增大,1 373 K时,主反应(1)的K pΘ较小,为0.157 1。进一步研究温度、压强和进料配比n H 2/nSiCl4对SiCl4氢化率的影响,并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线。结果表明:当压强和进料配比一定时,SiCl4的氢化率随温度的升高先增加后降低;增大压强或增加进料配比n H 2/nSiCl4都会提高SiCl4的氢化率;SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的最佳操作条件为温度为1 000℃,压强为0.3 MPa,进料配比n H 2/nSiCl4为4,在此条件下,SiCl4的氢化率为25.78%。 展开更多
关键词 sicl4 SiHCl3 热力学 转化
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多晶硅生产中副产物SiCl_4的综合利用 被引量：11
12
作者 肖顺珍 蒋云华 《新材料产业》 2009年第7期51-56,共6页
在氯化氢（HCl）合成制备三氯氢硅（SiHCl3）过程中，除主要产品SiHCl3外，还有大约15％左右的四氧化硅（SiCl4）副产品，另外还有二氯氢硅（SiH2Cl2）等。在SiHCl3氢还原中，还伴随有SiHCl3的热分解而生成的SiCl4、SiH2Cl2和HCl等，
关键词 sicl4 多晶硅 综合利用 副产物 SiH2Cl2 生产 三氯氢硅 合成制备
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西门子体系中SiHCl3和SiCl4的热力学行为 被引量：8
13
作者 苗军舰 丘克强 +1 位作者 顾珩 陈少纯 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1937-1944,共8页
在选取与实际生产相近的温度、氢气配比(H2与SiHCl3的初始比例)和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHCl3的剩余量与副产物SiCl4的生成量,分别绘制二者随所选条件的变化图,并利用这些热力学图,分析温度、氢气配比及压力对西门子... 在选取与实际生产相近的温度、氢气配比(H2与SiHCl3的初始比例)和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHCl3的剩余量与副产物SiCl4的生成量,分别绘制二者随所选条件的变化图,并利用这些热力学图,分析温度、氢气配比及压力对西门子法生产多晶硅反应体系中SiHCl3和SiCl4热力学行为影响的规律。结果表明:当压力、氢气配比一定时,SiHCl3的剩余量与温度呈反比,SiCl4的生成量则是先随温度的升高而增加,后又变小;当温度和压力一定时,增大氢气配比SiCl4生成量减少,只有在氢气配比大于5以后SiHCl3的剩余量才与它呈反比关系;当温度和氢气配比一定时,随着压力的降低,SiHCl3的剩余量减少,SiCl4则呈先增加再减少的变化趋势。 展开更多
关键词 SiHCl3 sicl4 西门子体系 热力学行为
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多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制 被引量：8
14
作者 黄锐 林璇英 +6 位作者 余云鹏 林揆训 姚若河 黄文勇 魏俊红 王照奎 余楚迎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期3950-3955,共6页
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压... 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶” 展开更多
关键词 活性基团 晶粒大小 等离子体增强化学气相沉积 结晶 工艺参数 反应室 PECVD 低温生长 多晶硅薄膜 功率
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SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜 被引量：7
15
作者 黄创君 林璇英 +3 位作者 林揆训 余云鹏 余楚迎 池凌飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期650-652,共3页
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素... 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 sicl4/H2气源 低温生长 结晶度
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SiCw/Al复合材料在3.5%NaCl溶液中的应力腐蚀特性 被引量：9
16
作者 曹利 李光福 姚忠凯 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 1990年第3期266-270,共5页
近年来,SiCw/Al复合材料引起了人们的注意。研究表明:SiCw/Al复合材料具有接近于铝的比重和钛的强度,以及超过铝-锂合金的弹性模量,是一种很有前途的新型材料。随着碳化硅晶须和复合材料制造技术的发展,以较低费用大量生产SiCw/Al复合... 近年来,SiCw/Al复合材料引起了人们的注意。研究表明:SiCw/Al复合材料具有接近于铝的比重和钛的强度,以及超过铝-锂合金的弹性模量,是一种很有前途的新型材料。随着碳化硅晶须和复合材料制造技术的发展,以较低费用大量生产SiCw/Al复合材料及其构件已有可能。SiCw/Al复合材料的断裂韧性已有所研究,但在腐蚀介质中的力学行为却未见报导。本工作在于探明SiCw/Al复合材料在3.5%NaCl水溶液中的应力腐蚀特性,确定其应力腐蚀强度因子K_(ISCC),并讨论应力腐蚀开裂机理。 展开更多
关键词 sicl/AL合金 复合材料 应力腐蚀
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FT－IR法测量高纯四氯化硅中的微量三氯氢硅 被引量：6
17
作者 朱新芳 李卜森 张琪 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期35-38,64,共5页
应用傅立叶交换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）技术和自制１０ｃｍ光程的不锈钢液体池，建立了光纤原料四氯化硅中微量三氯氢硅的定量分析方法。该法具有安全、简便、灵敏和重复性好的特点。
关键词 FT-IR法 四氯化硅 三氯氢硅
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硅和四氯化硅耦合加氢反应体系的热力学分析 被引量：8
18
作者 康启宇 丁伟杰 +2 位作者 肖文德 阎建民 罗漫 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2012年第11期26-29,共4页
基于Gibbs自由能最小原理,对硅和四氯化硅(SiCl4,STC)耦合加氢反应体系进行了热力学分析。通过化学平衡产物组成分布的分析,确定了反应体系主要产物为三氯硅烷(HSiCl3,TCS)、二氯硅烷(H2SiCl2,DCS)、盐酸(HCl),并构造了3个相应的独立反... 基于Gibbs自由能最小原理,对硅和四氯化硅(SiCl4,STC)耦合加氢反应体系进行了热力学分析。通过化学平衡产物组成分布的分析,确定了反应体系主要产物为三氯硅烷(HSiCl3,TCS)、二氯硅烷(H2SiCl2,DCS)、盐酸(HCl),并构造了3个相应的独立反应,讨论了对应的反应热(ΔrHθm)、自由能(ΔrGθm)和平衡常数(Kθp)与温度的关系。计算所采用的温度为673～923 K,压力为101.325～2 026.5 kPa,原料H2与SiCl4物质的量比为1～5。结果表明,生成TCS和DCS的反应为体系随着温度升高,四氯化硅平衡转化率及三氯硅烷产率降低;高压和适中的原料配比(H2与SiCl4物质的量比)有利于四氯化硅转化率及三氯硅烷产率的提高。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯硅烷 化学反应平衡 热力学
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四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用 被引量：7
19
作者 汪光裕 丁国江 艾波 《东方电气评论》 2008年第4期70-72,共3页
笔者之一曾在1982年发表《SiCl4氢化反应的探索》的热力学分析的文章,结合近期国内多晶硅产业蓬勃发展的新形势和对西门子法工艺主要副产物SiCl4有效利用的迫切需要,本文试图探索四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程中循环利用的可能途径。
关键词 四氯化硅 循环利用
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氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响 被引量：4
20
作者 黄锐 林璇英 +3 位作者 余云鹏 林揆训 祝祖送 魏俊红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2523-2528,共6页
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀... 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由1·5eV减小至约1·2eV,而后增大至1·8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素. 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 微结构 氢稀释 sicl4
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