期刊文献+
共找到11篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
TiO_2陶瓷在磁控溅射中电导率改变机理研究 被引量:1
1
作者 赵大庆 杨锋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期81-83,共3页
在Ar气氛中对TiO2陶瓷进行射频磁控溅射时,TiO2陶瓷电导率发生显著变化。该文对这一现象进行了研究。采用多种分析手段对实验结果进行了分析。分析表明,辉光放电电离Ar气所产生的Ar离子冲击TiO2陶瓷表面的热量和动量被O2-吸收,引起O2-溢... 在Ar气氛中对TiO2陶瓷进行射频磁控溅射时,TiO2陶瓷电导率发生显著变化。该文对这一现象进行了研究。采用多种分析手段对实验结果进行了分析。分析表明,辉光放电电离Ar气所产生的Ar离子冲击TiO2陶瓷表面的热量和动量被O2-吸收,引起O2-溢出TiO2陶瓷,导致TiO2化学配比偏离正常,从而提高了TiO2陶瓷的电导率。 展开更多
关键词 TiO2陶瓷 射频磁控溅射 电导率
下载PDF
射频磁控溅射制备ZnO纳米薄膜的研究 被引量:1
2
作者 李静 吴孙桃 钟灿 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期550-551,共2页
采用磁控溅射的方法来制备ZnO纳米薄膜。薄膜的晶体特性以及表面结构主要通过X射线衍射。
关键词 射频磁控溅射制备 ZNO 氧化锌薄膜 纳米薄膜 表面结构 X射线衍射
下载PDF
用于CIGS太阳电池的AZO特性研究 被引量:3
3
作者 闫礼 徐睿 +2 位作者 王赫 张超 乔在祥 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1905-1908,共4页
采用射频磁控溅射方法制备掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了气体流量对薄膜晶体质量及光电性能的影响。测试结果表明,当氩气流量为70 m L/min时制备的薄膜结晶较好,方块电阻为8.25Ω/□,电阻率为4.46×10-4Ω·cm,玻璃基底上可见... 采用射频磁控溅射方法制备掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了气体流量对薄膜晶体质量及光电性能的影响。测试结果表明,当氩气流量为70 m L/min时制备的薄膜结晶较好,方块电阻为8.25Ω/□,电阻率为4.46×10-4Ω·cm,玻璃基底上可见光范围内的平均透过率为83.56%,综合性能最优,可用于CIGS薄膜太阳电池。采用光谱椭偏仪研究薄膜的光学特性,通过建模计算得到350~800 nm波段内AZO薄膜的光学常数,并通过作图法计算得到薄膜的光学禁带宽度为3.38 e V。 展开更多
关键词 掺铝氧化锌(AZO)薄膜 射频磁控溅射 导电性 透过率 光谱椭偏
下载PDF
CoCu合金颗粒膜的室温磁电阻效应
4
作者 张寿柏 蔡炳初 +1 位作者 杨春生 邹强 《金属热处理学报》 CSCD 1996年第A00期104-108,共5页
利用射频磁控溅射方法制备CoCu合金不同成分的亚稳态薄膜。研究了CoCu合金颗粒膜的磁电阻随真空退火温度、外磁场以及组元成分而变化的规律。经真空退火后,CoCu颗粒膜中析出的Co颗粒呈面心立方结构。这种在非磁性Cu的... 利用射频磁控溅射方法制备CoCu合金不同成分的亚稳态薄膜。研究了CoCu合金颗粒膜的磁电阻随真空退火温度、外磁场以及组元成分而变化的规律。经真空退火后,CoCu颗粒膜中析出的Co颗粒呈面心立方结构。这种在非磁性Cu的基体上和具有磁性Co偏聚态的纳米级颗粒膜具有巨磁阻(GMR)效应。CoCu颗粒膜的GMR效应及磁性能均取决于Co颗粒的尺寸及数量。 展开更多
关键词 巨磁阻 磁控溅射 颗粒膜 钴铜合金 磁头
原文传递
金刚石基底上氮化硼薄膜的场发射特性研究
5
作者 刘立华 李英爱 +1 位作者 顾广瑞 赵永年 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期309-312,共4页
利用射频磁控溅射方法,在金刚石膜上沉积了氮化硼薄膜。红外光谱分析表明,氮化硼薄膜的结构为六角氮化硼。在超高真空系统中测量了样品的场发射特性,沉积在金刚石膜上的氮化硼薄膜的阈值电场为12 V/μm,最大发射电流密度为272μA/cm2。... 利用射频磁控溅射方法,在金刚石膜上沉积了氮化硼薄膜。红外光谱分析表明,氮化硼薄膜的结构为六角氮化硼。在超高真空系统中测量了样品的场发射特性,沉积在金刚石膜上的氮化硼薄膜的阈值电场为12 V/μm,最大发射电流密度为272μA/cm2。并且沉积在金刚石膜上的氮化硼薄膜的场发射特性明显优于金刚石薄膜本身的场发射特性。这说明,氮化硼薄膜可以有效地改善金刚石膜的场发射特性。场发射Fowler-Nordheim(F-N)曲线表明,电子发射是通过遂穿表面势垒完成的。 展开更多
关键词 氮化硼薄膜 场发射特性 磁控溅射
下载PDF
Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响
6
作者 叶伟 崔立堃 常红梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1344-1351,共8页
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO... 具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO 2 修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO 2 修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5 A/cm^2 降低到7.7×10^-7 A/cm^2 ,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10^13 cm^-2 降低到9×10 12 cm^-2 ,迁移率从0.001cm^2 /(V·s)升高到0.159cm^2 /(V·s). 展开更多
关键词 SIO2薄膜 氧化锌薄膜晶体管 修饰层 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜 射频磁控溅射
下载PDF
射频磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜的研究
7
作者 杨立 冯金晖 +2 位作者 徐睿 王赫 乔在祥 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1682-1684,共3页
采用射频磁控溅射法沉积铝掺杂氧化锌(Zn O∶Al,简称AZO)薄膜,研究了本底压强、溅射功率以及沉积时间对AZO薄膜光电性质的影响,优化了该层薄膜的沉积工艺。研究结果表明,在尽可能低的本底压强下,采用适中的溅射功率(500 W),制备出厚度约... 采用射频磁控溅射法沉积铝掺杂氧化锌(Zn O∶Al,简称AZO)薄膜,研究了本底压强、溅射功率以及沉积时间对AZO薄膜光电性质的影响,优化了该层薄膜的沉积工艺。研究结果表明,在尽可能低的本底压强下,采用适中的溅射功率(500 W),制备出厚度约为500 nm的AZO薄膜,其电阻率达到5×10-4Ω·cm,可见光范围内的平均透过率达到82.7%。 展开更多
关键词 铝掺杂氧化锌薄膜 射频磁控溅射 导电性 透过率
下载PDF
在有机玻璃上射频溅射ITO组合薄膜 被引量:7
8
作者 高劲松 孙连春 +1 位作者 郑宣明 王哲 《光学技术》 CAS CSCD 2001年第6期501-502,共2页
利用射频磁控溅射技术在有机玻璃表面上一次完成表面活化、ITO膜制备、SiO2 减反射膜制备过程。利用低能等离子体对有机玻璃表面进行改性以提高ITO膜的附着力。研究了氧分压等工艺参数对ITO膜导电性能及光学性能的影响。
关键词 ITO膜 射频磁控溅射 表面改性 低温成膜 有机玻璃
原文传递
制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响
9
作者 赵银平 丁瑞钦 +3 位作者 朱慧群 胡怡 王忆 汪河洲 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期20-23,共4页
利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响。研究表明,在200℃低温生长的硅基ZnO... 利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响。研究表明,在200℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形;当氧氩比为4:1(质量流量比)时,吸收谱激子峰最佳;退火后,激子峰(363 nm)加强,同时出现了402 nm的本征氧空位紫光发射。 展开更多
关键词 半导体技术 射频磁控反应溅射 ZnO外延薄膜 光致发光
下载PDF
基于FeGa薄膜的声表面波电流传感器设计
10
作者 孙媛 贾雅娜 +2 位作者 张玉凤 梁勇 王文 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第1期157-160,共4页
采用磁致伸缩薄膜FeGa作为敏感材料,优化设计了一种新型高灵敏声表面波(SAW)电流传感器。以中心频率150 MHz的延迟线型SAW器件作为传感元,利用射频(RF)磁控溅射法在其表面SAW传播路径上沉积FeGa磁性薄膜,由此构建SAW电流传感器件。将研... 采用磁致伸缩薄膜FeGa作为敏感材料,优化设计了一种新型高灵敏声表面波(SAW)电流传感器。以中心频率150 MHz的延迟线型SAW器件作为传感元,利用射频(RF)磁控溅射法在其表面SAW传播路径上沉积FeGa磁性薄膜,由此构建SAW电流传感器件。将研制的传感器件接入由放大器及混频器组成的振荡电路中,通过与未镀膜参考器件进行差分,其输出信号用作传感信号。在电磁场作用下,FeGa薄膜产生的磁致伸缩效应引起SAW传播速度的改变,最终以相应的差分振荡频率偏移来评估施加的电流值。为进一步提升传感器性能,通过控制不同的溅射功率及退火热处理等制备工艺来确定优化的制备条件。实验结果表明,当FeGa薄膜厚度为500 nm,溅射功率为100 W,退火热处理温度为300℃时,所研制的电流传感器线性度及重复性良好,灵敏度较高(24.67 kHz/A)。 展开更多
关键词 声表面波(SAW) 射频磁控溅射 电流传感器 FeGa 磁致伸缩
下载PDF
射频溅射制备Ni-SiO_2薄膜特性研究 被引量:1
11
作者 屈晓声 李德杰 +1 位作者 田宏 姚保纶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期323-324,共2页
Ni-SiO2金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料,用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ni-SiO2薄膜,生成的样品均匀、致密.通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求。X射线能谱分析... Ni-SiO2金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料,用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ni-SiO2薄膜,生成的样品均匀、致密.通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求。X射线能谱分析可以估算出Ni在样品中的百分比,各种不同制备条件下的样品透射率有较大的差别。 展开更多
关键词 Ni-SiO2薄膜 金属体积百分比 射频溅射 透乐性 金属陶瓷 场发射显示器
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部