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集成液晶可调谐RCE光电探测器的实验研究 被引量：4
1
作者 黄辉 成步文 +3 位作者 黄永清 王兴妍 王琦 任晓敏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期908-910,共3页
实现了波长调谐范围为 8nm的集成液晶可调谐谐振腔增强型 (RCE)光电探测器 ,并且对相应的实验结果进行讨论。这种器件可用在波分复用 (WDM)
关键词 波分复用 rce光电探测器 液晶 调谐 谐振腔增强型
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新型光电探测器的研究 被引量：1
2
作者 王兴妍 黄辉 +2 位作者 王琦 黄永清 任晓敏 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期120-124,共5页
针对RCE光电探测器存在的问题提出两种解决方案。将InP/空气隙的分布布拉格反射镜(DBR)结构引入RCE光探测器,只用1.5对InP/空气隙计算反射率约为95％,解决了长波长反射镜制备问题。所制备的器件,在波长1.585μm处获得了约54.5％的峰值... 针对RCE光电探测器存在的问题提出两种解决方案。将InP/空气隙的分布布拉格反射镜(DBR)结构引入RCE光探测器,只用1.5对InP/空气隙计算反射率约为95％,解决了长波长反射镜制备问题。所制备的器件,在波长1.585μm处获得了约54.5％的峰值量子效率,以及8GHz的3dB响应带宽。另一种引入斜镜结构解除了量子效率与超窄光谱响应线宽的相互制约。 展开更多
关键词 rce光电探测器 长波长 空气隙 斜镜 量子效率
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GaAs基谐振腔增强型光电探测器
3
作者 梁琨 杨晓红 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期345-349,共5页
本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器，进行理论分析和实验研究的结果。
关键词 GAAS 谐振腔增强型光电探测器 外延生长 砷化镓 MBE MOCVD rce光电探测器 光电特性
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GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究
4
作者 唐君 陈弘达 +3 位作者 梁琨 杜云 杨晓红 吴荣汉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期243-246,共4页
通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽... 通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关. 展开更多
关键词 rce光电探测器 量子效率 GAAS
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SOI基RCE光电探测器谐振腔结构的设计与优化
5
作者 程彩莉 刘倩文 《光电子》 2016年第4期131-138,共8页
由于CMOS光电探测器存在量子效率低、工作带宽窄等性能问题,为实现更高量子效率的CMOS光电探测器,结合工艺实现性,本文构建了一种新型的SOI CMOS工艺可兼容的光电探测器谐振腔结构。基于底镜采用一层1/4波长(850 nm光波长)奇数倍厚度Si... 由于CMOS光电探测器存在量子效率低、工作带宽窄等性能问题,为实现更高量子效率的CMOS光电探测器,结合工艺实现性,本文构建了一种新型的SOI CMOS工艺可兼容的光电探测器谐振腔结构。基于底镜采用一层1/4波长(850 nm光波长)奇数倍厚度SiO2,顶镜采用1/4波长偶数倍厚度SiO2的DBR反射镜,形成的SOI基谐振腔结构适用于光通信850 nm光波长的RCE PD器件。数值仿真结果表明,RCE PD器件比CMOS PD器件提高了量子效率,验证了谐振腔结构的正确性。 展开更多
关键词 rce光电探测器 SOI 谐振腔 量子效率
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