GaAs基谐振腔增强型光电探测器
摘要
本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器，进行理论分析和实验研究的结果。
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期345-349,共5页
Acta Photonica Sinica
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