PtS_(2)的表面相工程:单晶PtS_(2)-非晶PtS_(x)-单晶Pt

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作者 袁墩栋 何勇民 +2 位作者 赵晓续 朱超 孙立涛 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期706-712,共7页

本文利用原子级扫描透射电子显微术(scanning transmission electron microscopy,STEM)研究了PtS_(2)在连续Ar等离子体作用下其表面S原子不断缺失并导致相转变的过程。实验发现随着S原子占比的减小,层状1T相PtS_(2)以逐层非晶化的方式... 本文利用原子级扫描透射电子显微术(scanning transmission electron microscopy,STEM)研究了PtS_(2)在连续Ar等离子体作用下其表面S原子不断缺失并导致相转变的过程。实验发现随着S原子占比的减小,层状1T相PtS_(2)以逐层非晶化的方式转变为无定形非晶相PtS_(x)(x<2),并且基于径向分布函数(radial distribution function,RDF)分析定量提取了最邻近Pt-Pt、Pt-S、S-S原子对的分布概率。随着S原子占比的继续减小,表面非晶相PtSx最终转变为单晶Pt,结合电子能量损失谱(electron energy loss spectroscopy,EELS)与STEM原子序数衬度图像分析表明,Pt原子以(111)面心立方密堆的方式堆垛,形成少层甚至单层Pt晶畴。 展开更多

关键词 STEM 单层非晶ptS_(x) pt单晶 相工程

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PMN-PT单晶与陶瓷在性能及相变方面的特点 被引量：10

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作者 王评初 罗豪甦 +3 位作者 李东林 潘晓明 陈辛尘 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期56-62,共7页

着重介绍了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的（１－ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ－ＰＴ）固溶体单晶在介电、压电、热释电性能及相变方面的一些特点：①异常高的压电常数ｄ３３（高达３０００ｐＣ／Ｎ以... 着重介绍了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的（１－ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ－ＰＴ）固溶体单晶在介电、压电、热释电性能及相变方面的一些特点：①异常高的压电常数ｄ３３（高达３０００ｐＣ／Ｎ以上），耦合系数ｋｔ（在０．６以上），ｋ３３（达０.９０），高的介电常数（高达５０００甚至更高），低的Ｑｍ值（约６０），热释电系数也较高．②强烈的各向异性．③随着ＰＴ含量的增加，系统的弛豫行为逐渐减弱，在ｘ～０．３３时，材料在室温下成为正常铁电体，但ＰＥ－ＦＥ相变并非正常铁电相变，表现为在Ｔ＞Ｔｍ时；　～Ｔ关系不遵守居里－外斯定律，而是遵守Ｓｍｏｌｅｎｓｋｉｉ的关系．该相变也明显地与弥散相变不同．这种行为可用无规场的观点加以解释． 对ＰＭＮ－ＰＴ陶瓷，其压电性能与最好的软性ＰＺＴ相似，而　和ｋ３１略大． 展开更多

关键词 铌镁酸铅 钛酸铅 压电性 相变 PWN-pt单晶

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PMN-PT驰豫铁电单晶及其超声换能器性能研究 被引量：9

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作者 李国荣 罗豪甦 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1077-1083,共7页

测试了ＰＭＮ－ＰＴ（６７／３３）切型铁电单晶的机电性能，分析了该晶体与常用压电材料在微观结构和机电性能上差异．对该压电单晶未调制下纵向长度伸缩振动模超声换能器性能进行了理论分析．讨论了压电单晶的机械和介电损耗对超声换... 测试了ＰＭＮ－ＰＴ（６７／３３）切型铁电单晶的机电性能，分析了该晶体与常用压电材料在微观结构和机电性能上差异．对该压电单晶未调制下纵向长度伸缩振动模超声换能器性能进行了理论分析．讨论了压电单晶的机械和介电损耗对超声换能器性能的规律． 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 压电 超声换能器 性能 驰豫铁电单晶 压电材料

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四方相铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电单晶的弹性、介电、压电和机电性能 被引量：7

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作者 曹虎 方必军 +1 位作者 徐海清 罗豪甦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期465-469,共5页

研究了四方相弛豫铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38％PbTiO3(PMNT62/38)的介温特性,并利用HP4192A阻抗分析仪测量了PMNT62/38单晶完整的一套弹性、介电、压电和机电耦合系数,为理论研究和器件设计提供了参考,其居里点Tc～174℃;压电应变常量... 研究了四方相弛豫铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38％PbTiO3(PMNT62/38)的介温特性,并利用HP4192A阻抗分析仪测量了PMNT62/38单晶完整的一套弹性、介电、压电和机电耦合系数,为理论研究和器件设计提供了参考,其居里点Tc～174℃;压电应变常量d33～300pC/N;介电常数C33～734,ε11～4301;机电耦合因数k33～84.6％,kt～60.8％,k31～44.5％,k15～45.9％. 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 弹性 介电 压电和机电耦合系数 谐振-反谐振法

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0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3单晶/环氧树脂1-3型复合材料的压电性能研究 被引量：7

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作者 周丹 罗来慧 +3 位作者 王飞飞 贾艳敏 赵祥永 罗豪甦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4552-4557,共6页

模拟了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-0.3PT)单晶1-3型压电复合材料的性能与单晶体积分数的关系,得出性能最优时压电相的体积分数为64%,在这一体积分数下,采用切割-填充法,并使用了不同类型的环氧树脂填充制备复合材料.系统地研究... 模拟了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-0.3PT)单晶1-3型压电复合材料的性能与单晶体积分数的关系,得出性能最优时压电相的体积分数为64%,在这一体积分数下,采用切割-填充法,并使用了不同类型的环氧树脂填充制备复合材料.系统地研究了聚合物相对复合材料性能的影响,研究表明,减小聚合物相的刚度系数c和密度ρ有利于提高复合材料的性能,且聚合物相与压电相的结合强度对性能的影响非常明显,制备的PMN-0.3PT单晶1-3型复合材料的厚度伸缩机电耦合系数kt高达90.1%,压电系数d33大于1000pC/N,机械品质因数Qm为10.39,声阻抗Z也大大降低,性能明显优于传统的Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)陶瓷及其1-3复合材料,在压电换能器和传感器中显示出广阔的前景. 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 压电复合材料 压电相 聚合物相

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基于PMN-PT的宽带高灵敏双谐振式声发射传感器研究

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作者 宋洋 唐正凯 +3 位作者 史汝川 林迪 韩韬 罗骋韬 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期112-117,123,共7页

声发射传感器被广泛应用于局部放电检测中,而基于PZT压电陶瓷的声发射传感器难以同时满足越来越高的灵敏度和带宽需求。该文设计了一种双谐振式声发射传感器,采用高性能铁电单晶PMN-PT作为压电振子,并使用谐振峰耦合,可同时提升灵敏度... 声发射传感器被广泛应用于局部放电检测中,而基于PZT压电陶瓷的声发射传感器难以同时满足越来越高的灵敏度和带宽需求。该文设计了一种双谐振式声发射传感器,采用高性能铁电单晶PMN-PT作为压电振子,并使用谐振峰耦合,可同时提升灵敏度和带宽。所制备的传感器实现了76.2 dB的高灵敏度,20~105 kHz的大带宽,且具备良好的稳定性。对比基于PZT-5H的声发射传感器,其具有更高的灵敏度和信噪比。 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 PZT-5H陶瓷 双谐振式声发射传感器 局部放电检测 有限元模型

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直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化 被引量：3

7

作者 惠增哲 李振荣 +2 位作者 徐卓 张良莹 姚熹 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第13期1421-1423,共3页

在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32％PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5～4.0kV/cm范围内,在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现;当E>4.0kV/cm时,异常介电峰消失。... 在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32％PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5～4.0kV/cm范围内,在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现;当E>4.0kV/cm时,异常介电峰消失。而对于[111]方向的单晶,在偏压下没有新的异常介电峰出现。对直流偏压下PMN-32％PT单晶的介电异常变化进行了讨论。 展开更多

关键词 直流偏压 PMN-pt单晶 介电温度谱 铁电相变 弛豫型铁电体体系

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退火对PMN-32PT弛豫铁电单晶电畴组态的影响 被引量：2

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作者 龙伟 惠增哲 +3 位作者 刘建康 坚增运 焦藏桢 王锋 《西安工业学院学报》 2005年第1期64-67,共4页

　采用光学显微镜沿[001]方向观察了PMN_32PT弛豫铁电单晶的电畴形貌,考查了在不同温度下退火处理对电畴组态的影响.结果表明:在90℃以下退火后,PMN_32PT晶体的电畴基本保持室温组态,但局部出现微弯曲.在120～160℃退火后,PMN_32PT晶体... 　采用光学显微镜沿[001]方向观察了PMN_32PT弛豫铁电单晶的电畴形貌,考查了在不同温度下退火处理对电畴组态的影响.结果表明:在90℃以下退火后,PMN_32PT晶体的电畴基本保持室温组态,但局部出现微弯曲.在120～160℃退火后,PMN_32PT晶体电畴明显粗化,条带宽大,且局部由条带型转变为回字型.在210℃以上退火后,PMN_32PT晶体电畴条带规则,均匀细小. 展开更多

关键词 退火 铁电 PMN-32pt单晶 单晶电畴

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基于弛豫铁电单晶的热释电焦平面研究 被引量：2

9

作者 邵秀梅 马学亮 +1 位作者 于月华 方家熊 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期46-50,共5页

PMN-PT是一种综合性能优异的新型热释电材料。本文以PMN-PT单晶作为热释电探测器材料,开展了8×1线列探测器的芯片结构设计及器件关键工艺研究,获得了8元热释电探测器芯片,电压响应率约280V/W。同时,实现了8元热释电光敏芯片与8元... PMN-PT是一种综合性能优异的新型热释电材料。本文以PMN-PT单晶作为热释电探测器材料,开展了8×1线列探测器的芯片结构设计及器件关键工艺研究,获得了8元热释电探测器芯片,电压响应率约280V/W。同时,实现了8元热释电光敏芯片与8元读出电路的耦合互连,得到了8元热释电焦平面原型器件,并进行了性能测试。由于读出电路对可见光存在响应,影响了焦平面模块的热释电信号提取,电路设计有待改进。本文的研究为基于新型弛豫铁电单晶的大规模非制冷焦平面的研制奠定了一定的基础。 展开更多

关键词 焦平面 热释电 PMN-pt单晶 非制冷

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弛豫铁电单晶0．93Pb(Zn1／3Nb2／3)O3-0．07PbTiO3的电光性能研究 被引量：2

10

作者 孙恩伟 张锐 +1 位作者 赵欣 曹文武 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1442-1445,共4页

以波长为632.8nm的He-Ne激光作为光源,研究了三方相弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3在室温下的折射率和线性电光性质.通过测量晶体的布儒斯特角,确定了单晶的两个主轴折射率:no=2.466,ne=2.488.利用改进的马赫-泽德尔干涉... 以波长为632.8nm的He-Ne激光作为光源,研究了三方相弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3在室温下的折射率和线性电光性质.通过测量晶体的布儒斯特角,确定了单晶的两个主轴折射率:no=2.466,ne=2.488.利用改进的马赫-泽德尔干涉法测量了单晶的线性电光系数:r33=71pm/V,r13=4pm/V.计算得到有效电光系数rc=67pm/V及半波电压Vπ=610V.单晶优异的电光性能使其在激光调制与偏转领域有着巨大的应用潜力. 展开更多

关键词 电光效应 PZN—pt单晶 折射率 激光调制与偏转

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PMN-PT单晶铁电畴的扫描探针显微术 被引量：2

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作者 刘黎明 曾华荣 +2 位作者 李国荣 罗豪甦 殷庆瑞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期85-89,共5页

利用在商用原子力显微镜基础上自行建立的压电响应力显微术(PFM)和低频扫描探针声学显微术(LF-SPAM)系统地开展了PMN-PT弛豫铁电单晶铁电畴结构的高分辨率成像研究。成功地观察到了准同型相界附近不同组成的PMN-PT弛豫铁电单晶精细的纳... 利用在商用原子力显微镜基础上自行建立的压电响应力显微术(PFM)和低频扫描探针声学显微术(LF-SPAM)系统地开展了PMN-PT弛豫铁电单晶铁电畴结构的高分辨率成像研究。成功地观察到了准同型相界附近不同组成的PMN-PT弛豫铁电单晶精细的纳米铁电畴构型。首次获得了内应力诱导的"W"形状电畴结构的低频扫描探针声学像及其声成像频率特性,揭示了铁电畴的声成像机制源于不同极化取向铁电畴与探针互作用的接触刚性。 展开更多

关键词 PMN—pt单晶 铁电畴 扫描探针显微术 压电响应力显微术 低频扫描探针声学显微术

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电场下[001]_(cub)切型弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴的极化反转 被引量：2

12

作者 惠增哲 权国新 +1 位作者 龙伟 刘建康 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第2期158-161,共4页

为研究弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴在电场下的极化反转,利用偏光显微镜研究了电场下[001]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴组态的变化,建立了极化反转模型.在[001]_(cub)单晶切片中,当电场强度达到4kV/cm时,电畴开始极化反转,出现平行于电场方... 为研究弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴在电场下的极化反转,利用偏光显微镜研究了电场下[001]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴组态的变化,建立了极化反转模型.在[001]_(cub)单晶切片中,当电场强度达到4kV/cm时,电畴开始极化反转,出现平行于电场方向的畴壁,畴壁沿垂直自身的方向运动,畴壁的运动实际是畴的横向扩张;当电场强度增至6kV/cm时,畴壁消失,又出现垂直于电场方向的新畴壁;而电场强度进一步增至10kV/cm时,新畴壁也消失,且电畴消光,这表明多畴已单畴化. 展开更多

关键词 PMN-32pt单晶 电畴 极化反转 畴壁

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Pt单晶(210)、(310)和(510)阶梯晶面上CO_2电催化还原的表面过程 被引量：1

13

作者 范纯洁 樊友军 +2 位作者 甄春花 郑庆炜 孙世刚 《中国科学（B辑）》 CSCD 北大核心 2007年第2期143-147,共5页

研究Pt单晶(210)、(310)和(510)三个阶梯晶面上CO_2电催化还原的表面过程.通过改变处理条件获得单晶电极不同的表面结构.研究结果指出,当铂单晶电极表面保持其确定原子排列结构时,对CO2还原的电催化活性随晶面上(110)台阶密度的降低而减... 研究Pt单晶(210)、(310)和(510)三个阶梯晶面上CO_2电催化还原的表面过程.通过改变处理条件获得单晶电极不同的表面结构.研究结果指出,当铂单晶电极表面保持其确定原子排列结构时,对CO2还原的电催化活性随晶面上(110)台阶密度的降低而减小,即Pt(210)>Pt(310)>Pt(510);当三个电极表面发生氧的吸附导致原子排列结构重建时,其电催化活性均有不同程度的提高.虽然其活性顺序未发生变化,但(110)台阶位密度越大的表面其电催化活性增加的程度越高.研究指出Pt单晶电极的表面结构越开放,其电催化活性也越高,并且在外界条件诱导下更易于转变为具有更高反应活性的表面结构.而相对有序的表面结构则比较稳定.研究结果从微观层次获得CO2与Pt单晶电极表面相互作用的规律,深化了对CO2电催化还原表面过程的认识. 展开更多

关键词 pt单晶电极 阶梯晶面 CO2电催化还原 表面过程

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钛酸钡单晶沿垂直解理面方向的超高压电响应的研究 被引量：1

14

作者 初瑞清 徐志军 +5 位作者 李国荣 曾华荣 余寒峰 邵鑫 罗豪甦 殷庆瑞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期935-938,共4页

研究了钛酸钡单晶沿着解理面的压电响应 .首先发现在钛酸钡单晶中存在着解理面 ,当垂直这一解理面方向施加电场时 ,得到了超过 2 0 0 0pC N的超高压电常量d33.而这一d33值比沿着自发极化方向〈0 0 1〉方向施加电场得到的压电常量 (d33〈... 研究了钛酸钡单晶沿着解理面的压电响应 .首先发现在钛酸钡单晶中存在着解理面 ,当垂直这一解理面方向施加电场时 ,得到了超过 2 0 0 0pC N的超高压电常量d33.而这一d33值比沿着自发极化方向〈0 0 1〉方向施加电场得到的压电常量 (d33〈0 0 1〉=87pC N)高 2 0多倍 .而且 ,沿此方向在很低电场强度 (低于 1kV mm)下得到了高达 0 6 %的应变值 ,这一应变值是同等场强下PMN_PT单晶的 10倍之多 .这一结果无疑对发展无铅压电材料驱动器提供了一种新可能 . 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 解理 电场强度 钛酸钡 压电材料 常量 自发极化 压电响应 超高压 驱动器

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PMN-PT弛豫铁电单晶畴结构的压电响应力显微术研究 被引量：2

15

作者 曾华荣 余寒峰 +3 位作者 初瑞清 李国荣 罗豪 殷庆瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1322-1326,共5页

利用压电响应力显微术开展了PMN-PT弛豫铁电单晶铁电畴结构的三维极化取向成像、畴结构的不均匀性及极化状态稳定性机理的研究.揭示了纳米尺度畴结构的不均匀性源于纳米尺度极性微区的相互作用和无规场之间的共同调制,而单晶表面屏蔽电... 利用压电响应力显微术开展了PMN-PT弛豫铁电单晶铁电畴结构的三维极化取向成像、畴结构的不均匀性及极化状态稳定性机理的研究.揭示了纳米尺度畴结构的不均匀性源于纳米尺度极性微区的相互作用和无规场之间的共同调制,而单晶表面屏蔽电荷机制主要源于大气环境下水的溶解性吸附,该机制对PMN-PT单晶中畴状态的稳定性及材料最佳性能的发挥起着重要作用. 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 铁电畴 压电响应力显微术

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Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文) 被引量：1

16

作者 Rubén Gisbert Víctor Climent +1 位作者 Enrique Herrero Juan M.Feliu 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期410-426,共17页

本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别... 本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别对应于不同的沉积位点.较正电位的峰对应于Cu在台阶面上的电沉积,而在台阶处Cu的电沉积则因溶液中的阴离子而具有不同的伏安性质.此外,还发现Pt电极表面的Cu沉积电荷转移数接近2e,且沉积初始阶段阴离子覆盖度不变. 展开更多

关键词 pt单晶电极 CU 欠电位沉积 台阶修饰

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基于PMN-PT单晶的双通道热释电红外气体探测器 被引量：1

17

作者 赵静 朱荣峰 +4 位作者 张梦圆 冯培贵 陈建伟 焦杰 罗豪甦 《红外》 CAS 2021年第6期7-11,共5页

锰离子掺杂铌镁酸铅-钛酸铅(Mn∶Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3),Mn∶PMN-PT)弛豫铁电单晶在近、中红外波段具有较高的光透过率。通过在其表面上沉积具有宽光谱平坦吸收特性的红外吸收层,制备了热释电红外响应元。对该材料吸收红... 锰离子掺杂铌镁酸铅-钛酸铅(Mn∶Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3),Mn∶PMN-PT)弛豫铁电单晶在近、中红外波段具有较高的光透过率。通过在其表面上沉积具有宽光谱平坦吸收特性的红外吸收层,制备了热释电红外响应元。对该材料吸收红外辐射后产生的温度差以及热释电电流随频率的变化进行了模拟。讨论了电压模式热释电探测器的响应特性及其影响因素。进一步制备了基于Mn∶PMN-PT单晶的双通道补偿型热释电红外探测器。经实验得到的频率响应结果与模拟数据吻合,因此该探测器适用于基于非分散红外(Non-Dispersive Infrared,NDIR)原理的气体探测。 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 热释电 红外 NDIR

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分凝对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-38%PbTiO_3单晶的成分及介电、压电性能的影响

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作者 曹虎 方必军 +1 位作者 徐海清 罗豪甦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期50-56,共7页

研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响.XRFA分析表明,PMNT62/38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol％,而顶部的PT含量为43mol％.底部晶体(001... 研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响.XRFA分析表明,PMNT62/38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol％,而顶部的PT含量为43mol％.底部晶体(001),(110)和(111)三种切型的晶片加电场极化后,其介电和压电性能出现了异常的现象.(110)切型的压电模量最大,为1200pC/N;(111)次之,为789pC/N;(001)最低,为371pC/N.极化后的(110)和(111)晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数(两种切型的εr都在10000左右),约为(001)晶片(εr-5000)的1倍,并且介电常数在低温端有上升的趋势. 展开更多

关键词 PMN-pt单晶 分凝 切型 压电性能 铁电体 介电性能 钛酸铅

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掺铁Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3单晶的生长及性能研究 被引量：1

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作者 唐艳学 罗豪甦 赵祥永 《科学通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第17期2483-2488,共6页

采用改进的布里奇曼法(坩埚下降法)生长了掺0.3%(摩尔分数)Fe的0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3(PMN-0.26PT)单晶.系统研究了该单晶的生长、结构、介电和热释电性能,并与纯PMN-0.26PT单晶进行了比较.研究发现,掺杂晶体的畴宽度明显大... 采用改进的布里奇曼法(坩埚下降法)生长了掺0.3%(摩尔分数)Fe的0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3(PMN-0.26PT)单晶.系统研究了该单晶的生长、结构、介电和热释电性能,并与纯PMN-0.26PT单晶进行了比较.研究发现,掺杂晶体的畴宽度明显大于纯晶体;单晶的矫顽场和剩余极化都明显增大;在居里温度以下,介温谱上出现两个大的异常,温度较纯晶体更接近于室温.实验结果表明,掺杂离子通过缺陷偶极对2Fe′Ti-VO??对畴起钉扎作用,增加了晶体的矫顽场,降低了晶体的介电常数和介电损耗,提高了晶体的探测优值,并保持高的电压响应优值,这对PMN-PT单晶的实际应用非常有利.这种高性能的热释电和压电单晶的掺杂改性研究将会更好地增进对其高性能本质的理解. 展开更多

关键词 PMN-0.26pt单晶 掺铁 热释电

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PZN-9PT单晶生长及电学性能研究 被引量：1

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作者 惠增哲 尹珂 +2 位作者 龙伟 刘健康 王强 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第4期356-359,共4页

弛豫铁电单晶是目前电子材料研究的热点,而制备技术是解决该材料应用的关键.为了考察PZN-9PT晶体的生长形态、结构和性能,本文采用高温溶液法生长了PZN-9PT单晶,采用XRD表征了其相结构,采用相关电学性能测试方法表征了其介电、压电、电... 弛豫铁电单晶是目前电子材料研究的热点,而制备技术是解决该材料应用的关键.为了考察PZN-9PT晶体的生长形态、结构和性能,本文采用高温溶液法生长了PZN-9PT单晶,采用XRD表征了其相结构,采用相关电学性能测试方法表征了其介电、压电、电滞回线和机电耦合系数等电学性能.研究结果表明,采用高温溶液法可以制备出纯钙钛矿结构的PZN-9PT单晶,晶体呈淡黄色多面体形态,其三方-四方相转变温度为89℃,居里温度为175℃,[110]切型PZN-9PT单晶的压电常数为339 pC/N,矫顽场为8.7 kV/cm. 展开更多

关键词 PZN-9pt单晶 高温溶液法 介电 压电

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