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从量子点的角度审视碳点的研究进展 被引量:15
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作者 刘艳红 张东旭 +4 位作者 毛宝东 黄慧 刘阳 谭华桥 康振辉 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1349-1365,共17页
碳点不仅具有类似于传统量子点的强发光和小尺寸特性,还表现出传统量子点无法比拟的水相分散性和生物相容性等优势.作为量子点领域的一个新兴分支,碳点的结构、合成化学和光电性质与传统量子点显著不同,也为量子点的发展提供了新的机遇... 碳点不仅具有类似于传统量子点的强发光和小尺寸特性,还表现出传统量子点无法比拟的水相分散性和生物相容性等优势.作为量子点领域的一个新兴分支,碳点的结构、合成化学和光电性质与传统量子点显著不同,也为量子点的发展提供了新的机遇和挑战.随着碳点领域的迅速发展和不断深化,越来越有必要在一些基本概念上与传统量子点比较,并从传统量子点的角度澄清碳点的独特特征和关键挑战.本综述主要聚焦于基本结构、合成化学、光学性质和应用研究等四个方面,从传统量子点基础概念的角度来重新审视碳点领域的研究进展和挑战. 展开更多
关键词 碳点 传统量子点 光学性质 生物应用 光电器件 催化
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基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管 被引量:4
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作者 吴佳骏 谢生 +1 位作者 毛陆虹 朱帅宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-6,共6页
基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概... 基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11 A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%. 展开更多
关键词 光电器件 单光子雪崩二极管 CMOS工艺 深n阱 保护环 响应度 光子探测效率
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忆阻器类脑芯片与人工智能 被引量:3
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作者 陈子龙 程传同 +4 位作者 董毅博 张欢 张恒杰 毛旭瑞 黄北举 《微纳电子与智能制造》 2019年第4期58-70,共13页
现阶段计算与存储分离的"冯·诺依曼"体系在功耗和速率方面已经不能满足人工智能、物联网等新技术的发展需求,存算一体化的类脑计算方案有望解决这一问题,迅速成为研究热点。忆阻器是一种新型微电子基础器件,其电阻可通... 现阶段计算与存储分离的"冯·诺依曼"体系在功耗和速率方面已经不能满足人工智能、物联网等新技术的发展需求,存算一体化的类脑计算方案有望解决这一问题,迅速成为研究热点。忆阻器是一种新型微电子基础器件,其电阻可通过外场连续调节且具有非易失性、小尺寸、低能耗、高速和CMOS兼容等优良特性,被认为是快速实现存算一体化计算最具潜力的类突触器件。与此同时,光电子器件和神经元遵从动力学数学同构性,借助这种同构性可用光电子器件模拟神经元行为并实现类脑计算,基于光子器件的类脑芯片正在往更高集成度、更低功耗、更高性能方向发展,其将会在类脑计算领域发挥越来越重要的作用。介绍忆阻器材料和器件方面的研究进展,具体包括石墨烯材料低温生长,小尺寸钙钛矿忆阻器件、Parylene忆阻器件、WTiO_x忆阻器件以及光子集成类突触器件及芯片等方面研究,并讨论忆阻器在类脑芯片和人工智能领域的应用前景。 展开更多
关键词 忆阻器 光电子器件 类脑芯片 人工智能
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背电场硅太阳能电池离子辐照效应
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作者 陈晔 李世清 +1 位作者 鄢和平 王仁卉 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期51-55,65,共6页
空间太阳能电池受电子、质子 ,以及重离子辐照后 ,要受到损伤。文章对背电场硅太阳能电池低能质子、高能质子、碳、氧离子辐照效应进行了研究。对辐照前后太阳能电池光电参数进行测量 ,并用Mante-Carlo方法对辐照粒子在硅中的能量损失... 空间太阳能电池受电子、质子 ,以及重离子辐照后 ,要受到损伤。文章对背电场硅太阳能电池低能质子、高能质子、碳、氧离子辐照效应进行了研究。对辐照前后太阳能电池光电参数进行测量 ,并用Mante-Carlo方法对辐照粒子在硅中的能量损失过程进行了模拟计算。结果表明 ,各种离子辐照对太阳能电池的损伤是不同的。低能质子对开路电压的损伤比对短路电压的损伤大得多 ,而高能质子对开路电压的损伤较低能质子的反而要小 ,对短路电流的影响则明显大于低能质子的 ,我们同时也对碳、氧离子与质子造成的损伤进行了比较。 展开更多
关键词 光电器件 太阳能电池 辐照效应 特性测试
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量子点-聚合物纳米复合材料的光电器件研究进展 被引量:2
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作者 陈星帆 李斌 +1 位作者 李学铭 唐利斌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期406-420,共15页
量子点因具有优异的光电特性,近年来备受关注。但量子点的规模化应用因受到其加工工艺及稳定性等因素限制而尚待开发。量子点-聚合物纳米复合材料的出现有效弥补了这一问题,将量子点分散到有机聚合物中形成纳米复合材料,集合量子点与聚... 量子点因具有优异的光电特性,近年来备受关注。但量子点的规模化应用因受到其加工工艺及稳定性等因素限制而尚待开发。量子点-聚合物纳米复合材料的出现有效弥补了这一问题,将量子点分散到有机聚合物中形成纳米复合材料,集合量子点与聚合物的各自优势于一体,是解决量子点当前应用问题的一种有效方法,具有显著的发展潜力。文中介绍了量子点的主要制备技术,并在此基础上对量子点-聚合物复合材料的制备方法及其在激光器、发光二极管、光电探测器、量子点电视等光电子器件中的应用进展进行了概述,最后对其在光电器件领域的应用进行了展望。 展开更多
关键词 量子点 聚合物 纳米复合材料 制备方法 光电器件
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新型无铅AgBiS_(2)纳米材料合成及在光电器件领域研究进展
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作者 谭李睿泽 暴净净 +6 位作者 马婷 石宇星 邱桂兰 施玮 苏小丽 曾涛 陈云霞 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1-8,16,共9页
近年来,纳米尺度半导体材料由于其独特的物理化学性质在光电应用领域受到了广泛关注。在众多种类的纳米半导体材料中,I-Ⅲ-VI_(2)/I-V-VI_(2)族三元金属硫化物由于其带隙易调、能通过化学计量比调控能带结构、毒性较低、原料来源广泛以... 近年来,纳米尺度半导体材料由于其独特的物理化学性质在光电应用领域受到了广泛关注。在众多种类的纳米半导体材料中,I-Ⅲ-VI_(2)/I-V-VI_(2)族三元金属硫化物由于其带隙易调、能通过化学计量比调控能带结构、毒性较低、原料来源广泛以及价格低廉等特点引起许多研究者的研究兴趣。其中AgBiS_(2)作为该材料体系代表之一,具有合适的带隙、较高的吸收系数、耐潮湿等优异等特性,作为光电器件有源层材料具有较好的发展前景。首先结合AgBiS_(2)材料结构基本性质对其光电特性进行阐述,总结应用于光电领域的AgBiS_(2)纳米材料多样合成钝化处理途径及其在光电应用领域最新进展,并对其未来发展过程可能遇到的问题进行探讨。 展开更多
关键词 银铋硫 纳米半导体材料 光电器件
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CCD光标式微电流计 被引量:1
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作者 郑洪 汪东红 《光电工程》 CAS CSCD 1998年第3期66-69,共4页
介绍了一种使用CCD线阵光敏器件的数字化微电流测量仪器,其灵敏度:1×10-11A/字,测量范围:2000字,精度:±1字。对仪器的光机电结构作了扼要介绍,并阐述了电路工作原理。
关键词 检流计 光电器件 CCD阵列 单片机
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光电器件在色敏传感器中的应用 被引量:1
8
作者 冉榴红 《光电子技术》 CAS 1994年第3期177-182,共6页
介绍了各种用于色敏器件的光电器件。认为利用一些硅滤色片和N^+—N—P结光敏二极管可以组成具有分光性能的色敏器件,这种器件具有体积小、寿命长、可以在恶劣环境下工作等优点。
关键词 色敏传感器 光敏器件 光电器件
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增强型CCD微光图象探测灵敏阈研究
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作者 魏泽斌 邹异松 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1991年第4期51-56,共6页
讨论了电子轰击型CCD摄象过程的数学模型,在此基础上建立了其微光图象探测灵敏阈方程。理论计算与实验结果很好吻合.分析结果后,提出了提高电子轰击型CCD微光图象探测能力的主要技术途径。
关键词 光电器件 灵敏阈 CCD成象器件 EBS-CCD器件 微光图偈探测 信噪比转移函数
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Gap-LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响
10
作者 甘润今 王德明 张福甲 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期329-332,共4页
报道了具有双n型结构的GaP绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中,对硫(S)掺杂浓度的控制和监测方法,并研究了掺S浓度对发光效率的影响。
关键词 光电器件 半导体工艺 特性测试 发光效率
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导电聚合物 被引量:59
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作者 李永舫 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2002年第3期207-211,共5页
导电聚合物是 2 0世纪 70年代发展起来的一个研究领域 ,因其诱人的应用前景受到广泛重视。本文介绍了导电聚合物的发现和发展历史 ,综述了导电聚合物的结构和掺杂特征、制备方法、电导和电化学特性及其本征态共轭聚合物的光电特性。
关键词 导电聚合物 共轭聚合物 掺杂 电导 电化学性质 光电子器件 结构
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Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials 被引量:5
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作者 PENG Yingcai ZHAO Xinwei FU Guangsheng 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2002年第15期1233-1242,共10页
Si-based nanomaterials are some new photo-elctronic and informational materials developed rapidly in recent years, and they have potential applications in the light emitting devices, e.g. Si light emitting diode, Si l... Si-based nanomaterials are some new photo-elctronic and informational materials developed rapidly in recent years, and they have potential applications in the light emitting devices, e.g. Si light emitting diode, Si laser and integrated Si-based photoelectronics. Among them are nano-scale porous silicon (ps), Si nanocrystalline embedded SiO2 (SiOx, x 【 2.0) matrices, Si nanoquantum dot and Si/SiO2 superlattice, etc. At present, there are various indications that if these materials can achieve efficient and stable luminescence, which are photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL), it is possible for them to lead to a new informational revolution in the early days of the 21st century. In this article, we will mainly review the progress of study on Si-based nanomaterials in the past ten years. The involved contents are the fabricated methods, structural characterizations and light emitting properties. Finally, we predicate the developed tendency of this field in the following ten years. 展开更多
关键词 Si-based NANOMATERIALS fabricated method STRUCTURAL characterization LIGHT EMITTING mechanism Si-based photoelectronic devices.
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点状PN结中的光电转换
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作者 尹长松 黄黎蓉 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期47-50,60,共5页
用N型硅单晶材料制作了点状PN结光电二极管 ,对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算 ,在同样的光辐射下 ,点状PN结光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的 2 0 0倍以上。分析表明 ,在光探测机制上... 用N型硅单晶材料制作了点状PN结光电二极管 ,对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算 ,在同样的光辐射下 ,点状PN结光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的 2 0 0倍以上。分析表明 ,在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换 ,更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状PN结光照电流的测量 ,可以确定在衬底材料中光生少子的扩散长度。 展开更多
关键词 半导体光电器件 光敏二极管 光电转换 PN结
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磷烯制备及应用的研究进展 被引量:5
14
作者 覃信茂 窦忠宇 +1 位作者 陈少波 陈英 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第5期7-10,共4页
本文结合当前国内外磷烯的研究进展,分别介绍了机械剥离法、液相剥离法及化学合成法等磷烯制备方法,并针对其优缺点进行分析讨论;还结合了磷烯的结构和特性,概括了磷烯在场效应晶体管、光电子器件等领域内的应用,并展望了未来磷烯的主... 本文结合当前国内外磷烯的研究进展,分别介绍了机械剥离法、液相剥离法及化学合成法等磷烯制备方法,并针对其优缺点进行分析讨论;还结合了磷烯的结构和特性,概括了磷烯在场效应晶体管、光电子器件等领域内的应用,并展望了未来磷烯的主要研究方向。 展开更多
关键词 磷烯 制备 综述 场效应晶体管 光电子器件 薄层黑磷
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一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析 被引量:4
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作者 冯松 薛斌 +3 位作者 李连碧 翟学军 宋立勋 朱长军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期90-97,共8页
PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗... PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗.为了进一步研究这种新型调制器结构的调制机理,本文从单异质结能带理论出发,定量分析了该新型结构中双异质结的势垒高度变化,给出了双异质结势垒高度的定量公式;将新型结构与SiGe-OI和SOI两种PIN电学调制结构进行能带对比,分析了该新型结构载流子注入增强的原因;最后模拟了新型结构的能带分布,以及能带和调制电压与注入载流子密度的关系.与SiGe-OI和SOI两种PIN电学调制结构进行对比发现,1 V调制电压下,新型结构的载流子密度达到了8×10^(18)cm^(-3),比SOI结构的载流子密度高了800%,比SiGe-OI结构的载流子密度高了340%,进一步说明了该新型结构的优越性,并且验证了理论分析的正确性. 展开更多
关键词 光电子器件 电光调制器 锗硅 异质结能带
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纳米纤维素的光电子性能及器件应用综述
16
作者 徐雪珠 蒙紫薇 周国富 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期192-205,共14页
纳米纤维素是一种近年来发展迅猛的具有胶体活性的材料,它具有携带可控电荷基团、化学活性高、光学活性高、质量轻、价格低及环境友好等特点,正在快速占领导电材料、显示器、传感器、晶体管、射频器件、发电机、发光二极管等光电子器件... 纳米纤维素是一种近年来发展迅猛的具有胶体活性的材料,它具有携带可控电荷基团、化学活性高、光学活性高、质量轻、价格低及环境友好等特点,正在快速占领导电材料、显示器、传感器、晶体管、射频器件、发电机、发光二极管等光电子器件及关键材料领域的重要地位。目前,纳米纤维素在光电子材料器件的应用依然存在不少挑战,且纳米纤维素的光电子性能及其器件也未见报道。诸多科学问题和技术难点包括如何从纤维素出发赋予该种光电子新材料性能(胶体颗粒维度、化学基团、亲水性)、如何满足光电子器件结构加工对材料性能的要求、如何明确材料物理化学性质与器件制备的关联机制等需要总结和讨论。本文简单介绍了具有代表性的几种纳米纤维素的制备和特性,着重介绍了纳米纤维素的光电子特性,如光学透过性、光学干涉、散射、液晶手性特性等,列举和讨论了纳米纤维素在太阳能电池基板、智能响应反射涂层、光纤等领域的应用和存在的问题。本文有助于建立纳米纤维素关于制备、微观形貌特征、胶体颗粒尺度效应、关键物化特性和光电子器件性能之间的逻辑关系,可确定构建纳米纤维素相关的新器件结构的设计准则和理论根据,还可为纳米纤维素在乳液、薄膜、模板材料、储能器、电极、纸电子、传感器和致动器等方面的产业化应用提供必要的技术指导。 展开更多
关键词 纳米纤维素 纤维素纳米纤维 纤维素纳米晶 光学性能 光电子器件
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红外发光二极管光电特性的测试分析 被引量:3
17
作者 张君和 陈运芳 +1 位作者 张淑霞 陶有珠 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期269-272,共4页
讨论商品红外发光二极管光输入功率的离散性问题。
关键词 光电器件 红外发光二极管 特性测试
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光电器件用铟锡氧化物ITO薄膜的制备及特性研究 被引量:2
18
作者 周之斌 张亚增 +1 位作者 张立昆 杜先智 《安徽师大学报》 1995年第2期66-69,共4页
本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ITO)铟锡氧化物薄膜。电阻率~10 ̄(-2)Ωcm,可见光区几乎透明,透射率达94%(6328A单色光源)。采用X光衍射和SEM技术分析了氧化热处理前后薄膜... 本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ITO)铟锡氧化物薄膜。电阻率~10 ̄(-2)Ωcm,可见光区几乎透明,透射率达94%(6328A单色光源)。采用X光衍射和SEM技术分析了氧化热处理前后薄膜中组份及微结构的变化。ITO/p-Si异质结在日照下(AM1.5,100mw/cm ̄2)开路电压达180mv,该方法制各的ITO膜可作为光电接收电极层有效地应用在各类光电器件上。 展开更多
关键词 制备 薄膜 光电器件 铟锡氧化物
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波状PIN电光调制结构 被引量:2
19
作者 冯松 薛斌 +3 位作者 李连碧 宋立勋 翟学军 朱长军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期236-243,共8页
PIN是电光调制器中常见的一种调制结构,该结构工作时产生的热光效应直接影响着电光调制器的性能。为了缓解这种热光效应对调制器的影响,从PIN调制原理出发,在绝缘体上硅薄膜(SOI)材料的基础上提出了一种波状PIN调制结构,并将该结构与普... PIN是电光调制器中常见的一种调制结构,该结构工作时产生的热光效应直接影响着电光调制器的性能。为了缓解这种热光效应对调制器的影响,从PIN调制原理出发,在绝缘体上硅薄膜(SOI)材料的基础上提出了一种波状PIN调制结构,并将该结构与普通PIN调制结构进行对比,定量分析了波状PIN结构对温度、折射率以及调制区载流子浓度的影响,通过仿真得出2V调制电压下,波状PIN结构的温度降低了11.6%,抑制热光效应使得折射率漂移减小了28%,调制区注入载流子浓度提高了26.7%。通过实验,分别制作了波状PIN结构和普通PIN结构的微环电光调制器,经过测试发现波状PIN结构具有更大的谐振峰蓝移值,该结构有效抑制了热光效应的影响,证明了该新型结构的优越性及理论分析的正确性。 展开更多
关键词 物理光学 光电子器件 电光调制器 波状 热光效应
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硅基锗薄膜的选择性外延生长 被引量:2
20
作者 吴细鹏 王桂磊 +4 位作者 李志华 唐波 张青竹 吴次南 闫江 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第2期136-141,共6页
采用减压化学气相沉积(RPCVD)系统,通过调节GeH4和刻蚀性气体HCl的通入速率,在Si/SiO2图形衬底上利用40 nm薄低温Ge缓冲层选择性外延生长Ge薄膜,然后H2退火20 min以减少外延Ge层中的位错及缺陷。采用化学腐蚀方法检查位错坑密度,利用扫... 采用减压化学气相沉积(RPCVD)系统,通过调节GeH4和刻蚀性气体HCl的通入速率,在Si/SiO2图形衬底上利用40 nm薄低温Ge缓冲层选择性外延生长Ge薄膜,然后H2退火20 min以减少外延Ge层中的位错及缺陷。采用化学腐蚀方法检查位错坑密度,利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)方法表征分析了外延Ge晶体质量。测试结果表明,图形衬底上直径为10μm的圆形区域外延Ge位错密度低至1.3×10~6/cm^2,约1.5μm厚外延Ge层衍射峰的半高宽平均为240 arcsec,化学机械抛光(CMP)工艺后用AFM测得Ge膜表面粗糙度低至0.2 nm,该工艺方法制备的锗薄膜材料将有望集成应用于硅基探测器等硅基光电器件。 展开更多
关键词 减压化学气相沉积(RPCVD) 选择性外延 锗(Ge) 硅基探测器 光电器件
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