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Pb(Zr
0.53
Ti
0.47
)O
3
/Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）
被引量：
1
1
作者
沈波
李卫平
+10 位作者
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
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关键词
C-V特性
pb
(
zrti
)
o
3
铁电薄膜
ALXGA1-XN/GAN
下载PDF
职称材料
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
2
作者
沈波
李卫平
+10 位作者
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期57-60,共4页
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
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关键词
C-V特性
pb
(
zrti
)
o
3
铁电薄膜
ALXGA1-XN/GAN
下载PDF
职称材料
题名
Pb(Zr
0.53
Ti
0.47
)O
3
/Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）
被引量：
1
1
作者
沈波
李卫平
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
机构
南京大学物理系
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期57-60,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1)
国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)
+1 种基金
国家高技术研究和发展项目
日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
文摘
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
关键词
C-V特性
pb
(
zrti
)
o
3
铁电薄膜
ALXGA1-XN/GAN
Keywords
C
V
pr
o
perty
pb
(
zrti
)
o
3
ferroelectric
film
Al
xGa
1-xN/GaN
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
2
作者
沈波
李卫平
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
机构
南京大学物理系
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期57-60,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1)
国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)
+1 种基金
国家高技术研究和发展项目
日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
文摘
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
关键词
C-V特性
pb
(
zrti
)
o
3
铁电薄膜
ALXGA1-XN/GAN
Keywords
C
V
pr
o
perty
pb
(
zrti
)
o
3
ferroelectric
film
Al
xGa
1-xN/GaN
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Pb(Zr
0.53
Ti
0.47
)O
3
/Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）
沈波
李卫平
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
沈波
李卫平
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
已选择
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