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电子封装基片材料研究进展 被引量：52
1
作者 张强 孙东立 武高辉 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 2000年第4期66-72,共7页
阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求 ,分析了电子封装用陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料的性能特点 ,论述了电子封装基片材料的研究现状 。
关键词 电子封装 性能 基片材料 陶恣 环氧玻璃 金钢石
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电子封装用陶瓷基片材料的研究进展 被引量：31
2
作者 张兆生 卢振亚 陈志武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期16-20,共5页
简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC... 简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AlN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料。介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点。 展开更多
关键词 电子封装 陶瓷基片 共烧 流延
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电子封装陶瓷基片材料研究现状 被引量：17
3
作者 郝洪顺 付鹏 +1 位作者 巩丽 王树海 《陶瓷》 CAS 2007年第5期24-27,共4页
阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了几种常用的陶瓷基片材料的性能特点,论述了电子封装陶瓷基片材料的研究现状,并指出了发展方向。
关键词 电子封装 陶瓷基片 性能 研究现状
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电子封装基板材料研究进展及发展趋势 被引量：21
4
作者 曾小亮 孙蓉 +2 位作者 于淑会 许建斌 汪正平 《集成技术》 2014年第6期76-83,共8页
基板材料在电子封装中主要起到半导体芯片支撑、散热、保护、绝缘及与外电路互连的作用。随着电子封装技术向着高频高速、多功能、高性能、小体积和高可靠性方向发展,电子封装基板材料在新一代电子封装材料中发挥着越来越重要的作用。... 基板材料在电子封装中主要起到半导体芯片支撑、散热、保护、绝缘及与外电路互连的作用。随着电子封装技术向着高频高速、多功能、高性能、小体积和高可靠性方向发展,电子封装基板材料在新一代电子封装材料中发挥着越来越重要的作用。科学与工业界对电子封装基板材料提出了更高的要求,同时也促进了电子封装基板材料飞速发展。文章分别针对三大类基板材料:陶瓷基板、复合材料基板和有机基板的特点、发展现状及未来发展趋势进行了阐述。 展开更多
关键词 电子封装 基板材料 陶瓷基板 复合材料基板 有机基板
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陶瓷基板研究现状及新进展 被引量：21
5
作者 陆琪 刘英坤 +2 位作者 乔志壮 刘林杰 高岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期257-268,共12页
近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点。为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密... 近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点。为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用。首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战。 展开更多
关键词 电子封装 陶瓷材料 陶瓷基板 低温共烧陶瓷(LTCC) 高温共烧陶瓷(HTCC)
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功率型LED散热基板的研究进展 被引量：18
6
作者 陈强 谭敦强 +1 位作者 余方新 陈发勤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第23期61-64,72,共5页
在与传统LED散热基板散热性能比较的基础上,分析了国内外功率型LED散热基板的研究现状,介绍了金属芯印刷电路板、陶瓷基板、金属绝缘基板和金属基复合基板的结构特点、导热性能及封装应用,指出了功率型LED基板材料的发展趋势及需要解决... 在与传统LED散热基板散热性能比较的基础上,分析了国内外功率型LED散热基板的研究现状,介绍了金属芯印刷电路板、陶瓷基板、金属绝缘基板和金属基复合基板的结构特点、导热性能及封装应用,指出了功率型LED基板材料的发展趋势及需要解决的问题。 展开更多
关键词 封装技术 功率型LED 基板材料 散热
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大功率LED封装基板技术与发展现状 被引量：12
7
作者 吴朝晖 程浩 +2 位作者 章军 罗素扑 陈明祥 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期1-6,12,共7页
散热是大功率LED封装的关键技术之一,散热基板的选用直接影响到LED器件的使用性能与可靠性。文章详细介绍了LED封装基板的发展现状,对比分析了树脂基板、金属基板、陶瓷基板、硅基板的结构特点与性能。最后预测了今后大功率LED基板的发... 散热是大功率LED封装的关键技术之一,散热基板的选用直接影响到LED器件的使用性能与可靠性。文章详细介绍了LED封装基板的发展现状,对比分析了树脂基板、金属基板、陶瓷基板、硅基板的结构特点与性能。最后预测了今后大功率LED基板的发展趋势及需要解决的问题。 展开更多
关键词 功率型LED 封装基板 散热 光引擎
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SIP封装工艺 被引量：10
8
作者 王阿明 王峰 《电子与封装》 2009年第2期11-15,共5页
系统级封装(SIP)技术从20世纪90年代初提出到现在,经过十几年的发展,已经被学术界和工业界广泛接受,成为电子技术研究新热点和技术应用的主要方向之一,并认为它代表了今后电子技术发展的方向,SIP封装工艺作为SIP封装技术的重要组成部分... 系统级封装(SIP)技术从20世纪90年代初提出到现在,经过十几年的发展,已经被学术界和工业界广泛接受,成为电子技术研究新热点和技术应用的主要方向之一,并认为它代表了今后电子技术发展的方向,SIP封装工艺作为SIP封装技术的重要组成部分,这些年来在不断的创新中得到了长足的发展,逐渐形成了自己的技术体系,值得从事相关技术行业的技术人员和学者进行研究和学习,文章从封装工艺角度出发,对SIP封装制造进行了详细的介绍,另外也对其工艺要点进行了详细的探讨。 展开更多
关键词 封装工艺 表面处理 封装基板
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CSP封装技术 被引量：9
9
作者 郭大琪 华丞 《电子与封装》 2003年第4期14-19,共6页
CSP技术是最近几年才发展起来的新型集成电路封装技术。应用CSP技术封装的产品封装密度高,性能好,体积小,重量轻,与表面安装技术兼容,因此它的发展速度相当快,现已成为集成电路重要的封装技术之一。目前已开发出多种类型CSP,品种多达10... CSP技术是最近几年才发展起来的新型集成电路封装技术。应用CSP技术封装的产品封装密度高,性能好,体积小,重量轻,与表面安装技术兼容,因此它的发展速度相当快,现已成为集成电路重要的封装技术之一。目前已开发出多种类型CSP,品种多达100多种;另外,CSP产品的市场也是很大的,并且还在不断扩大。但是CSP技术、CSP产品市场是国外的或国外公司的。我们需要开发我们的CSP技术,当然,开发CSP技术难度比较大,需要的资金多,因此需要国内多个部门协作,以及国家投入较多的资金。 展开更多
关键词 芯片尺寸封装 封装技术 表面安装技术 基片
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泡罩包装技术分析 被引量：8
10
作者 洪亮 程利伟 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期73-75,共3页
泡罩包装是应用广泛、发展迅速的软包装形式之一。介绍了泡罩包装的特点和基本结构,阐述了泡罩包装的工艺流程,分析了泡罩包装机种类和工作流程。预计泡罩包装在包装印刷行业将扮演越来越重要的角色。
关键词 泡罩包装 衬底 塑料薄片
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大功率LED封装基板研究进展 被引量：9
11
作者 王文君 王双喜 +2 位作者 张丹 黄永俊 李少杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第17期44-50,共7页
随着大功率LED向高电流密度、高光通量发展,热流密度猛增使得LED散热问题日益严重。封装基板对LED的散热至关重要。在简介LED的封装结构及散热方式的基础上,分析总结了常见封装基板材料的性能参数,并对目前市场常见封装基板MCPCB、DBC、... 随着大功率LED向高电流密度、高光通量发展,热流密度猛增使得LED散热问题日益严重。封装基板对LED的散热至关重要。在简介LED的封装结构及散热方式的基础上,分析总结了常见封装基板材料的性能参数,并对目前市场常见封装基板MCPCB、DBC、DAB、DPC、LTCC、HTCC、Al/SiC以及最近出现的新型材料基板的特征、制造工艺、应用等进行了综述。 展开更多
关键词 大功率LED 散热方式 封装基板
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碳化硅器件挑战现有封装技术 被引量：9
12
作者 曹建武 罗宁胜 +2 位作者 Pierre Delatte Etienne Vanzieleghem Rupert Burbidge 《电子与封装》 2022年第2期12-24,共13页
碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide... 碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。 展开更多
关键词 功率器件 碳化硅 封装技术 连接技术 电力牵引驱动系统 基板 散热底板 热膨胀系数
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数字处理器SiP封装工艺设计 被引量：7
13
作者 李悦 《电子工艺技术》 2015年第2期86-88,93,共4页
由于系统小型化要求,数字处理分机由原来的机箱缩小为一个表贴器件。通过选用裸芯片采用SIP封装的形式,把集成电路ADC芯片、ASIC、存储芯片和各类无源元件如电容、电感等集成到一个多层基板上。以现有混合集成技术为基础,主要研究器件... 由于系统小型化要求,数字处理分机由原来的机箱缩小为一个表贴器件。通过选用裸芯片采用SIP封装的形式,把集成电路ADC芯片、ASIC、存储芯片和各类无源元件如电容、电感等集成到一个多层基板上。以现有混合集成技术为基础,主要研究器件装配工艺选择,对于关键器件,采用电磁仿真软件模拟装配方式对性能的影响。通过有限元仿真,分析芯片的散热需求;并详细探讨了基板材料对封装器件散热的影响。 展开更多
关键词 封装工艺 仿真 封装基板
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基于TSV硅转接板封装结构的力学可靠性分析 被引量：6
14
作者 杨静 王波 刘勇 《电子与封装》 2019年第10期4-7,12,共5页
TSV硅转接板是3D IC封装技术的一项重要应用,其力学可靠性是影响系统集成的关键问题。以某TSV硅转接板封装结构为对象,采用有限元方法开展了封装、服役过程中应力应变特性和热疲劳寿命研究,分析了基板材料对封装结构力学可靠性的影响,... TSV硅转接板是3D IC封装技术的一项重要应用,其力学可靠性是影响系统集成的关键问题。以某TSV硅转接板封装结构为对象,采用有限元方法开展了封装、服役过程中应力应变特性和热疲劳寿命研究,分析了基板材料对封装结构力学可靠性的影响,提出了基板材料优选思路。论文提出的分析方法可用作此类封装结构设计优化以及结构力学可靠性初步验证的手段,可以提高设计效率,缩短研制周期。 展开更多
关键词 封装 硅转接板 焊球 基板 热疲劳寿命
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照明用大功率发光二极管封装材料的优化设计 被引量：5
15
作者 刘一兵 戴瑜兴 黃志刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期663-666,共4页
根据传热理论,建立了大功率发光二极管的有限元模型.选择了4种键合材料(高导热导电银胶、纳米银焊膏,大功率芯片键合胶、Sn70Pb30),4种基板材料(Al2O3、AlN、Al-SiC、铜钼合金).采用ANSYS有限元热分析软件进行了温度场仿真,得到了大功... 根据传热理论,建立了大功率发光二极管的有限元模型.选择了4种键合材料(高导热导电银胶、纳米银焊膏,大功率芯片键合胶、Sn70Pb30),4种基板材料(Al2O3、AlN、Al-SiC、铜钼合金).采用ANSYS有限元热分析软件进行了温度场仿真,得到了大功率发光二极管封装材料的最优选择.研究了基板厚度、芯片输出功率及外接热沉时对发光二极管结温的影响.结果表明:纳米银焊膏-AlN组合具有最优的散热效果;增加散热基板厚度提高散热能力的作用不大;单个发光二极管输出功率有限,应优化封装结构并采用多芯片阵列来满足照明级的需要;外接铝热沉能达到理想的散热效果. 展开更多
关键词 大功率发光二极管 封装 键合材料 基板材料 ANSYS 优化
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半加成工艺基板介质层与电镀铜层结合力研究 被引量：1
16
作者 杨智勤 吴世强 +2 位作者 陆然 熊佳 魏炜 《印制电路信息》 2024年第S01期234-240,共7页
半加成工艺(Semi-Additive process,简称SAP工艺)具有加工图形线路精细、产品可靠性高、可加工层数多等优点,主要用于制造高阶封装基板产品,如倒装芯片球栅格阵列封装(FlipChip Ball Grid Array,简称FC-BGA)产品。目前SAP工艺介质层主... 半加成工艺(Semi-Additive process,简称SAP工艺)具有加工图形线路精细、产品可靠性高、可加工层数多等优点,主要用于制造高阶封装基板产品,如倒装芯片球栅格阵列封装(FlipChip Ball Grid Array,简称FC-BGA)产品。目前SAP工艺介质层主要采用日本味之素公司开发的味之素积层膜(Ajinomoto Build-up films,简称ABF),具有工艺便捷、易于存储加工、产品稳定性高等优点。但ABF与镀铜层之间的结合力(抗剥离强度)不足是限制精细线路产品加工的主要原因之一。本文采用GX92、GX-T31和GL102三种ABF型号材料,研究了ABF预固化、去钻污、沉铜制程的加工条件对ABF表面粗糙度、形貌及抗剥离强度的影响。通过控制最优ABF加工条件,GX92、GX-T31和GL102三种ABF材料的抗剥离强度可分别达到0.87 kgf/cm、0.62 kgf/cm,、0.46 kgf/cm。此外,本文阐述了ABF材料的表面粗糙度、外观形貌与抗剥离强度之间的关系,为SAP工艺加工产品的抗剥离强度提升提供参考. 展开更多
关键词 半加成工艺 封装基板 味之素积层膜 抗剥离强度
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封装基板工厂智能化防错系统设计与应用的研究
17
作者 彭广胜 孙宏超 李志东 《印制电路信息》 2024年第S02期302-308,共7页
智能工厂是工业4.0中的一个关键主题,智能化的生产系统和过程能够有效提升生产效率,追溯性,提高产品良率。智能工厂包含诸多系统集成及模块,其中的智能化防错系统对产品品质提升起到了非常关键的作用,同时也为工厂提供了更加便捷和高效... 智能工厂是工业4.0中的一个关键主题,智能化的生产系统和过程能够有效提升生产效率,追溯性,提高产品良率。智能工厂包含诸多系统集成及模块,其中的智能化防错系统对产品品质提升起到了非常关键的作用,同时也为工厂提供了更加便捷和高效的管理模式。本研究聚焦于封装基板工厂智能化防错系统的设计与应用。通过对物料防错、治工具防错、载具防错,设备维护保养、过程检验防错、配方防错等功能模块的深度探讨和创新设计,以期实现更加高效、精准、可持续的生产模式。 展开更多
关键词 智能工厂 防错系统 设计与应用 封装基板
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面向快速散热的HTCC基板微流道性能研究
18
作者 孙浩洋 姬峰 +3 位作者 冯青华 兰元飞 王建扬 王明伟 《电子与封装》 2024年第7期15-20,共6页
随着微波组件向着大功率、高密度集成方向的快速发展,组件中大功率芯片的散热问题已影响到组件的可靠性,解决大功率微波组件的散热问题需要采用高效的散热技术。作为新兴的快速散热技术之一,微流道具有低热阻、高效率以及可集成等众多... 随着微波组件向着大功率、高密度集成方向的快速发展,组件中大功率芯片的散热问题已影响到组件的可靠性,解决大功率微波组件的散热问题需要采用高效的散热技术。作为新兴的快速散热技术之一,微流道具有低热阻、高效率以及可集成等众多优势。建立了基于大功率微波组件的微流道陶瓷基板有限元分析模型并对其进行热仿真,分析了不同微流道构型、占空比、扰流柱半径以及流速对组件散热的影响,并基于仿真结果制备了实物组件,实测温升下降60℃,实现了超大功率芯片的快速散热。 展开更多
关键词 封装技术 大功率芯片 陶瓷基板 散热 有限元仿真 微流道
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倒装焊芯片封装微通孔的一种失效机理及其优化方法
19
作者 陈朝晖 张弛 +5 位作者 徐鹏 曾维 吴家金 苏炜 陈宋郊 王强 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期165-170,共6页
随着晶圆工艺节点的发展,封装集成度越来越高,封装有机基板的线宽和线距逐步减少,微通孔的数量增加,微通孔的孔径减少。球栅阵列(BGA)封装有机基板的微通孔失效一直是影响高性能和高密度芯片封装可靠性的主要问题。针对有机基板微通孔... 随着晶圆工艺节点的发展,封装集成度越来越高,封装有机基板的线宽和线距逐步减少,微通孔的数量增加,微通孔的孔径减少。球栅阵列(BGA)封装有机基板的微通孔失效一直是影响高性能和高密度芯片封装可靠性的主要问题。针对有机基板微通孔失效的问题,通过温度循环可靠性试验、有限元分析方法、聚焦离子束、扫描电子显微镜以及能谱仪等表征手段,系统研究了-65℃~150℃与-55℃~125℃500次温度循环加载条件下倒装焊的失效模式。结果表明,在-65℃~150℃温度循环条件下,有机基板微通孔由温度循环疲劳应力而产生微通孔分层,仿真表明-65℃~150℃下基板平均等效应力增加约8 MPa;通过改善散热盖结构,等效应力降低了21.4%,且能通过-65℃~150℃500次温度循环的可靠性验证,满足高可靠性的要求。 展开更多
关键词 倒装焊 封装可靠性 有机基板 温度循环 有限元分析
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玻璃通孔TGV技术的性能优势及应用前景
20
作者 赵龙江 杨威 +3 位作者 侯宏荣 徐剑 张志军 王答成 《中国建材科技》 CAS 2024年第S01期29-30,47,共3页
作为封装中所用的中间基板,玻璃虽然具有的高平滑性、和Si同等的热膨胀率等有利条件,但传统的玻璃微孔加工技术无法克服玻璃通孔的微裂纹、碎裂及热应力等问题,因此之前作为电子封装的expansion,CTE材质均为陶瓷或有机材料,近几年随着... 作为封装中所用的中间基板,玻璃虽然具有的高平滑性、和Si同等的热膨胀率等有利条件,但传统的玻璃微孔加工技术无法克服玻璃通孔的微裂纹、碎裂及热应力等问题,因此之前作为电子封装的expansion,CTE材质均为陶瓷或有机材料,近几年随着激光深度诱导刻蚀技术(LIDE)的出现,使得玻璃作为电子封装中间基板的优势又进一步发挥出来,玻璃通孔孔径可以实现10~100μm,纵横比可以根据应用场景实时设计。 展开更多
关键词 电子封装 玻璃通孔 热膨胀性能 玻璃基板
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