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锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响 被引量:23
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作者 侯育冬 杨祖培 +2 位作者 高峰 屈绍波 田长生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期590-594,共5页
研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系'变硬',εT33/ε0和tan... 研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系'变硬',εT33/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低. 展开更多
关键词 锰掺杂 pzn-pzt 压电性能
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中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究 被引量:12
2
作者 江向平 廖军 +4 位作者 魏晓勇 张望重 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期281-286,共6页
在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保... 在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保温时间的延长,d33从420×10-12C/N增加到 560×10-12C/N, T33从 2180增加到 2900。 展开更多
关键词 中温烧结 pzn-pzt 压电性能 介电性能 压电陶瓷
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Nb_2O_5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响 被引量:11
3
作者 路朋献 马秋花 +3 位作者 邹文俊 侯永改 王改民 王春华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期248-252,共5页
研究了施主掺杂离子Nb^5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙... 研究了施主掺杂离子Nb^5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处. 展开更多
关键词 Nb2O5掺杂 pzn-pzt 微观结构 电学性能
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热压和常压烧结PZN-PZT陶瓷的温度稳定性 被引量:10
4
作者 李小兵 田莳 赵建伟 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期287-290,共4页
采用热压烧结和常压烧结的方法制备了高压电性能的掺La0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷,测定了二种试样的谐振频率、弹性柔顺系数、相对介电常数、介电损耗、机电耦合系数和压电应变常数等性能随温度的变化,并对实验结果进行了分析和讨论。实验... 采用热压烧结和常压烧结的方法制备了高压电性能的掺La0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷,测定了二种试样的谐振频率、弹性柔顺系数、相对介电常数、介电损耗、机电耦合系数和压电应变常数等性能随温度的变化,并对实验结果进行了分析和讨论。实验结果表明,与常压烧结PZN-PZT陶瓷的性能相比,热压烧结试样的压电应变常数更高,温度稳定性更好。结构致密、纯度高有助于压电陶瓷材料温度稳定性的提高。 展开更多
关键词 热压烧结 常压烧结 温度稳定性 pzn-pzt
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相界附近Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3固溶体的弛豫相变研究 被引量:11
5
作者 江向平 方健文 +3 位作者 曾华荣 潘晓明 陈大任 殷庆瑞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期802-806,共5页
利用常规电子陶瓷工艺在相界附近合成得到纯钙钛矿相的Pb(Zn1/ 3Nb2 / 3)O3 PbZrO3 PbTiO3(PZN PZT)三元系固溶体 ,其相界位于Zr/Ti比 3 7/ 3 3处 .在实验中发现和证实了相界附近PZN PZT三元系固溶体存在铁电 弛豫 顺电相变 .在极化后Z... 利用常规电子陶瓷工艺在相界附近合成得到纯钙钛矿相的Pb(Zn1/ 3Nb2 / 3)O3 PbZrO3 PbTiO3(PZN PZT)三元系固溶体 ,其相界位于Zr/Ti比 3 7/ 3 3处 .在实验中发现和证实了相界附近PZN PZT三元系固溶体存在铁电 弛豫 顺电相变 .在极化后Zr/Ti比为 3 7/ 3 3及 3 9/ 3 1PZN PZT样品的介电温度谱观测到菱方 四方相相变 ,认为PZN PZT固溶体相界是向富Zr区弯曲 . 展开更多
关键词 相界 三元固溶体 弛豫相 pzn-pzt 压电陶瓷
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铁掺杂四方、三方两相共存PZN-PZT陶瓷的Raman散射分析 被引量:4
6
作者 路朋献 邹文俊 +5 位作者 许德合 马秋花 朱满康 侯永改 栗政新 王春华 《光散射学报》 2007年第1期23-29,共7页
Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过... Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相Rl模式,确定了铁掺杂对PZN-PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响。这一结果,得到了XRD相分析的验证。因此,通过对Raman散射中三方-四方振动模式的分析,可以表征掺杂诱导的PZT基陶瓷中三方-四方相结构变化趋势。 展开更多
关键词 Raman分析 pznpzt 铁掺杂 XRD分析
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热压法制备0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷研究 被引量:4
7
作者 徐永利 李尚平 +1 位作者 汪鹏 田莳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期673-677,共5页
研究了热压法制备0.3PZN-0.7PZT系压电陶瓷过程中,铅含量以及热压和退火工艺对材料性能的影响.实验结果表明,适当降低铅含量、提高退火温度和退火时间可得到性能优良的压电陶瓷.制得的压电陶瓷密度接近理论密度,电性... 研究了热压法制备0.3PZN-0.7PZT系压电陶瓷过程中,铅含量以及热压和退火工艺对材料性能的影响.实验结果表明,适当降低铅含量、提高退火温度和退火时间可得到性能优良的压电陶瓷.制得的压电陶瓷密度接近理论密度,电性能指标为: d_(33)=715 pC/N, K_p=0.65, tgδ=2.9%, εr=3457, Q_m=50.1. 展开更多
关键词 热压烧结 压电陶瓷 pzn-pzt
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铈掺杂PZN-PZT三元系压电陶瓷的烧结特性研究 被引量:1
8
作者 米乐 吴道文 +1 位作者 周华将 陈渝 《现代技术陶瓷》 CAS 2023年第1期57-66,共10页
采用传统的固相反应法制备了掺杂0.2 wt.%CeO_(2)的0.3Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.7Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O3(0.3PZN-0.7PZT-0.2Ce)三元系压电陶瓷,并研究了烧结温度(1190~1260℃)对其相结构、微观形貌以及电学性能的影响。XRD和SEM分... 采用传统的固相反应法制备了掺杂0.2 wt.%CeO_(2)的0.3Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.7Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O3(0.3PZN-0.7PZT-0.2Ce)三元系压电陶瓷,并研究了烧结温度(1190~1260℃)对其相结构、微观形貌以及电学性能的影响。XRD和SEM分析发现:所有烧结样品均呈纯的钙钛矿相结构,随着烧结温度的升高,陶瓷样品的相结构从三方相逐渐转变为四方相,1230℃烧结得到的样品由三方相和四方相共存;当烧结温度高于1230℃过后,晶粒开始显著长大,直至液相始出现。介电温谱研究证实:随着烧结温度的升高,0.3PZN-0.7PZT-0.2Ce陶瓷的居里温度(Tc)逐渐升高而介电损耗因子(tanδ)逐渐降低,1230℃烧结得到的样品介电常数(ε_(r))最大而温度系数(TKε)最小。压电性能以及谐振-反谐振测试表明:提高烧结温度有助于提升陶瓷的压电性能(d_(33))和机电耦合性能(kp),但过高的烧结温度(1260℃)也会使得性能恶化。综合来看:1250℃烧结得到的样品电学性能最佳:Tc=293℃,d_(33)=515 pC/N,kp=67%,ε_(r)=2493,TKε(120℃)=6.22×10^(-3)/℃,tanδ=0.017。 展开更多
关键词 pzn-pzt 烧结温度 相结构 压电性能 介电性能
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预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响 被引量:4
9
作者 沈小婷 范桂芬 +1 位作者 王允祺 吕文中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1-4,共4页
采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相... 采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。 展开更多
关键词 压电陶瓷 pzn-pzt 预烧温度
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炭黑改性PZN-PZT/PVDF压电复合材料的制备与性能 被引量:2
10
作者 胡珊 沈上越 +1 位作者 戴雷 黄焱球 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期14-15,27,共3页
将导电炭黑掺杂的聚偏氟乙烯(PVDF)与铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)陶瓷粉体复合,制备0-3型压电复合材料,研究了炭黑添加量对压电复合材料电性能的影响。结果表明,适量的导电炭黑可以明显提高复合材料的极化和压电性能。当炭黑含量为0.3%时,压... 将导电炭黑掺杂的聚偏氟乙烯(PVDF)与铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)陶瓷粉体复合,制备0-3型压电复合材料,研究了炭黑添加量对压电复合材料电性能的影响。结果表明,适量的导电炭黑可以明显提高复合材料的极化和压电性能。当炭黑含量为0.3%时,压电复合材料的综合性能最佳,剩余极化强度Pr达到5.37μC.cm-2,矫顽场EC为57kV.cm-1,介电常数εr为177.2,压电常数d33达到39.7pC/N。 展开更多
关键词 炭黑 pzn-pzt PVDF 压电复合材料
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铬掺杂对PZN-PZT陶瓷微观结构和电学性能的影响 被引量:1
11
作者 路朋献 侯育冬 +1 位作者 朱满康 严辉 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期303-307,共5页
研究了Cr2O3掺杂对0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ti0.5Zr0.5)O3(PZN-PZT)陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明,Cr2O3掺杂量小于0.3wt%时,Cr2O3能引起三方-四方相变,四方相含量增加,晶粒尺寸和烧结密度上升;掺杂量高于0.3wt%时,Cr2O3掺杂能抑... 研究了Cr2O3掺杂对0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ti0.5Zr0.5)O3(PZN-PZT)陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明,Cr2O3掺杂量小于0.3wt%时,Cr2O3能引起三方-四方相变,四方相含量增加,晶粒尺寸和烧结密度上升;掺杂量高于0.3wt%时,Cr2O3掺杂能抑制晶粒长大并降低烧结密度。同时,Cr2O3掺杂表现出硬性掺杂特征:εr变小,Qm值增加。而tanδ,kp和d33随Cr2O3掺杂量增加而表现出极值特征。最佳的压电性能出现在Cr2O3掺杂量为0.3wt%处。 展开更多
关键词 铬掺杂 pzn-pzt 相结构 压电性能
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常、热压烧结0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷性能比较 被引量:2
12
作者 李尚平 田莳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第5期313-315,共3页
分别采用传统烧结与热压烧结的方法制备出了 Pb0 .95 5 L a0 .0 3 (Zn1 / 3 Nb2 / 3 ) 0 .3 Zr0 .3 7Ti0 .3 3 O3 (0 .3PZN-0 .7PZT)改性三元系压电陶瓷材料 ,系统比较了二者的综合性能 ,并较为深入地探讨了其性能差异的原因。研究结果... 分别采用传统烧结与热压烧结的方法制备出了 Pb0 .95 5 L a0 .0 3 (Zn1 / 3 Nb2 / 3 ) 0 .3 Zr0 .3 7Ti0 .3 3 O3 (0 .3PZN-0 .7PZT)改性三元系压电陶瓷材料 ,系统比较了二者的综合性能 ,并较为深入地探讨了其性能差异的原因。研究结果表明 ,热压烧结试样的综合性能明显高于传统烧结试样 ,而致密度高、钙钛矿相含量高是热压试样性能优越的主要原因。 展开更多
关键词 压电陶瓷 pzn-pzt 热压 燃结
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Effects of NaNbO_3-Co_2O_3 Co-additive on the Properties of PZN-PZT Ceramics 被引量:2
13
作者 邓毅华 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2007年第4期722-724,共3页
NaNbO3-Co2O3 co-added PZN-PZT (PZCNNT) ceramics were prepared using conventional solid state reaction. The piezoelectric and dielectric properties were measured. The experimental results show that the addition of 0.... NaNbO3-Co2O3 co-added PZN-PZT (PZCNNT) ceramics were prepared using conventional solid state reaction. The piezoelectric and dielectric properties were measured. The experimental results show that the addition of 0.3mo1% Co2O3 leads to low dielectric loss (tgδ) in PZCNNT ceramics and the proper addition of NaNbO3 not only improves piezoelectric properties but also decreases intensively dielectric loss and mechanical loss. The optimal ceramic having d33=310 pC/N, kp=0.59, εr=985, tgδ=0.0034, Qm=1380 was obtained. 展开更多
关键词 pzn-pzt piezoelectric constant dielectric constant dielectric loss
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0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料的制备工艺条件优化 被引量:1
14
作者 戴雷 胡珊 +1 位作者 郑辉 王少博 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期294-297,共4页
采用固相法合成了性能良好的PZN-PZT陶瓷粉体。将压电陶瓷粉体分散于PVDF基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。研究了复合材料的复合工艺、极化参数与压电陶瓷的含量对复合材料压电性能的影响。结果表明,溶液混合工艺较好,且... 采用固相法合成了性能良好的PZN-PZT陶瓷粉体。将压电陶瓷粉体分散于PVDF基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。研究了复合材料的复合工艺、极化参数与压电陶瓷的含量对复合材料压电性能的影响。结果表明,溶液混合工艺较好,且当极化电场强度为6kV·mm-1、温度为110℃进行极化20min时,陶瓷粉体质量分数为90%的复合材料的压电性能最好,压电常数d33值达35.9pC·N-1。 展开更多
关键词 压电复合材料 pznpzt PVDF 压电性能
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复合工艺对压电复合材料性能的影响 被引量:1
15
作者 徐合 冯兰平 +1 位作者 谌小奇 戴雷 《河南化工》 CAS 2008年第4期28-30,共3页
采用直接混合和溶液混合两种不同的复合工艺,将铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)压电陶瓷粉体分散于有机聚偏二氟乙烯(PVDF)基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。研究了复合工艺对压电复合材料性能的影响。结果表明,采用溶液混合法能有... 采用直接混合和溶液混合两种不同的复合工艺,将铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)压电陶瓷粉体分散于有机聚偏二氟乙烯(PVDF)基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。研究了复合工艺对压电复合材料性能的影响。结果表明,采用溶液混合法能有效地改善陶瓷的分散性及复合材料的压电性,当陶瓷质量分数为90%时,压电复合材料的压电常数d33达到33.4 pC.N-1。 展开更多
关键词 pznpzt 压电复合材料 直接混合法 溶液混合法
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PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展 被引量:1
16
作者 郑木鹏 侯育冬 +1 位作者 朱满康 严辉 《真空电子技术》 2013年第4期13-18,共6页
PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一。本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势。
关键词 压电陶瓷 pzn-pzt 研究进展
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镧掺杂PZN-PZT陶瓷及其PVDF压电复合材料的制备与性能 被引量:1
17
作者 胡珊 沈上越 +1 位作者 戴雷 晏海霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期748-750,共3页
采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT压电陶瓷和粉体.并用XRD分析了陶瓷的晶相,扫描电镜观察到PZN-PZT陶瓷粉体形态不太规整,颗粒粒径主要分布在1~4μm之间.将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZN-PZT/PVDF压电复... 采用固相烧结法合成了不同镧掺杂量的PZN-PZT压电陶瓷和粉体.并用XRD分析了陶瓷的晶相,扫描电镜观察到PZN-PZT陶瓷粉体形态不太规整,颗粒粒径主要分布在1~4μm之间.将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZN-PZT/PVDF压电复合材料.研究了镧掺杂量对PZN-PZT陶瓷及复合材料压电性能的影响.结果表明,适量的镧掺杂可有效提高复合材料的压电性能,当镧掺杂量为4%(摩尔分数)时,复合材料的压电性能最好,压电常数d33值为36pC/N。 展开更多
关键词 镧掺杂 pzn-pzt PVDF 压电复合材料
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化学键分散剂在PZN—PZT浆料中的分散性研究
18
作者 曾华荣 李国荣 +3 位作者 张望重 江向平 陈大任 殷庆瑞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第5期648-652,共5页
利用异丙醇钛与长链羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT-IR技术研究了该分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性能.结果表明,该分散剂在PZN-PZT浆料中具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上... 利用异丙醇钛与长链羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT-IR技术研究了该分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性能.结果表明,该分散剂在PZN-PZT浆料中具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN-PZT浆料中的分散性、均匀性. 展开更多
关键词 化学键分散剂 pzn-pzt 分散性 厚膜压电陶瓷 流延工艺 流延浆料
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陶瓷粉体粒度对PZN-PZT/PVDF压电复合材料性能的影响
19
作者 徐合 冯兰平 谌小奇 《佛山陶瓷》 2008年第3期4-7,共4页
将铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)压电陶瓷粉体分散于聚偏二氟乙烯(PVDF)基体中,制备出0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。文中研究了PZN-PZT陶瓷不同粒度对复合材料的压电性、介电性、铁电性的影响。结果表明,当陶瓷粒度为100~150目时,压电复合... 将铌锌锆钛酸铅(PZN-PZT)压电陶瓷粉体分散于聚偏二氟乙烯(PVDF)基体中,制备出0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料。文中研究了PZN-PZT陶瓷不同粒度对复合材料的压电性、介电性、铁电性的影响。结果表明,当陶瓷粒度为100~150目时,压电复合材料的综合性能最佳,压电常数d33达到23.10pC/N,剩余极化强度Pr达到5.13μC·cm-2,矫顽场Ec为45.71kV·cm-1,介电常数εr为192.86,介电损耗tanδ为0.10。 展开更多
关键词 pznpzt PVDF 复合材料 粒度 压电性能
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Measurement of small vibration by laser interferometer
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作者 QIAN Menglu, LIU Hewei (Institute of Acoustics, Tongji University, Shanghai 200092) 《声学技术》 CSCD 2003年第z1期6-8,共3页
The method and experimental results of measuring a small vibrating displacement by laser interferometer are introduced in this paper. The dynamic response of a new kind of tiny piezoelectric driver is detected. Result... The method and experimental results of measuring a small vibrating displacement by laser interferometer are introduced in this paper. The dynamic response of a new kind of tiny piezoelectric driver is detected. Results show that this kind of PZN-PZT tiny driver not only has high voltage-displacement sensitivity, but also its frequency response approaches to 1 kHz.Therefore this kind of piezoelectric driver can be used widely in many fields. 展开更多
关键词 SMALL vibration laser interferometer pzn-pzt DRIVER
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