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制造玻璃微流控芯片的简易加工技术 被引量:69
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作者 殷学锋 沈宏 方肇伦 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期116-119,共4页
报道了在普通化学实验室中设计和加工玻璃微流控芯片的方法。用AdobeIllustrator 8.0软件设计微流控芯片图形 ,通过高分辨率激光照排机在照相底片上制得光刻掩模。用商品匀胶铬板表面的 14 5nmCr 5 70nmAz 180 5光胶层作为保护层 ,在 5 ... 报道了在普通化学实验室中设计和加工玻璃微流控芯片的方法。用AdobeIllustrator 8.0软件设计微流控芯片图形 ,通过高分辨率激光照排机在照相底片上制得光刻掩模。用商品匀胶铬板表面的 14 5nmCr 5 70nmAz 180 5光胶层作为保护层 ,在 5 0℃刻蚀液 (1mol LHF +1mol LNaF)中 ,刻蚀速度为 2 μm min。通过彻底洗净加工好的玻璃基片 ,提高了芯片热键合的质量和成品率。制得的芯片已成功地用于氨基酸分离和PCR扩增。 展开更多
关键词 玻璃微流控芯片 微加工技术 掩模 湿法刻蚀 键合 光刻
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SU-8胶光刻工艺研究 被引量:48
2
作者 张立国 陈迪 +1 位作者 杨帆 李以贵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2002年第3期266-270,共5页
SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间... SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间、曝光时间及显影时间进行了研究 ,发现前烘时间和显影时间是影响图形分辨率及高深宽比的最主要的参数。随后给出了 2 0 0 μm厚SU - 8光刻胶的建议工艺条件 :2 0 0 μm/s甩胶 ,1h的 95°C前烘 ,近紫外光 (40 0nm)接触式曝光 ,95°C的中烘 30min ,PGMEA中显影 2 0min。另外对实验中实现的主要问题基片弯曲和光刻胶的难以去除作了一定的探讨 ,给出了合理化建议 :对于基片弯曲可采用以下四种措施来降低 ,降低中烘的温度同时增加中烘的时间、用厚硅片来代替薄硅片、对于薄硅片在前烘后可用金刚刀切成 4~ 8小片、适当的设计掩模板 ;对于光刻胶的去除用热丙酮泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合 。 展开更多
关键词 SU-8胶 高深宽比 光刻
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新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势 被引量:21
3
作者 苏雪莲 《微电子技术》 2001年第2期8-17,共10页
本文主要阐述了光刻技术的发展极限及 193nm、 157nm光学光刻技术和电子束投影光刻 (SCALPEL)、X -射线光刻 (XRL)离子投影光刻 (IPL)等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备... 本文主要阐述了光刻技术的发展极限及 193nm、 157nm光学光刻技术和电子束投影光刻 (SCALPEL)、X -射线光刻 (XRL)离子投影光刻 (IPL)等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。 展开更多
关键词 光刻技术 光刻设备 电子束投影光刻 光学光刻
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外加电场极化法制备LiNbO_3周期性畴反转的工艺研究 被引量:19
4
作者 陈云琳 许京军 +3 位作者 宋峰 张光寅 倪文俊 李世忱 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期618-620,共3页
对用外加电场极化法实现铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体 (PPLN)的工艺进行了研究 ,首先采用光刻工艺技术在Z切厚度为 0 5mm的LiNbO3晶体的正畴面和负畴面上刻蚀出与掩膜板完全对应的金属Al电极 ,然后在两电极上施加一系列的脉冲电压 ... 对用外加电场极化法实现铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体 (PPLN)的工艺进行了研究 ,首先采用光刻工艺技术在Z切厚度为 0 5mm的LiNbO3晶体的正畴面和负畴面上刻蚀出与掩膜板完全对应的金属Al电极 ,然后在两电极上施加一系列的脉冲电压 ;在实验研究中 ,通过控制脉冲幅度、脉冲宽度、脉冲个数和脉冲电流 ,确定了最佳实验参量 ,并成功地制备出了周期为 9 5 μm的三阶准相位匹配铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体。 展开更多
关键词 LINBO3晶体 周期性极化反转LiNbO3晶体(PPLN) 准相位匹配 外加电场极化 光刻 铁电体
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先进光刻技术的发展历程与最新进展 被引量:22
5
作者 李艳丽 刘显和 伍强 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第9期76-92,共17页
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术,其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2~3μm缩小到先进的10~15 nm。在发展过程中,众多先进的技术不断涌现,如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型... 光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术,其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2~3μm缩小到先进的10~15 nm。在发展过程中,众多先进的技术不断涌现,如投影式光刻、相移掩模版、化学放大型光刻胶、光学邻近效应修正等,及时确保了摩尔法则按时向前推进。以投影光刻发展的历史为主线,从0.25μm到当今的5 nm再到未来的先进技术节点,对每个关键的技术节点的工艺要求与工艺窗口进行分析,包括采用的新技术及其作用,以展示光刻工艺与相关技术的整体面貌,给读者专业技术的参考。 展开更多
关键词 光刻 光刻工艺 光刻机 光刻胶 掩模版
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液晶实时掩膜技术制作连续微光学元件 被引量:20
6
作者 彭钦军 郭永康 +2 位作者 陈波 刘世杰 曾阳素 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期220-224,共5页
提出制作连续微光学元件的一种新技术———液晶实时掩膜技术 ,阐述了其基本原理和制作方法。基于部分相干光成像理论 ,采用计算机模拟了用实时掩膜制作微透镜和微轴锥镜阵列的过程。同时建立了实验装置进行实验 ,用全色银盐干板 (Kodak... 提出制作连续微光学元件的一种新技术———液晶实时掩膜技术 ,阐述了其基本原理和制作方法。基于部分相干光成像理论 ,采用计算机模拟了用实时掩膜制作微透镜和微轴锥镜阵列的过程。同时建立了实验装置进行实验 ,用全色银盐干板 (Kodak 131)通过酶刻蚀得到口径为 118.7μm ,深为 1.32 2 μm的 5 6× 48的轴锥镜的列阵。 展开更多
关键词 制作 应用光学 实时掩膜 液晶显示器件 连续微光学元件 光刻
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突破光学衍射极限,发展纳米光学和光子学 被引量:18
7
作者 干福熹 王阳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期49-57,共9页
信息技术已经进入纳米时代,纳米光学和光子学正是为满足快速和高密度信息技术的需求而产生、发展的。先进的纳米光学和光子学器件应该是高速、高分辨率和高集成的,形成各类光学和光子学芯片和盘片。由于器件最小特征尺寸和加工分辨率受... 信息技术已经进入纳米时代,纳米光学和光子学正是为满足快速和高密度信息技术的需求而产生、发展的。先进的纳米光学和光子学器件应该是高速、高分辨率和高集成的,形成各类光学和光子学芯片和盘片。由于器件最小特征尺寸和加工分辨率受限于光的衍射极限,现有技术已接近实用化技术的理论极限并且成本很高,只有突破光学衍射极限才能进一步发展纳米光学和光子学。在光的远场和近场应用超分辨率技术,是当前重要的前沿课题,它们的应用主要集中于信息技术领域,具有代表性的是纳米信息存储和光刻中的光学超分辨率技术等。 展开更多
关键词 纳米光学 纳米光子学 超分辨率 光信息存储 光刻
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激光直写技术的研究现状及其进展 被引量:11
8
作者 徐兵 魏国军 陈林森 《光电子技术与信息》 2004年第6期1-5,共5页
介绍了激光直写技术的最新发展现状,系统的功能、结构和工作方式,对当前该系统存在的一些问题进行了归纳分析,探讨了系统的应用范围和今后的发展方向。
关键词 激光直写 二元光学元件 光刻 空间光调制器 光变图像
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64×64点阵达曼光栅的设计与实现 被引量:13
9
作者 席鹏 ZHOU Chang-He +3 位作者 周常河 赵帅 王淮生 刘立人 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期369-371,共3页
分析了偶数点阵达曼光栅的设计原理与特性。利用数值优化方法 ,获得了一组 6 4× 6 4点阵达曼光栅解。光栅模版用电子束制版法制成 ,其最细线宽为 2 .5 μm。用光刻法实现了这一位相光栅 ,并比较了不同位相光栅制作法的优缺点。原... 分析了偶数点阵达曼光栅的设计原理与特性。利用数值优化方法 ,获得了一组 6 4× 6 4点阵达曼光栅解。光栅模版用电子束制版法制成 ,其最细线宽为 2 .5 μm。用光刻法实现了这一位相光栅 ,并比较了不同位相光栅制作法的优缺点。原子力显微镜测得的光栅深度曲线与 6 4× 6 4点阵实验结果表明 ,此光栅结果接近理论值。 展开更多
关键词 达曼光栅 光互连 光刻法 设计
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纳米技术发展动向 被引量:8
10
作者 朱曾惠 《化工新型材料》 CAS CSCD 1999年第2期40-41,12,共3页
对纳米技术来说是越精细越好。当前研究重点是弄清和创制纳米级材料。本文介绍了纳米技术发展中的四个主要趋势:①光刻印刷技术中的革命;②改进硅芯片和扩大应用;③纳米技术促进相关技术发展;④纳米材料和工艺过程的应用开发。
关键词 纳米技术 发展趋势 纳米材料 技术发展
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浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能 被引量:11
11
作者 马建霞 吴纬国 +1 位作者 张庆中 贾宇明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期32-36,共5页
光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理及应用性能指标进行阐述,重点从工艺的角度去提出新的... 光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理及应用性能指标进行阐述,重点从工艺的角度去提出新的研究方向。 展开更多
关键词 光刻胶 应用性能 反应机理 集成电路 光刻
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光笔式单目视觉测量系统的关键技术 被引量:15
12
作者 解则晓 韩振华 高翔 《中国光学》 EI CAS 2013年第5期780-787,共8页
为了对机械加工部件进行高精度、大尺寸、三维立体空间的现场实时测量,建立了光笔式单目视觉测量系统。对该系统中的新型光笔工艺、算法转换模型、摄像机焦距的优化、光笔笔尖位置的标定进行了研究。首先提出了一种利用光刻工艺设计制... 为了对机械加工部件进行高精度、大尺寸、三维立体空间的现场实时测量,建立了光笔式单目视觉测量系统。对该系统中的新型光笔工艺、算法转换模型、摄像机焦距的优化、光笔笔尖位置的标定进行了研究。首先提出了一种利用光刻工艺设计制作的新型光笔,其次,基于近景摄影测量学中的单像空间后方交会原理,建立了一种新的光笔坐标系与摄像机坐标系之间的转换模型,通过最小二乘平差法循环迭代求解最优的单像空间外方位元素,从而确定了转换模型基本参数。最后,分析了摄像机焦距对光笔式单目视觉测量系统结果的影响,并提出了一种确定相对准确焦距和光笔测头在光笔坐标系下的位置的方法。实验结果表明:摄像机坐标系下x轴、y轴、z轴方向的稳定性误差分别为0.042、0.048、0.066 mm;测量最大误差为0.173 mm,较大程度上满足了光笔式单目测量系统稳定性强和精度高的要求。 展开更多
关键词 单目视觉测量 光笔 光刻工艺 后方交会 优化算法
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直角坐标和极坐标系一体的激光直写设备(英文) 被引量:13
13
作者 李凤友 卢振武 +1 位作者 谢永军 张殿文 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期616-619,共4页
介绍了具有直角坐标和极坐标写入系统的激光直写设备 。
关键词 直角坐标 极坐标 激光直写设备 衍射光学元件 计算全息图 光刻 写入系统
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半导体制造中涂胶工艺的研究进展 被引量:14
14
作者 向东 何磊明 +2 位作者 瞿德刚 牟鹏 段广洪 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期354-361,共8页
涂胶工艺过程质量的好坏直接影响到光刻工艺的质量,综述了旋转涂胶法和雾化喷涂法两种涂胶方法的工艺特点和研究进展,另外还对电沉积法、气相沉积法等工艺方法进行了简要介绍。对比了旋涂法、喷涂法和电沉积法等涂胶方法的工艺特点,并... 涂胶工艺过程质量的好坏直接影响到光刻工艺的质量,综述了旋转涂胶法和雾化喷涂法两种涂胶方法的工艺特点和研究进展,另外还对电沉积法、气相沉积法等工艺方法进行了简要介绍。对比了旋涂法、喷涂法和电沉积法等涂胶方法的工艺特点,并对不同涂胶工艺方法的应用场合进行了总结。 展开更多
关键词 旋涂 喷涂 电沉积 光刻工艺
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激光直接写入工艺的研究 被引量:5
15
作者 李凤友 卢振武 +4 位作者 张殿文 李红军 赵晶丽 丛小杰 翁志成 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期949-952,共4页
本文介绍了四轴激光直接写入系统 ,对激光直接在光刻胶上写入图形的工艺进行了研究 ,讨论了在不同离焦情况下 ,胶层内光斑的大小和强度分布 ,采用离焦的方法在光刻胶上刻画了周期为 2 0μm的线光栅和线宽为 10 μm的分划板 。
关键词 激光直接写入 离焦 光刻
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Wafer Scale Synthesis of Dense Aligned Arrays of Single-Walled Carbon Nanotubes 被引量:13
16
作者 Weiwei Zhou Christopher Rutherglen Peter J.Burke 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2008年第2期158-165,共8页
Here we present an easy one-step approach to pattern uniform catalyst lines for the growth of dense,aligned parallel arrays of single-walled carbon nanotubes(SWNTs)on quartz wafers by using photolithography or polydim... Here we present an easy one-step approach to pattern uniform catalyst lines for the growth of dense,aligned parallel arrays of single-walled carbon nanotubes(SWNTs)on quartz wafers by using photolithography or polydimethylsiloxane(PDMS)stamp microcontact printing(μCP).By directly doping an FeCl3/methanol solution into Shipley 1827 photoresist or polyvinylpyrrolidone(PVP),various catalyst lines can be well-patterned on a wafer scale.In addition,during the chemical vapor deposition(CVD)growth of SWNTs the polymer layers play a very important role in the formation of mono-dispersed nanoparticles.This universal and effi cient method for the patterning growth of SWNTs arrays on a surface is compatible with the micro-electronics industry,thus enabling of the fabrication highly integrated circuits of SWNTs. 展开更多
关键词 Single-walled carbon nanotubes(SWNTs) chemical vapor deposition(CVD) photolithography microcontact printing(μCP)
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一种新型微流控芯片金属热压模具的制作工艺研究 被引量:7
17
作者 罗怡 王晓东 +1 位作者 刘冲 王立鼎 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第17期1505-1507,共3页
研究了利用UV-LIGA技术制造PMMA微流控芯片金属热压模具。采用预机械抛光的Ni板作为电铸基底,光刻SU-8 2050后形成电铸型模,然后电铸Ni微通道,去胶后电铸基底与微通道结合形成芯片热压模具。此方法有效地解决了传统UV-LIGA方法中的倒拔... 研究了利用UV-LIGA技术制造PMMA微流控芯片金属热压模具。采用预机械抛光的Ni板作为电铸基底,光刻SU-8 2050后形成电铸型模,然后电铸Ni微通道,去胶后电铸基底与微通道结合形成芯片热压模具。此方法有效地解决了传统UV-LIGA方法中的倒拔模斜度的问题。制作的微流控芯片模具微通道的宽度和高度尺寸偏差分别为1.7%和2.8%,满足微流控芯片的应用要求。 展开更多
关键词 UV-LIGA 光刻 电铸 拔模斜度
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100nm步进扫描光刻机硅片台掩模台运动结构设计 被引量:4
18
作者 李鸿 周云飞 《微电子技术》 2003年第4期1-5,13,共6页
本文介绍了基于直线电机、洛仑兹平面电机的 0 1μm光刻机 6坐标高速超精工件台的结构设计 ,其在 30 0mm运动范围内 ,系统的定位精度和运动精度都达到纳米级 ,且具有优良的速度、加速度、变加速度等动态性能。
关键词 光刻机 步进扫描 高速高精
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0.4μm条宽的光刻 被引量:10
19
作者 刘明大 李淑文 史素姣 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期336-339,共4页
文章讨论了MJB3UV300型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进,消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用,实现了边缘整齐陡直、0.4μm条宽的光刻。
关键词 光刻 亚微米光刻 光刻胶 ULSI OEIC
全文增补中
光刻工艺中缺陷来源的分析 被引量:7
20
作者 邓涛 李平 邓光华 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期229-231,共3页
针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。
关键词 光刻 缺陷 措施
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