X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计

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作者 陈思婷 陈铖颖 +2 位作者 马骁 杨新豪 王尘 《厦门理工学院学报》 2023年第1期17-23,共7页

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和... 基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和相位平坦度,消除由前32个相位产生的相位累积误差。仿真结果表明,180°移相单元插入损耗为2.42~2.67 dB,相移范围为179°~182°,输入输出电压驻波比小于1.15,在同样的结构下,本设计可实现更优异的性能和更紧凑的芯片面积。 展开更多

关键词 X波段数控移相器 高通-低通网络型移相器结构 180°移相单元 GaAs phemt工艺

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基于GaAs工艺的L波段收发多功能芯片设计

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作者 高显 戴剑 傅琦 《通信电源技术》 2023年第8期74-76,80,共4页

基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字... 基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字驱动电路。经测试得到,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩输入功率大于3 dBm,噪声系数小于4 dB,64态衰减精度均方根(Root Mean Square,RMS)小于0.6 dB,64态延时精度RMS小于8 ps;发射通道增益大于24 dB,饱和输出功率大于23 dBm,64态延时精度RMS小于8.7 ps。芯片尺寸为4.00 mm×4.00 mm×0.07 mm。 展开更多

关键词 收发多功能芯片 L波段 GaAs phemt工艺 衰减器

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基于0.2μm GaAs PHEMT工艺的压控振荡器IC设计 被引量：3

3

作者 孙玲 朱恩 +2 位作者 孟凡生 吴春红 费瑞霞 《电子器件》 CAS 2003年第4期341-343,340,共4页

给出了一个采用0 2μmGaAsPHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC压控振荡器电路,芯片面积为0 52×0 7mm2。采用3 3V正电源供电,测得输出功率约-11 22dBm,频率调节范围6 058GHz～9 347GHz;在自由振荡频率7 2GHz处,测得的单边带相位噪... 给出了一个采用0 2μmGaAsPHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC压控振荡器电路,芯片面积为0 52×0 7mm2。采用3 3V正电源供电,测得输出功率约-11 22dBm,频率调节范围6 058GHz～9 347GHz;在自由振荡频率7 2GHz处,测得的单边带相位噪声约为-82dBc/Hz@100kHz. 展开更多

关键词 压控振荡器 锁相环 GAAS phemt工艺

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基于GaAs工艺超宽带低噪声放大器设计 被引量：3

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作者 黄国皓 黄玉兰 杨小峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第3期84-86,92,共4页

为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器。选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器... 为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器。选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器工作带宽。仿真结果表明:所设计的放大器在0.9~30 GHz内,增益为15±1 dB,最大噪声系数小于3.5 dB,最低噪声系数仅为1.7 dB,输入和输出回波损耗均小于-10 dB,放大器工作电压为2.5 V,电流消耗71.7 m A,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片面积为2.1 mm×1.24 mm。 展开更多

关键词 分布式放大器 GaAs phemt工艺 超宽带 单片微波集成电路

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9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器 被引量：4

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作者 徐鼎 陈晓娟 +1 位作者 胡俊 袁婷婷 《电子设计工程》 2021年第1期24-29,共6页

基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;... 基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响,输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配,拓展了电路的宽带特性。测试结果表明,该放大器在9~15 GHz工作频率内,连续波饱和输出功率大于28 dBm,功率附加效率为35%~45%,功率回退至19 dBm下时,IMD3小于-34 dBc,该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm。 展开更多

关键词 GaAs phemt工艺 高效率功率放大器 谐波抑制 宽带匹配

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一种基于复合左右手传输线结构的模拟移相器 被引量：2

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作者 邱泽琦 苏国东 刘军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期823-827,834,共6页

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器。该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐。为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加... 基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器。该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐。为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加隔离度,并中和无源器件带来的损耗。电路采用统一的偏置电压来控制所有变容结构,简化了电路结构。仿真结果表明,该移相器在工作频率内的相移可调谐范围大于90°,在电源电压为1.5 V下,直流功耗为63.3 mW,平均增益大于8.5 dB,幅度波动小于5 dB。 展开更多

关键词 移相器 phemt工艺 复合左右手传输线 共源共栅

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新型微波有源混频放大MMIC设计 被引量：2

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作者 李佩 陈兴国 《微波学报》 CSCD 北大核心 2006年第1期27-30,共4页

采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz^3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频器结合在一起,提高了单元电路的集成度。本文着重介... 采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz^3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频器结合在一起,提高了单元电路的集成度。本文着重介绍了建模分析和应用ADS软件进行仿真优化。测试结果:输入LO和RF,LO和IF的隔离度都大于50dB,变频增益大于12 dB。 展开更多

关键词 GAAS phemt工艺 单片有源混频放大器 ADS软件 变频增益 隔离度

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一种应用于2.4 GHz系统的F类功率放大器 被引量：2

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作者 周正轩 黄瀚熙 +2 位作者 刘雁朋 章国豪 刘祖华 《现代电子技术》 北大核心 2018年第18期37-40,共4页

基于0.5μm Ga As PHEMT工艺,设计一款能应用于2.4 GHz ISM频段的WLAN 802.11b/g协议功率放大器。输出级采用负载线匹配的设计方法,并嵌入了对奇次谐波回收,偶次谐波抑制的网络,使之工作在F类,整机获得了较高附加效率。提出一种匹配计... 基于0.5μm Ga As PHEMT工艺,设计一款能应用于2.4 GHz ISM频段的WLAN 802.11b/g协议功率放大器。输出级采用负载线匹配的设计方法,并嵌入了对奇次谐波回收,偶次谐波抑制的网络,使之工作在F类,整机获得了较高附加效率。提出一种匹配计算方法与电路结构,兼顾输出功率和效率最大化,可对功率输出级进行优化匹配设计。该功放工作电压为5 V,仿真结果表明:在2.4 GHz频段内,1 d B压缩点时的输出功率为31.7 d Bm,输出效率为51.8%,功率增益大于35 d B,对高阶偶次谐波抑制大于47 d B,对低阶奇次谐波进行了回收,获得了高效率。 展开更多

关键词 phemt工艺 F类 功率放大器 负载线匹配 谐波抑制 功率增益

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万兆以太网物理层全集成单片锁相环电路 被引量：1

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作者 孟凡生 朱恩 +3 位作者 孙玲 费瑞霞 吴春红 王志功 《光电子技术》 CAS 2004年第1期32-35,50,共5页

给出了一个采用 0 .2μm Ga As PHEMT工艺实现的单片集成高速锁相环电路。芯片采用差分电感电容谐振式负跨导压控振荡器 ,总面积为 0 .9mm× 0 .7mm。采用 3.3V单电源供电 ,测得芯片总功耗为 2 83m W,输出功率约 - 1 1 d Bm,中心频... 给出了一个采用 0 .2μm Ga As PHEMT工艺实现的单片集成高速锁相环电路。芯片采用差分电感电容谐振式负跨导压控振荡器 ,总面积为 0 .9mm× 0 .7mm。采用 3.3V单电源供电 ,测得芯片总功耗为 2 83m W,输出功率约 - 1 1 d Bm,中心频率 7.2 GHz,锁定范围为± 30 0MHz。环路锁定在 7.2 GHz时 ,输出信号的峰 -峰抖动约 5 .6ps,在 5 0 k Hz频偏处的单边带相位噪声为 - 94d Bc/Hz。本锁相环电路经适当修改可应用于万兆以太网物理层 IEEE80 2 .3ae1 0 GBASE- R或 1 0 GBASE- W时钟恢复电路。 展开更多

关键词 万兆以太网 物理层 锁相环 GAAS phemt工艺

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超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器 被引量：1

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作者 王蓉 王志功 +3 位作者 柯锡明 敖金平 李献杰 刘伟吉 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期9-11,共3页

本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源... 本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m 展开更多

关键词 光接收机 phemt工艺 砷化镓 跨阻前置放大器

原文传递

宽带低噪声放大器的设计 被引量：1

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作者 叶波涛 《科技创新与应用》 2021年第25期79-81,共3页

为实现低噪音放大器带宽的有效拓宽,依照分布型放大器的基础工作理论,应用0.13μmGaAs PHEMT工艺方法,工程技术人员开发了一类宽带范围超宽的单片微波式集成低噪音放大装置。应用6级分布形式拓扑方案,逐级应用共栅共源的主要构造并且设... 为实现低噪音放大器带宽的有效拓宽,依照分布型放大器的基础工作理论,应用0.13μmGaAs PHEMT工艺方法,工程技术人员开发了一类宽带范围超宽的单片微波式集成低噪音放大装置。应用6级分布形式拓扑方案,逐级应用共栅共源的主要构造并且设置去耦型电容,用以提升放大器的增益,优化增益图形的平坦程度,拓宽放大器的运行带宽。通过仿真模拟表明:该放大器位于(0.85~31.5)GHz范围内,其增益达到(15.5±1)dB,最大噪音系数<3.55dB,最小噪音系数只有1.75dB,输入及输出的回波损耗都满足<-10.5dB,放大器的运行电压是2.55V,电流损耗为71.5mA,1.5dB处压缩点的输出功率数值>10.5dBm,芯片模块面积是(2.15×1.25)mm。 展开更多

关键词 分布式放大器 GaAs phemt工艺 超宽带 单片微波集成电路

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10 Gbit/s时钟恢复电路预处理模块的设计研究

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作者 李静 朱恩 +1 位作者 孙玲 周忻 《电子器件》 EI CAS 2006年第2期351-353,共3页

介绍了一种使用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现的、可用于万兆以太网10GBASE-R标准的时钟恢复电路预处理模块的设计研究。电路核心部分由微分电路和选频电路组成。使用ADS软件对电路进行仿真,仿真结果表明该电路能满足实际应用。最后给出了在C... 介绍了一种使用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现的、可用于万兆以太网10GBASE-R标准的时钟恢复电路预处理模块的设计研究。电路核心部分由微分电路和选频电路组成。使用ADS软件对电路进行仿真,仿真结果表明该电路能满足实际应用。最后给出了在Cadence软件下画出的电路版图。 展开更多

关键词 时钟恢复电路 GAAS phemt工艺 预处理模块 乘法器 滤波 负阻

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基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片

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作者 安亚宁 徐晨 +3 位作者 解意洋 潘冠中 王秋华 董毅博 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期419-424,共6页

设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消... 设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配。使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片。测试结果表明,芯片实现了42 d B的最大增益,在0-3 V控制电压下,0-28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz-1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75Ω,芯片面积1 412μm×1 207μm,芯片性能符合设计目标。 展开更多

关键词 光接收芯片 GAAS E/D phemt工艺 单片集成电路(MIC) 跨阻放大器 衰减器

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X波段GaAs PHEMT单片有源上变频器设计

14

作者 宋静 陈兴国 唐亮 《合肥师范学院学报》 2011年第3期45-48,共4页

采用0.25μm GaAs PHEMT工艺研制了一个X波段单片有源上变频器。电路集成了Gilbert混频电路、RF补偿放大器和LO缓冲器,在提高了单片电路集成度的同时,获得了较好的性能指标。实际测试结果表明:变频增益大于10dB;各端口匹配良好,在工作... 采用0.25μm GaAs PHEMT工艺研制了一个X波段单片有源上变频器。电路集成了Gilbert混频电路、RF补偿放大器和LO缓冲器,在提高了单片电路集成度的同时,获得了较好的性能指标。实际测试结果表明:变频增益大于10dB;各端口匹配良好,在工作频带内回波损耗小于10dB;1dB增益压缩点输出功率达到4dBm;所需本振功率为-3dBm。 展开更多

关键词 单片有源上变频器 Gilbert混频单元 GAAS phemt工艺 变频增益

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ALM-1912:GPS前端接收方案

15

《世界电子元器件》 2010年第4期20-21,共2页

Avago公司的ALM-1912是一个GPS前端模块，结合了高增益低噪声放大器（LNA）和GPSFBAR滤波器。LNA采用Avago专利的GaAs增强模式pHEMT工艺，在确保低噪声和高线性度的前提下实现高增益，同时严格控制了噪声指数分布。

关键词 前端模块 GPS 接收方案 低噪声放大器 phemt工艺 GAAS 高线性度 指数分布

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DC～40GHz光纤通信用驱动放大器

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作者 钱峰 陈堂胜 +2 位作者 郑远 李拂晓 邵凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期F003-F003,共1页

关键词 驱动放大器 南京电子器件研究所 phemt工艺 信用 光纤通信系统 40GB/S 电光调制器 光通信系统 转换功能 指标要求 信号电压 GAAS 峰峰值

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基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器

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作者 王朋 韦雪真 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期324-327,352,共5页

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,一端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容实现。芯片集成了2∶4线译码器作为控制电路,实现通道的选择和切换。芯片尺寸为3.0 mm×2.4 mm×0.1 mm。测试结果表明,三个通道的插入损耗均小于8.5 dB,带内回波损耗均小于-10 dB,带外衰减均大于40 dB。该开关滤波器芯片具有插入损耗小、隔离度高、集成度高、阻带宽的特点。 展开更多

关键词 开关滤波器 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(phemt)工艺 带通滤波器 译码器 宽带

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