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利用电子传输层掺杂改善有机发光器件的效率 被引量:12
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作者 杨惠山 程加力 +2 位作者 赵毅 侯晶莹 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1364-1366,共3页
利用BCP掺杂到电子传输层Alq中,在掺杂层中阻挡了空穴的迁移,调整了空穴和电子的平衡,将激子有效地限制在发光层中发光,从而增加有机电致发光器件的效率器件的最大电流效率在外加电压9V时达到4.1cd/A(掺杂浓度8%时),与一般未掺杂器件相... 利用BCP掺杂到电子传输层Alq中,在掺杂层中阻挡了空穴的迁移,调整了空穴和电子的平衡,将激子有效地限制在发光层中发光,从而增加有机电致发光器件的效率器件的最大电流效率在外加电压9V时达到4.1cd/A(掺杂浓度8%时),与一般未掺杂器件相比效率提高了2倍多同时也减少空穴到达阴极。 展开更多
关键词 有机电致发光 掺杂 效率
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有机电致发光器件的稳定性 被引量:11
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作者 张新稳 胡琦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期488-502,共15页
有机电致发光器件(organic light-emitting device,OLED)具有结构简单、驱动电压低、柔性好、可实现大面积显示等特点,在光通信、信息显示与固态照明等领域均显现出巨大的商业应用前景,备受学术界和产业界的关注.自1987年以来,OLED器件... 有机电致发光器件(organic light-emitting device,OLED)具有结构简单、驱动电压低、柔性好、可实现大面积显示等特点,在光通信、信息显示与固态照明等领域均显现出巨大的商业应用前景,备受学术界和产业界的关注.自1987年以来,OLED器件迅速发展,其亮度和效率已达到实用化的要求,但是目前产业化面临的主要难题之一就是器件的稳定性问题.本文主要介绍了OLED器件的非本质老化机理和本质老化机理,对黑点形成、薄膜形貌不稳定、金属原子扩散、[Alq_3[^+阳离子和正电荷积累等多种OLED老化机理进行了总结和讨论,并针对这些老化机理重点阐述改善OLED器件工作稳定性的方法.最后,对OLED器件稳定性研究的发展趋势做了展望. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 老化机理 稳定性
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微腔结构顶发射有机发光器件 被引量:9
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作者 曹进 刘向 +5 位作者 张晓波 委福祥 朱文清 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期1088-1092,共5页
以Ag/ITO为全反射阳极,以Al/Ag为半透明复合阴极,制备了绿色、蓝色两种微腔结构顶发射有机发光器件,研究了微腔效应对顶发射器件颜色的影响,通过调节光程,实现了用同一种有机发光层制备出不同波长的发射.Alq基顶发射器件得到波长峰值从5... 以Ag/ITO为全反射阳极,以Al/Ag为半透明复合阴极,制备了绿色、蓝色两种微腔结构顶发射有机发光器件,研究了微腔效应对顶发射器件颜色的影响,通过调节光程,实现了用同一种有机发光层制备出不同波长的发射.Alq基顶发射器件得到波长峰值从500nm到584nm的不同颜色的器件,发光光谱半高宽由传统器件的100nm窄化到20—40nm,最高电流效率1.77cd/A.蓝光顶发射器件发光峰值从464nm变化到532nm,半高宽由传统器件的65nm窄化到17—21nm,并得到色坐标为(0.141,0.049)的深蓝色顶发射有机发光器件. 展开更多
关键词 有机发光 顶发射 微腔效应
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DPVBi的厚度和发光位置不同对有机电致发光器件性能的影响 被引量:6
4
作者 王广德 王立 +4 位作者 姜文龙 王立忠 汪津 韩强 丁桂英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期189-192,共4页
通过调整发光层DPVBi的厚度和在器件中的位置,在同一实验条件下设计了不同的器件结构,制备了有机电致发光器件,在实验中可看到DPVBi的厚度不同,器件的色度发生了改变,并且发现DPVBi在器件的不同位置,器件的发光特性也是不同的。通过实... 通过调整发光层DPVBi的厚度和在器件中的位置,在同一实验条件下设计了不同的器件结构,制备了有机电致发光器件,在实验中可看到DPVBi的厚度不同,器件的色度发生了改变,并且发现DPVBi在器件的不同位置,器件的发光特性也是不同的。通过实验可以得知处于器件不同位置的DPVBi,其发光机理是不同的,这是由于DPVBi和Alq3的最高未占有轨道(HOMO)能级相差不多,而它们的最低占有轨道(LUMO)能级相差0.4eV,这样DPVBi的存在有利于电子的注入,同时由于rubrene和DPVBi的HOMO相差0.5eV,这样空穴和电子就在rubrene和DPVBi的界面处形成激子复合而发光。也就是说,在rubrene之后的DPVBi对空穴有了阻挡作用,使器件中的空穴和电子达到平衡。通过改变DPVBi的厚度,制备了白光器件,这组白光器件,在7~17V变化范围内器件的色坐标从(0.35,0.37)到(0.33,0.35)变化不大,接近白光等能点(0.33,0.33),是色度比较好的器件。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 发光层的厚度和位置 性能
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基于BCzVB的高效非掺杂蓝色有机电致发光器件
5
作者 邹文静 吴有智 张材荣 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期21-26,共6页
以超薄插入方式制备了基于BCzVB(1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene)的高效非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/MoO_(3)/TAPC(1,1-bis((di-4-tolylamino)phenyl)cyclohexane,50 nm)/BCzVB(x nm)/CBP(4,4’-N,N’-d... 以超薄插入方式制备了基于BCzVB(1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene)的高效非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/MoO_(3)/TAPC(1,1-bis((di-4-tolylamino)phenyl)cyclohexane,50 nm)/BCzVB(x nm)/CBP(4,4’-N,N’-dicarbazole-biphyenyl,20 nm)/BCzVB(x nm)/TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,20 nm)/LiF(1.5 nm)/Al.当BCzVB厚度x为0.3 nm时,器件的最高亮度为12800 cd/cm^(2),最高外量子效率为2.1%(电流效率2.8 cd/A),CIE色坐标为(0.15,0.17).通过优化空穴注入层MoO_(3)的厚度,器件的最高亮度和外量子效率分别达到了14200 cd/cm^(2)和4.2%(电流效率为5.66 cd/A),外量子效率提升了一倍.这远超目前报道的基于BCzVB蓝色OLED的最高效率. 展开更多
关键词 荧光 有机电致发光器件 BCzVB 非掺杂 蓝色
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Toward Eco-friendly Green Organic Semiconductors: Recent Advances in Spiro[fluorene-9,9'-xanthene] (SFX)-Based Optoelectronic Materials and Devices 被引量:4
6
作者 Mingli Sun Ruochen Xu +2 位作者 Linghai Xie Ying Wei Wei Huang 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2015年第8期815-827,共13页
Green organic semiconductors (GOS) have the four-element features, including biomass as stuffs, synthesis with the pot, atom and step economic (PASE) route, eco-friendly fabrication processes in aqueous phase, and... Green organic semiconductors (GOS) have the four-element features, including biomass as stuffs, synthesis with the pot, atom and step economic (PASE) route, eco-friendly fabrication processes in aqueous phase, and recy- clable devices, capturing the trend of organic electronics in the future. Herein, we reviewed the efforts that have been made on GOS by our group. We first made a brief introduction of organic (opto)electronics, followed by the design strategies of GOSs based on spirofluorenes. Concretely, we described the discovery of one-pot protocol to spirofluorenres and a pot-atom-step economic (PASE) platform of spiro[fluorene-9,9'-xanthene] (SFX) for the mo- lecular design of organic semiconductors, as well as a state-of-the-art nanocrystalline films with eco-friendly pro- cedures. Then, we highlighted the progress on SFX-based organic semiconductors in the organic light-emitting di- ode (OLED) field. Finally, we conducted a summary on SFXs in OLED and an outlook on green semiconductors starting from biomass, via one-pot to spirofluorenes, to water-phase devices. 展开更多
关键词 spirofluorenes green semiconductors pot-atom-step economic nanocrystals organic light-emitting devices
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用有机层厚度匹配法制作的有机电致蓝光器件 被引量:5
7
作者 姜文龙 王洪梅 +5 位作者 韩强 丁桂英 汪津 王静 王立忠 常喜 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期162-164,180,共4页
采用各有机层厚度匹配的方法制备了具有较好性能的有机电致蓝光器件。器件的基本结构为:1TO/2T—NATA/NPBX/DPVBi/Alq3/LiF/Al。当2T—NATA的厚度为20nm,NPBX的厚度为15nm,DPVBi的厚度为35nm,Alq3的厚度为30nm,LiF的厚度为0... 采用各有机层厚度匹配的方法制备了具有较好性能的有机电致蓝光器件。器件的基本结构为:1TO/2T—NATA/NPBX/DPVBi/Alq3/LiF/Al。当2T—NATA的厚度为20nm,NPBX的厚度为15nm,DPVBi的厚度为35nm,Alq3的厚度为30nm,LiF的厚度为0.5nm时,器件的性能最好。在电流密度为796mA/cm^2时,最大亮度达到11600cd/m^2,在电流密度为30mA/cm^2,器件的效率达到最大为2.32cd/A。器件的开启电压较低,在6V工作电压下,亮度达到207.3cd/m^2。在5~13V较大的范围内,色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.15附近。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 性能 蓝光
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基于N-对甲氧苯基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌的白色和黄色有机电致发光器件的性能 被引量:5
8
作者 丁桂英 姜文龙 +2 位作者 汪津 欧阳新华 曾和平 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2068-2073,共6页
通过研究新型荧光染料N-对甲氧苯基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌(MoBCzHQZn)的电致发光(EL)特性,发现MoBCzHQZn具有较强的发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了非掺杂型的有机电致白光器件和掺杂型的有机电致黄光器件.白光器件的结构... 通过研究新型荧光染料N-对甲氧苯基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌(MoBCzHQZn)的电致发光(EL)特性,发现MoBCzHQZn具有较强的发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了非掺杂型的有机电致白光器件和掺杂型的有机电致黄光器件.白光器件的结构为ITO/2T-NATA(20nm)/MoBCzHQZn(25nm)/NPBX(13nm)/BCP(8nm)/Alq3(34nm)/LiF(0.5nm)/Al,器件在15V电压下实现了白光发射,色坐标为(0.3719,0.3275),最大发光亮度为3414cd·m-2,在14V电压下的最大发光效率为1.69cd·A-1、黄光器件的结构为ITO/2T-NATA(20nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%MoBCzHQZn(25nm)/TPBi:6%Ir(ppy)3(47nm)/LiF(0.5nm)/Al,器件在15V电压下实现了黄绿光发射,色坐标为(0.3590,0.5787),最大发光亮度为11073cd·m-2,在9V电压下的最大发光效率为2.51cd·A-1. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 空穴传输发光材料 亮度
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基于TPAHQZn发光色度稳定的黄色OLED 被引量:4
9
作者 王广德 丁桂英 +2 位作者 姜文龙 欧阳新华 曾和平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期497-501,共5页
采用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料(E)-2-(4-(dipheny-lamino)styryl)quinolato-zinc(TPAHQZn)作为发光层,制备了结构为ITO/4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(15nm)/(E)-2-(4-... 采用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料(E)-2-(4-(dipheny-lamino)styryl)quinolato-zinc(TPAHQZn)作为发光层,制备了结构为ITO/4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(15nm)/(E)-2-(4-(diphenylamino)styryl)quinolato-zinc(TPAHQZn)(x nm)/9,10-bis(2-naphthyl)anthracene(ADN)(31nm)/tris(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)((65-x)nm)/LiF(0.6nm)/Al的黄色有机电致发光器件。研究了不同厚度的发光层对器件性能的影响。TPAHQZn厚度为30nm的器件在14V电压下实现了黄光发射,最大发光亮度为2479cd/m2,最大电流效率为0.84cd/A,色坐标由8V(6.346cd/m2)时的(0.502,0.4495)到14V(2479cd/m2)时的(0.4979,0.453)变化不大,器件的发光颜色稳定。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 锌金属配合物 亮度 效率 色度稳定
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硅片上顶发射的有机电致发光器件 被引量:4
10
作者 杨惠山 陈淑芬 +3 位作者 吴志军 赵毅 侯晶莹 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期242-246,共5页
为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件。在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属。在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光... 为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件。在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属。在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光具有很高的反射率,然而由于其具有相当低的功函数,导致与有机材料间能级的不匹配,从而引起有机发光器件中阳极空穴注入的不理想而影响器件的性能。我们在硅片上制备顶发射的有机发光器件,用薄层QAD(quinacridone)作为发光层,表面修饰的银作为阳极,制备的有机发光器件的亮度在外加电压10V时达到13 700cd/m2,器件的最大电流效率在7V时达到4. 3cd/A,是没有薄层QAD器件的2倍多,是由在器件中存在Alq3 与QAD之间F ster能量转移机制引起的。 展开更多
关键词 有机发光器件 顶发射 亮度 电流效率
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基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件 被引量:4
11
作者 高永慧 姜文龙 +4 位作者 丁桂英 丛林 孟昭晖 欧阳新华 曾和平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期44-48,共5页
利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为I... 利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 发光层 CzHQZn 性能
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利用LiF空穴阻挡/激子限制层提高有机电致发光器件效率 被引量:4
12
作者 连加荣 周翔 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1469-1472,共4页
将厚度为0.5 nm的LiF薄层引入到双层有机电致发光器件(OLEDs)的Alq3发光/电子传输层中作为空穴阻挡/激子限制层,研究其位置对器件光电性能的影响。发现LiF薄层在不同位置均明显提高器件的发光效率,当LiF薄膜距离TPD/Alq3界面20~40 nm... 将厚度为0.5 nm的LiF薄层引入到双层有机电致发光器件(OLEDs)的Alq3发光/电子传输层中作为空穴阻挡/激子限制层,研究其位置对器件光电性能的影响。发现LiF薄层在不同位置均明显提高器件的发光效率,当LiF薄膜距离TPD/Alq3界面20~40 nm时,OLEDs的最大发光效率约为4.5 cd/A,是对比器件(没有LiF薄层)的1.8倍。OLEDs的电流密度随着减小LiF薄层与阴极的距离而增大。研究表明,这是因为LiF薄层可有效阻挡进入复合发光区域未复合的过剩空穴并导致其积累,空穴积累可提高电子传输区域中的电场,提高其中电子的传输和从阴极的注入,从而提高复合发光区域中的载流子平衡及其复合几率;LiF薄层可将激子限制在复合发光区域,减少激子被阴极淬灭的几率。 展开更多
关键词 光学器件 有机电致发光器件 空穴阻挡/激子限制层 LIF 发光效率
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共掺杂PEDOT∶PSS薄膜改善有机电致发光器件性能
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作者 苏斌 綦旺 +5 位作者 周宇萌 张璐 王一凡 朱恩伟 刘春波 车广波 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第3期32-38,共7页
为了克服PEDOT∶PSS作为空穴注入层时强酸性和低导电性的问题,采用将适量咪唑和碘化铯共掺杂于PEDOT∶PSS的方法,制备了高效有机电致发光器件(OLEDs)。结果表明:有效调节PEDOT∶PSS的酸碱性,可提高PEDOT∶PSS的空穴注入能力,使载流子传... 为了克服PEDOT∶PSS作为空穴注入层时强酸性和低导电性的问题,采用将适量咪唑和碘化铯共掺杂于PEDOT∶PSS的方法,制备了高效有机电致发光器件(OLEDs)。结果表明:有效调节PEDOT∶PSS的酸碱性,可提高PEDOT∶PSS的空穴注入能力,使载流子传输更加平衡。与纯PEDOT∶PSS作空穴注入层的OLEDs相比,优化后器件的最大亮度和电流效率分别提高了30%和31%。该研究为掺杂PEDOT∶PSS为空穴注入层在OLEDs领域的研究提供了理论和实验参考。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 空穴注入层 共掺杂 电流效率 亮度
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有机电致发光器件中的双极性蓝光荧光材料 被引量:4
14
作者 钟渤凡 王世荣 +1 位作者 肖殷 李祥高 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第8期986-1001,共16页
双极性蓝光荧光材料因其双极传输特性和发光特性,为有机电致发光器件性能提升及结构简化提供了新途径。大多数双极性蓝光荧光材料在结构上符合电子给体-π桥-电子受体(D-π-A),根据电子受体单元,本文将其分为二苯磷/磺酰类、二米基硼类... 双极性蓝光荧光材料因其双极传输特性和发光特性,为有机电致发光器件性能提升及结构简化提供了新途径。大多数双极性蓝光荧光材料在结构上符合电子给体-π桥-电子受体(D-π-A),根据电子受体单元,本文将其分为二苯磷/磺酰类、二米基硼类、五元杂环类、六元氮杂环类等,讨论了各类材料结构特点及在器件中的应用性能,对非D-π-A型材料也进行了总结。同时,介绍了热活化延迟荧光特性的双极性蓝光荧光材料的进展情况。最后,对双极性蓝光荧光材料中存在的问题进行了提炼,并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 蓝光荧光材料 有机电致发光器件 双极性 热活化延迟荧光
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沉积亚单层荧光染料提高有机发光器件的发光效率 被引量:4
15
作者 肖步文 李传南 +2 位作者 李新红 马春生 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1145-1148,共4页
结合掺杂薄层作为发光探针层的方法和亚单层(submonolayer)有机发光技术,利用沉积在有机发光器件发光层中的亚单层奎丫啶酮(Quinacridone,QAD)分子作为探针,同时改变QAD层的位置,对有机发光器件中激子的形成与扩散进行了研究,器件结构为... 结合掺杂薄层作为发光探针层的方法和亚单层(submonolayer)有机发光技术,利用沉积在有机发光器件发光层中的亚单层奎丫啶酮(Quinacridone,QAD)分子作为探针,同时改变QAD层的位置,对有机发光器件中激子的形成与扩散进行了研究,器件结构为ITO/NPB(60nm)/Alq3(xnm)/QAD(0.05nm)/Alq3[(60-x)nm]/LiF/Al(其中x=0,2.5,5,7.5nm).通过对各器件不同条件下的电致发光谱、发光强度和发光效率的对比研究,得到在x=5nm处引入亚单层QAD可以使QAD分子通过能量转移而获得的激子数量最多,进而可以实现高效率的发光. 展开更多
关键词 有机发光器件 亚单层 奎丫啶酮 激子 能量转移
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引入阱结构改善有机发光器件的效率 被引量:4
16
作者 杨惠山 陈淑芬 +2 位作者 赵毅 侯晶莹 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期545-548,共4页
利用阱结构作为发光层,阱由8-羟基喹啉铝和4,4′-N,N′?dicarbazole-biphenyl交替蒸发长成,改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积,形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光·器件的最大电流效率在外加电压8V... 利用阱结构作为发光层,阱由8-羟基喹啉铝和4,4′-N,N′?dicarbazole-biphenyl交替蒸发长成,改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积,形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光·器件的最大电流效率在外加电压8V时达到4.1cd/A,与一般异质结器件相比效率提高了2倍多·这说明在适当阱数时用简单办法可提高器件的效率· 展开更多
关键词 有机电致发光 阱结构 效率
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采用复合空穴注入层提高有机电致发光器件的性能 被引量:4
17
作者 刘爱华 杨利营 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期422-427,共6页
制备了以Ag/SAM/m-MTDATA为复合空穴注入层的NPB/Alq3双层异质结发光器件,研究了器件的性能并与传统的器件进行了对比。考察了银膜厚度的变化对器件性能的影响。研究了光谱窄化以及微腔效应对器件的影响。研究结果表明:在ITO表面制备4-... 制备了以Ag/SAM/m-MTDATA为复合空穴注入层的NPB/Alq3双层异质结发光器件,研究了器件的性能并与传统的器件进行了对比。考察了银膜厚度的变化对器件性能的影响。研究了光谱窄化以及微腔效应对器件的影响。研究结果表明:在ITO表面制备4-FTP自组装单分子膜修饰的5 nm厚的金属银膜,可以在保持阳极透明性的基础上,增强空穴的注入,改善界面的形貌,进而提高器件性能。制备的ITO/Ag/SAM/m-MTDATA/NPB/Alq3/LiF/Al器件的启亮电压为4 V,最大电流效率为6.9 cd/A,最大亮度为34 680 cd/m2(12 V);优于以ITO为阳极的对比器件(25 300 cd/m2@12 V)。 展开更多
关键词 自组装单分子膜 阳极 有机电致发光器件 微腔效应 电流效率
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利用Ir(ppy)_3敏化CzHQZn提高OLED的性能 被引量:3
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作者 丁桂英 常喜 姜文龙 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期30-33,共4页
用CzHQZn作为受主,利用磷光敏化的方法制备了有机电致黄光和白光器件。黄光器件采用Ir(ppy)3掺杂4,4-N,N′-=咔唑基联苯(CBP),敏化新的黄光材料CzHQZn作为发光层,当发光层厚度为18nm时器件性能最好,最大发光效率为3.26cd/A(at10V),最大... 用CzHQZn作为受主,利用磷光敏化的方法制备了有机电致黄光和白光器件。黄光器件采用Ir(ppy)3掺杂4,4-N,N′-=咔唑基联苯(CBP),敏化新的黄光材料CzHQZn作为发光层,当发光层厚度为18nm时器件性能最好,最大发光效率为3.26cd/A(at10V),最大发光亮度为17560cd/m2(at10V);白光器件采用多发光层结构,结合ADN的蓝光复合发光,同时加入了电子阻挡层(NPBX)和空穴阻挡层(BCP),获得的白光器件最大发光效率为2.94cd/A(at8V),最大亮度为11089cd/m2(at13V)。 展开更多
关键词 有机电致发光器件(OLED) 发光层(EML)厚度 性能 敏化剂
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Highly efficient stacked organic light-emitting devices employing a novel intermediate layer 被引量:2
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作者 NIU LianBin GUAN YunXia +3 位作者 REN Yue KONG ChunYang MA Yan LIANG YiPing 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第1期95-98,共4页
Highly efficient stacked organic light-emitting devices (OLEDs) have been fabricated using Mg:Alq3:BCP/ WO3 as a novel intermediate layer, which connects two identical emissive units. The stacked OLEDs consisting of N... Highly efficient stacked organic light-emitting devices (OLEDs) have been fabricated using Mg:Alq3:BCP/ WO3 as a novel intermediate layer, which connects two identical emissive units. The stacked OLEDs consisting of NPB/Alq3 exhibited high current efficiency and brightness characteristics over conven- tional single-unit device. At 200 mA/cm2, the current efficiency of the stacked OLEDs using the inter- mediate layers of Mg:Alq3:BCP/WO3 were about 6.85 cd/A, doubling that of the conventional device. The results may prove the method to be effective to enhance the current efficiency and brightness of OLEDs. 展开更多
关键词 organic light-emitting devices Mg:Alq3:BCP/WO3 stacked
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Efficiency of a blue organic light-emitting diode enhanced by inserting charge control layers into the emission region 被引量:2
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作者 白娟娟 吴晓明 +7 位作者 华玉林 穆雪 毕文涛 苏跃举 焦志强 申利莹 印寿根 郑加金 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第4期504-507,共4页
We demonstrate high current efficiency of a blue fluorescent organic light-emitting diode (OLED) by using the charge control layers (CCLs) based on Alq3 . The CCLs that are inserted into the emitting layers (EMLs... We demonstrate high current efficiency of a blue fluorescent organic light-emitting diode (OLED) by using the charge control layers (CCLs) based on Alq3 . The CCLs that are inserted into the emitting layers (EMLs) could impede the hole injection and facilitate the electron transport, which can improve the carrier balance and further expand the exciton generation region. The maximal current efficiency of the optimal device is 5.89 cd/A at 1.81 mA/cm2 , which is about 2.19 times higher than that of the control device (CD) without the CCL, and the maximal luminance is 19.660 cd/m2 at 12V. The device shows a good color stability though the green light emitting material Alq3 is introduced as the CCL in the EML, but it has a poor lifetime due to the formation of cationic Alq3 species. 展开更多
关键词 organic light-emitting devices charge control layer current efficiency
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