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辉光放电对负偏压增强热丝化学气相沉积碳纳米管的准直生长作用研究(英文) 被引量：1
1
作者 王必本 Lee Soonil +1 位作者 Kim Junghoi 侯碧辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期629-633,共5页
利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下 ,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长。发现在无辉光放电的情况下 ,碳纳米管弯曲生长 ,而在辉光放电时 ,碳纳米管准直生长 ,... 利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下 ,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长。发现在无辉光放电的情况下 ,碳纳米管弯曲生长 ,而在辉光放电时 ,碳纳米管准直生长 ,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用。由于辉光放电的产生 ,在衬底表面附近形成很强的电场。相对无辉光放电时的电场 ,场强提高了两个数量级。本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用。 展开更多
关键词 辉光放电 负偏压增强热丝化学气相沉积 nife膜 碳纳米管 准直生长
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NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性 被引量：1
2
作者 张辉 滕蛟 +2 位作者 于广华 吴杏芳 朱逢吾 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期599-602,共4页
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算... 采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率．结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程．宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难．在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘． 展开更多
关键词 nife膜 各向异性磁电阻(AMR) AMR元件 非均匀退磁场 磁化反转
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Si基Cu/NiFe薄膜的生长及其粘附特性研究 被引量：5
3
作者 张涛 吴一辉 +1 位作者 张平 王淑荣 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1444-1447,共4页
微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu)... 微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu),然后对种子层进行电镀,当其厚度达到约15μm时,再进行NiFe合金的电铸.本文用扫描电镜、x射线衍射仪和剥离实验研究了薄膜粘附特性.研究结果表明当对种子层电镀后,随着Cu种子层厚度的增加,Cu/NiFe薄膜与基体的粘附强度增加,而薄膜的残余应力降低;同时Cu膜表面粗糙度增加,也增加了NiFe膜与Cu膜的粘附强度. 展开更多
关键词 SI基 Cu/nife膜 粘附特性 剥离实验 残余应力
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膜厚对NiFe单层膜及NiFe/FeMn双层膜性能的影响对比研究 被引量：4
4
作者 钟秋雨 刘昕 +5 位作者 陈川 孙科 邬传健 郭荣迪 余忠 兰中文 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2020年第4期1-6,13,共7页
采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上制备不同厚度的NiFe单层膜、NiFe/FeMn双层膜,结合原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)及电子顺磁共振(EPR)波谱仪研究了纳米膜的微观形貌、表面粗糙度、静磁性能及微波磁性能。结果表明,相对于N... 采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上制备不同厚度的NiFe单层膜、NiFe/FeMn双层膜,结合原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)及电子顺磁共振(EPR)波谱仪研究了纳米膜的微观形貌、表面粗糙度、静磁性能及微波磁性能。结果表明,相对于NiFe单层膜,反铁磁性覆盖层FeMn的引入,使NiFe/FeMn双层膜的共振场(Hres)下降,与自旋波共振相关的有效交换场得以提升,说明在一定的外加稳恒磁场下,利用铁磁/反铁磁(FM/AF)多层膜结构所产生的钉扎效应能够提高薄膜的共振频率。在20~70 nm的NiFe薄膜厚度范围内,单层膜的共振场为1289~1354Oe,而双层膜的共振场降至1089~1118 Oe。 展开更多
关键词 nife单层膜 nife/FeMn双层膜 钉扎效应 共振场 形貌 磁性能
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NiFe/Ag多层膜在低场下的巨磁电阻行为 被引量：2
5
作者 王万平 张怀武 王豪才 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期173-175,共3页
用磁控溅射法制备了NiFe/Ag多层膜 ,并从实用角度对NiFe/Ag多层膜的低场巨磁电阻效应作了研究。分析了该膜系列产生低场巨磁电阻效应的机理 ,并进行了实验研究 ,最终获得在低场 (小于 79 6× 2 5 0A/m)常温下有高达 5 0
关键词 巨磁电阻 磁控溅射 nife/Ag膜 低场巨磁电阻效应
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